SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEBLL-10B2LI-TR 7.0200
RFQ
ECAD 3604 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV51216 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 8mbit 10 ns sram 512K x 16 平行 10ns
IS43TR16128BL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128BL-15HBLI-TR -
RFQ
ECAD 4675 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS62WV12816BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55TLI-TR 2.8500
RFQ
ECAD 593 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS62WV12816 sram-非同期 2.5V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 2mbit 55 ns sram 128k x 16 平行 55ns
IS42S32800D-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7TLI -
RFQ
ECAD 1289 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS61QDP2B451236A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B451236A-400M3L 68.9309
RFQ
ECAD 2435 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga IS61QDP2 sram- quadp 1.71V〜1.89V 165-lfbga(15x17) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 MHz 揮発性 18mbit 8.4 ns sram 512K x 36 平行 -
IS41LV16100C-50TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100C-50TLI-TR -
RFQ
ECAD 5853 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS41LV16100 ドラム -江戸 3V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 揮発性 16mbit 25 ns ドラム 1m x 16 平行 -
IS46TR16128C-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-125KBLA2-TR 7.0974
RFQ
ECAD 3169 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS42S83200J-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200J-7BLI-TR -
RFQ
ECAD 1992年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S83200 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 -
IS61LPS12836EC-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836EC-200B3I -
RFQ
ECAD 5766 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-TBGA IS61LPS12836 sram- sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS61LPS12836EC-200B3I 廃止 144 200 MHz 揮発性 4mbit 3.1 ns sram 128k x 36 平行 -
IS43TR16128D-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-125KBLI 6.2000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1721 ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS42S32200L-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-7Tli 3.9736
RFQ
ECAD 6269 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S32200 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 -
IS61QDPB42M36A-550M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A-550M3L -
RFQ
ECAD 6448 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga IS61QDPB42 sram- クアッドポート、同期 1.71V〜1.89V 165-lfbga(15x17) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 550 MHz 揮発性 72mbit sram 2m x 36 平行 -
IS46R16320E-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320E-6TLA1 7.7657
RFQ
ECAD 3421 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS46R16320 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 32m x 16 平行 15ns
IS42SM16160D-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16160D-7TL -
RFQ
ECAD 1416 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TFBGA IS42SM16160 sdram-モバイル 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 348 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS25WQ020-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JNLE -
RFQ
ECAD 4837 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) IS25WQ020 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 1ms
IS42S32160D-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-6BI-TR -
RFQ
ECAD 1246 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 -
IS43DR86400C-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBLI-TR 5.9250
RFQ
ECAD 2291 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,000 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS49NLC18160A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160A-25WBLI 30.5534
RFQ
ECAD 2156 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS49NLC18160A-25WBLI 104 400 MHz 揮発性 288mbit 20 ns ドラム 16m x 18 HSTL -
IS25CD512-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD512-JULE-TR -
RFQ
ECAD 8749 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-ufdfn露出パッド IS25CD512 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 5,000 100 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi 5ms
IS61C25616AL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C25616AL-10KLI-TR 3.5320
RFQ
ECAD 4057 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) IS61C25616 sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 800 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
IS61NVP102418-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP102418-200B3I-TR -
RFQ
ECAD 4857 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-TBGA IS61NVP102418 sram- sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 揮発性 18mbit 3.1 ns sram 1m x 18 平行 -
IS43TR81280B-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-125JBLI -
RFQ
ECAD 7418 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS42S32400D-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-7T -
RFQ
ECAD 3682 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ sicで中止されました 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S32400 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS43TR81280B-15GBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-15GBL -
RFQ
ECAD 4356 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS43TR85120AL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120AL-107MBL -
RFQ
ECAD 6473 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS43TR85120AL-107MBL ear99 8542.32.0036 220 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS46TR82560DL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR82560DL-125KBLA2 -
RFQ
ECAD 6321 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 78-TFBGA IS46TR82560 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR82560DL-125KBLA2 ear99 8542.32.0036 136 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
IS46TR16640BL-125JBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125JBLA25 -
RFQ
ECAD 8026 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜115°C 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS46TR16640BL-125JBLA25 ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS43TR85120A-093NBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-093NBLI-TR -
RFQ
ECAD 3001 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS43TR85120A-093NBLI-TR ear99 8542.32.0036 1,500 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS43TR85120BL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120BL-107MBL-TR -
RFQ
ECAD 1863年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS43TR85120BL-107MBL-TR ear99 8542.32.0036 1,500 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS43LD16256A-18BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16256A-18BPLI -
RFQ
ECAD 1467 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 168-VFBGA IS43LD16256 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS43LD16256A-18BPLI 廃止 1 533 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 256m x 16 HSUL_12 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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