RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ICS ）（5782）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS42S16160D-7TLI	-	RFQ	2436	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16160	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	108	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	16m x 16	平行	-
IS61NVF102418-6.5B3I-TR	-	RFQ	7255	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	165-TBGA	IS61NVF102418	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	133 MHz	揮発性	18mbit	6.5 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS46TR16640ED-125KBLA2	9.0150	RFQ	9964	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	バルク	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS46TR16640ED-125KBLA2			190	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	SSTL_15	15ns
IS42S32800J-6TLI-TR	5.8004	RFQ	7390	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32800	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
IS43TR16512BL-107MBLI	27.6200	RFQ	2	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16512	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43TR16512BL-107MBLI	ear99	8542.32.0036	136	933 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns
IS62WV25616EALL-55TI-TR	-	RFQ	9919	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS62WV25616	sram-非同期	1.65V〜2.2V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		廃止	0000.00.0000	1		揮発性	4mbit	55 ns	sram	256k x 16	平行	55ns
IS42S32400E-6BLI	-	RFQ	1739	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32400	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS46LD32640B-18BLA2-TR	-	RFQ	7597	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	前回購入します	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	134-TFBGA		SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4	1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V	134-TFBGA （10x11.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46LD32640B-18BLA2-TR			1	533 MHz	揮発性	2Gbit	5.5 ns	ドラム	64m x 32	HSUL_12	15ns
IS42VM32400G-6BL-TR	-	RFQ	6340	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42VM32400	sdram-モバイル	1.7V〜1.95V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	揮発性	128mbit	5.5 ns	ドラム	4m x 32	平行	-
IS43TR16256B-093NBL	-	RFQ	3183	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS43TR16256B-093NBL	ear99	8542.32.0036	190	1.066 GHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	256m x 16	平行	15ns
IS49rl36160-093ebli	-	RFQ	8634	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	168-lbga	IS49RL36160	ドラム	1.28V〜1.42V	168-FBGA（13.5x13.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	119	1.066 GHz	揮発性	576mbit	8 ns	ドラム	16m x 36	平行	-
IS25LP128F-RMLE-TY	2.1931	RFQ	1550	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）		フラッシュ -	2.3V〜3.6V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25LP128F-RMLE-TY			176	166 MHz	不揮発性	128mbit		フラッシュ	16m x 8	spi -quad i/o	40µs 、800µs
IS49NLC36160A-25WBL	47.1690	RFQ	1478	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	144-TFBGA		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-TWBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS49NLC36160A-25WBL			104	400 MHz	揮発性	576mbit	20 ns	ドラム	16m x 36	HSTL	-
IS43LR16200D-6BL-TR	2.5043	RFQ	6578	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA	IS43LR16200	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,000	166 MHz	揮発性	32mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 16	平行	15ns
IS62WV10248EBLL-45TLI-TR	4.3887	RFQ	1059	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS62WV10248	sram-非同期	2.2V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		揮発性	8mbit	45 ns	sram	1m x 8	平行	45ns
IS43TR16128AL-125KBL	-	RFQ	4333	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-1201	ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS42S16400D-7TI	-	RFQ	4495	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16400	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	揮発性	64mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 16	平行	-
IS62WV51216EALL-55BLI-TR	5.0696	RFQ	4092	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	48-VFBGA	IS62WV51216	sram-非同期	1.65V〜2.2V	48-VFBGA （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		揮発性	8mbit	55 ns	sram	512K x 16	平行	55ns
IS62WV12816FBLL-45TLI-TR	1.5749	RFQ	4559	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		sram-非同期	2.2V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS62WV12816FBLL-45TLI-TR			1,000		揮発性	2mbit	45 ns	sram	128k x 16	平行	45ns
IS61LV5128AL-10TI	-	RFQ	6195	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS61LV5128	sram-非同期	3.135V〜3.6V	44-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	135		揮発性	4mbit	10 ns	sram	512k x 8	平行	10ns
IS43TR16128C-15HBL	5.5338	RFQ	8707	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	190	667 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS61VPS102418A-200B3	-	RFQ	8171	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-TBGA	IS61VPS102418	sram- sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS42S32200E-7TLI-TR	-	RFQ	5495	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S32200	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,500	143 MHz	揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS61DDP2B21M36A-400M3L	71.5551	RFQ	7798	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	165-lbga	IS61DDP2	sram- ddr iip	1.71V〜1.89V	165-lfbga（15x17）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	105	400 MHz	揮発性	36mbit		sram	1m x 36	平行	-
IS61LV12824-8TQ	-	RFQ	8306	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	100-lqfp	IS61LV12824	sram-非同期	3.135V〜3.6V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72		揮発性	3mbit	8 ns	sram	128k x 24	平行	8ns
IS42S83200D-7TL-TR	-	RFQ	2201	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S83200	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500	143 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	32m x 8	平行	-
IS42S16320D-6TL	12.7725	RFQ	1647	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	新しいデザインではありません	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	IS42S16320	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	揮発性	512mbit	5.4 ns	ドラム	32m x 16	平行	-
IS42S32800G-6BI-TR	-	RFQ	2215	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA	IS42S32800	SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	揮発性	256mbit	5.4 ns	ドラム	8m x 32	平行	-
IS61LPS102418A-200TQLI	-	RFQ	1554	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	100-lqfp	IS61LPS102418	sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	揮発性	18mbit	3.1 ns	sram	1m x 18	平行	-
IS43DR16640C-3DBLI-TR	4.7803	RFQ	4083	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	84-TFBGA	IS43DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	2,500	333 MHz	揮発性	1gbit	450 PS	ドラム	64m x 16	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²