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製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	頻度	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	現在 -出力 /チャネル	クロック周波数	出力数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	内部スイッチ	トポロジー	電圧 -供給（最大）	調光	電圧 -供給（最小）	電圧 -出力
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IS61DDB42M18A-250M3L	-	RFQ	3421	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	165-lbga		IS61DDB42		sram- ddr ii	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	105		250 MHz		揮発性	36mbit	8.4 ns	sram	2m x 18	平行	-
IS61LPS51236A-200TQLI-TR	-	RFQ	7833	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	100-lqfp		IS61LPS51236		sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	800		200 MHz		揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS43R32400E-5BL-TR	4.2471	RFQ	5571	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	144-LFBGA		IS43R32400		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	144-LFBGA（12x12）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,500		200 MHz		揮発性	128mbit	700 ps	ドラム	4m x 32	平行	15ns
IS62WV5128BLL-55TI-TR	-	RFQ	4630	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	32-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅）		IS62WV5128		sram-非同期	2.5V〜3.6V	32-tsop i	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,500				揮発性	4mbit	55 ns	sram	512k x 8	平行	55ns
IS43R86400D-5TLI	8.3656	RFQ	2664	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS43R86400		SDRAM -DDR	2.5V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	108		200 MHz		揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	平行	15ns
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IS42S16320b-6tli	-	RFQ	5904	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS42S16320		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	108		166 MHz		揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	32m x 16	平行	-
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IS42S16160G-7TLI-TR	6.6224	RFQ	8018	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS42S16160		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500		143 MHz		揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS42SM32200K-75BLI-TR	-	RFQ	5920	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	90-TFBGA		IS42SM32200		sdram-モバイル	2.7V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500		133 MHz		揮発性	64mbit	6 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
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IS42S16100C1-5TL	-	RFQ	1225	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）		IS42S16100		SDRAM	3V〜3.6V	50-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	117		200 MHz		揮発性	16mbit	5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS25LP064A-JLLE	1.8000	RFQ	14	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	8-wdfn露出パッド		IS25LP064		フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-wson （8x6）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	480		133 MHz		不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o、qpi	800µs
IS25LQ040B-JDLE	-	RFQ	6131	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）		IS25LQ040		フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-tssop	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25LQ040B-JDLE	ear99	8542.32.0071	100		104 MHz		不揮発性	4mbit	8 ns	フラッシュ	512k x 8	spi -quad i/o	800µs
IS42S16160D-75EBLI	-	RFQ	1768	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	54-TFBGA		IS42S16160		SDRAM	3V〜3.6V	54-TW-BGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	240		133 MHz		揮発性	256mbit	5.5 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS31BL3555-ZLS4	-	RFQ	1644	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	チューブ	廃止	-40°C〜125°C	バックライト	表面マウント	16-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm ）露出したパッド	DC DCコントローラー	IS31BL3555	1MHz			16-etsop	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	96	200mA		8								はい	ステップアップ（ブースト）	40V	PWM	4.75V	-
IS43DR82560C-25DBL-TR	6.3808	RFQ	2362	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）		表面マウント	60-TFBGA				SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43DR82560C-25DBL-TR			2,000		400 MHz		揮発性	2Gbit	400 ns	ドラム	256m x 8	SSTL_18	15ns
IS62WV51216BLL-55BLI	7.7900	RFQ	6275	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	48-TFBGA		IS62WV51216		sram-非同期	2.5V〜3.6V	48-minibga （7.2x8.7	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	312				揮発性	8mbit	55 ns	sram	512K x 16	平行	55ns
IS25LP256D-RGLE-TR	-	RFQ	5263	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	24-tbga		IS25LP256		フラッシュ -	2.3V〜3.6V	24-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,500		133 MHz		不揮発性	256mbit	7 ns	フラッシュ	32m x 8	シリアル	800µs
IS21TF128G-JCLI	66.7335	RFQ	6275	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	153-VFBGA				フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS21TF128G-JCLI			152		200 MHz		不揮発性	1tbit		フラッシュ	128g x 8	EMMC_5.1	-
IS45S32400F-6BLA2	9.5190	RFQ	6414	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	90-TFBGA		IS45S32400		SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240		166 MHz		揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS43LD16640D-18BLI-TR	6.8495	RFQ	4778	ISSI、統合Silicon Solution Inc	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ											-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43LD16640D-18BLI-TR			2,000
IS43R86400E-5BL	-	RFQ	7425	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	60-TFBGA		IS43R86400		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-tfbga （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	190		200 MHz		揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	平行	15ns
IS42S86400D-7TLI	14.1882	RFQ	2540	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS42S86400		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	108		143 MHz		揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	64m x 8	平行	-
IS31FL3198-QFLS2-TR	0.8029	RFQ	4212	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	汎用	表面マウント	16-wfqfn露出パッド	DC DCレギュレーター		1MHz			16-QFN（3x3）	-		3 （168 時間）					2,500	80ma		3								はい	切り替え済みコンデンサ（チャージポンプ）	5.5V	いいえ	3V	-
IS46DR81280C-25DBLA1	-	RFQ	5282	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	60-TFBGA		IS46DR81280		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	242		400 MHz		揮発性	1gbit	400 PS	ドラム	128m x 8	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²