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ICS ）（5782）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | アプリケーション | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | タイプ | 基本製品番号 | 頻度 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 現在 -出力 /チャネル | クロック周波数 | 出力数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | 内部スイッチ | トポロジー | 電圧 -供給（最大） | 調光 | 電圧 -供給（最小） | 電圧 -出力 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42S32400F-6TL-TR | 4.0698 |  | 1751 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（タタ | 表面マウント | 86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | |||||||||||||
 | IS43LD32128C-25BPL | - | | 6251 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128C-25BPL | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | IS45S32400F-6BLA1-TR | 6.3600 | | 1582 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS45S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | |||||||||||||
| IS43LD32128C-25BPLI | - | | 9406 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128C-25BPLI | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | IS46TR85120BL-107MBLA2-TR | - | | 5162 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | IS46TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46TR85120BL-107MBLA2-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | ||||||||||||
| IS22TF32G-JCLA2-TR | 37.6390 | | 4133 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS22TF32G-JCLA2-TR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256gbit | フラッシュ | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||||||||||
 | IS43LD32128A-18BPL-TR | - | | 6505 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128A-18BPL-TR | 廃止 | 1 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||||||||||
| IS46LD32128A-18BPLA2-TR | - | | 2929 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46LD32128A-18BPLA2-TR | 廃止 | 1 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||||||||||
 | IS21TF16G-JCLI-TR | 24.7500 | | 4190 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | IS21TF16G | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS21TF16G-JCLI-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | MMC | - | |||||||||||||
| IS43TR81024B-107MBLI-TR | 21.5460 | | 1242 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA （10x14） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43TR81024B-107MBLI-TR | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | ||||||||||||||||
| IS32LT3124D-ZLA3-TR | - | | 5110 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C | 自動車、照明 | 表面マウント | 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） | リニア | - | 8-tssop | ダウンロード | 3 （168 時間） | 2,500 | 150ma | 4 | はい | 定電流 | 28V | PWM | 5V | - | |||||||||||||||||
| IS43TR81280B-125KBLI | - | | 7668 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
| IS61WV20488FBLL-10BLI | 9.1946 | | 5667 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS61WV20488FBLL-10BLI | 480 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 2m x 8 | 平行 | 10ns | |||||||||||||||||
| IS25WP512M-JLLE-TR | 6.2776 | | 6882 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.7V〜1.95V | 8-wson （8x6） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25WP512M-JLLE-TR | 4,000 | 112 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1ms | |||||||||||||||||
| IS22TF16G-JCLA2-TR | 26.3340 | | 5757 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 153-VFBGA | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS22TF16G-JCLA2-TR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 128GBIT | フラッシュ | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | |||||||||||||||||
| IS46LQ32128AL-06T2BLA2-TR | - | | 2462 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46LQ32128AL-06T2BLA2-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns | ||||||||||||||||
 | IS62C256AL-45ULI | 1.4200 | | 1 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 28-SOIC （0.330 "、幅8.38mm） | IS62C256 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 28ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 120 | 揮発性 | 256kbit | 45 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 45ns | ||||||||||||||
| IS46TR85120BL-107MBLA2 | - | | 4235 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 78-TFBGA | IS46TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46TR85120BL-107MBLA2 | ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | ||||||||||||
 | IS61LV6416-10TI | - | | 5516 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS61Lv6416 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 1mbit | 10 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 10ns | ||||||||||||||
| IS43LR32800H-6BLI | 5.5951 | | 2436 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43LR32800H-6BLI | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | lvcmos | 15ns | ||||||||||||||||
| IS61WV25616FALL-10TLI-TR | 2.9743 | | 5401 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS61WV25616FALL-10TLI-TR | 1,000 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | |||||||||||||||||
| IS43LD32128A-18BPLI | - | | 8018 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（TC） | 表面マウント | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128A-18BPLI | 廃止 | 1 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||||||||||
| IS62WV6416FBLL-45TLI-TR | 1.5055 | | 8612 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS62WV6416FBLL-45TLI-TR | 1,000 | 揮発性 | 1mbit | 45 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 45ns | |||||||||||||||||
| IS64LPS12836EC-200TLA3 | 8.3332 | | 7104 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | sram-標準 | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS64LPS12836EC-200TLA3 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 4mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||||||||||||||||
| IS49NLS18160A-25EWBLI | 31.9177 | | 1852年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS49NLS18160A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 288mbit | 15 ns | ドラム | 16m x 18 | HSTL | - | |||||||||||||||
 | IS46R16320E-6TLA2 | 9.1584 | | 3886 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS46R16320 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
| IS43DR81280C-25DBL-TR | 3.0653 | | 2086 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜85°C （TC） | 表面マウント | 60-TFBGA | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA （8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS43DR81280C-25DBL-TR | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | SSTL_18 | 15ns | ||||||||||||||||
| IS43R16320D-6TLI-TR | 7.5000 | | 7444 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS43R16320 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | |||||||||||||
 | IS62WV2568BLL-70HI | - | | 4073 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 32-TFSOP （0.465 "、11.80mm 幅） | IS62WV2568 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 32 stsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 234 | 揮発性 | 2mbit | 70 ns | sram | 256k x 8 | 平行 | 70ns | ||||||||||||||
 | IS46DR16320C-3DBLA1 | 7.7999 | | 2539 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | 450 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns |
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