SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS61WV51216EEALL-20BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EEALL-20BLI-TR 6.7253
RFQ
ECAD 6335 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 1.65V〜2.2V 48-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS61WV51216EEALL-20BLI-TR 2,500 揮発性 8mbit 20 ns sram 512K x 16 平行 20ns
IS43R32160D-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32160D-5BLI -
RFQ
ECAD 1125 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 144-LFBGA IS43R32160 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 144-LFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 189 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 16m x 32 平行 15ns
IS43TR81280CL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280CL-107MBLI-TR 3.6477
RFQ
ECAD 6997 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43TR81280CL-107MBLI-TR 2,000 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS31BL3556-ZLS4 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31BL3556-ZLS4 -
RFQ
ECAD 2826 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc * チューブ 廃止 IS31BL3556 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 廃止 0000.00.0000 70
IS42S86400F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400F-6TLI 13.0430
RFQ
ECAD 3750 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S86400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 64m x 8 平行 -
IS25WP512M-RMLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-RMLA3-TR 8.1172
RFQ
ECAD 6348 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) フラッシュ - (slc) 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS25WP512M-RMLA3-TR 1,000 112 MHz 不揮発性 512mbit 7.5 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 50µs、1ms
IS46LQ32256AL-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256AL-062BLA1 22.5750
RFQ
ECAD 2389 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 バルク アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA (10x14.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS46LQ32256AL-062BLA1 136 1.6 GHz 揮発性 8gbit 3.5 ns ドラム 256m x 32 LVSTL 18ns
IS61DDB22M18C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB22M18C-250M3 -
RFQ
ECAD 5643 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga IS61DDB22 sram- ddr ii 1.71V〜1.89V 165-lfbga(15x17) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 2m x 18 平行 -
IS43R16160D-5BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5BL 5.5581
RFQ
ECAD 7725 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-tfbga (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 190 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS61NLP25636A-200B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B2LI-TR -
RFQ
ECAD 2809 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 119-BBGA IS61NLP25636 sram- sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 200 MHz 揮発性 9mbit 3.1 ns sram 256k x 36 平行 -
IS25LQ025B-JDLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ025B-JDLE -
RFQ
ECAD 4114 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ 廃止 -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) IS25LQ025 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 256kbit フラッシュ 32k x 8 spi -quad i/o 800µs
IS61VPD51236A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD51236A-250B3-TR -
RFQ
ECAD 5950 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-TBGA IS61VPD51236 sram- クアッドポート、同期 2.375V〜2.625V 165-PBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250 MHz 揮発性 18mbit 2.6 ns sram 512K x 36 平行 -
IS46DR16160B-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16160B-3DBLA1-TR 4.9783
RFQ
ECAD 8647 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 84-TFBGA IS46DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 333 MHz 揮発性 256mbit 450 PS ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS42S32800D-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7BI-TR -
RFQ
ECAD 3307 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS43DR81280B-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-3DBLI-TR 6.6000
RFQ
ECAD 4881 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 333 MHz 揮発性 1gbit 450 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
IS25WP256D-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-RMLE-TR 3.8581
RFQ
ECAD 8674 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) IS25WP256 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 256mbit 8 ns フラッシュ 32m x 8 シリアル 800µs
IS62WV25616BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55BLI 3.6544
RFQ
ECAD 9452 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS62WV25616 sram-非同期 2.5V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 4mbit 55 ns sram 256k x 16 平行 55ns
IS25WP128-RGLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-RGLE -
RFQ
ECAD 4388 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga IS25WP128 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS42S32800J-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6BLI 7.9900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 240 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 -
IS49NLS18320A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320A-25WBLI 51.8860
RFQ
ECAD 2482 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 144-TFBGA IS49NLS18320 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-TWBGA (11x18.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS49NLS18320A-25WBLI 104 400 MHz 揮発性 576mbit 20 ns ドラム 32m x 18 HSTL -
IS43TR82560D-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560D-107MBLI 5.0700
RFQ
ECAD 1413 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43TR82560D-107MBLI 242 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
IS43LR32320B-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320B-6BL-TR 9.5250
RFQ
ECAD 1746 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-lfbga IS43LR32320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-lfbga (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 15ns
IS42S16320D-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-6BI -
RFQ
ECAD 6717 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3V〜3.6V 54-TW-BGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS42S16320D-6BI 廃止 240 167 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 -
IS46LR16320B-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR16320B-6BLA1-TR -
RFQ
ECAD 9225 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA IS46LR16320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,000 166 MHz 揮発性 512mbit 5.5 ns ドラム 32m x 16 平行 12ns
IS42S16400J-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6BLI-TR 1.8695
RFQ
ECAD 5817 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS25LP512M-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-RMLE-TR 7.2750
RFQ
ECAD 9982 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) IS25LP512 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 1.6ms
IS43DR16128B-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-25EBL -
RFQ
ECAD 6042 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TW-BGA(10.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 162 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
IS64WV10248EDBLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV10248EDBLL-10BLA3 14.9738
RFQ
ECAD 5443 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS64WV10248 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 8mbit 10 ns sram 1m x 8 平行 10ns
IS43DR86400C-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-25DBL 6.1873
RFQ
ECAD 5652 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 242 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
IS43LD16320A-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16320A-25BLI-TR 7.2450
RFQ
ECAD 5255 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-TFBGA IS43LD16320 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.95V 134-TFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,000 400 MHz 揮発性 512mbit ドラム 32m x 16 平行 15ns
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    毎日の平均RFQボリューム

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