画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS42S16320D-6TL | 12.7725 | ![]() | 1647 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S32800G-6BI-TR | - | ![]() | 2215 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42S32800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS61LPS102418A-200TQLI | - | ![]() | 1554 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LPS102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
IS43DR16640C-3DBLI-TR | 4.7803 | ![]() | 4083 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS49NLS18320-33BLI | - | ![]() | 5863 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLS18320 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 32m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S32200L-5TL-TR | 3.1434 | ![]() | 2080 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 200 MHz | 揮発性 | 64mbit | 4.8 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS43R86400E-6TLI | - | ![]() | 2593 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS43R86400 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
IS61WV12816EDBLL-10TLI | 2.6286 | ![]() | 3632 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS61WV12816 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 2mbit | 10 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | IS61VPD102418A-250B3I | - | ![]() | 8972 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VPD102418 | sram- クアッドポート、同期 | 2.375V〜2.625V | 165-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
![]() | IS42RM32200K-6BLI-TR | - | ![]() | 5181 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42RM32200 | sdram-モバイル | 2.3V〜2.7V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS43R32160D-5BL | - | ![]() | 4370 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-LFBGA | IS43R32160 | SDRAM -DDR | 2.5V〜2.7V | 144-LFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 189 | 200 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS42S16100E-5TL-TR | - | ![]() | 8015 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 200 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS43LR32800F-6BL | - | ![]() | 8143 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-TFBGA | IS43LR32800 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS42S16320D-6TL-TR | 12.1050 | ![]() | 2281 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
IS61C6416AL-12KLI-TR | 2.0882 | ![]() | 1911年年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | IS61C6416 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 44-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 800 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | IS43DR81280B-25DBL-TR | 4.3541 | ![]() | 4558 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43DR81280 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 400 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS46DR81280C-3DBLA1 | - | ![]() | 6845 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 333 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS45S16160G-7BLA1 | 7.1328 | ![]() | 1758 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS45S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 348 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS25CQ032-JBLE-TR | - | ![]() | 2799 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25CQ032 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi | 4ms | |||
![]() | IS43LR32320B-5BL | - | ![]() | 5745 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 90-lfbga | IS43LR32320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-lfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 240 | 200 MHz | 揮発性 | 1gbit | ドラム | 32m x 32 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS43TR81024BL-125KBL-TR | 19.0323 | ![]() | 4487 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (10x14) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43TR81024BL-125KBL-TR | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 8gbit | 20 ns | ドラム | 1g x 8 | 平行 | 15ns | |||||
![]() | IS46TR16256A-15HBLA1 | - | ![]() | 3996 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS61WV102416DALL-12TLI | 11.2746 | ![]() | 9134 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS61WV102416DALL-12TLI | 96 | 揮発性 | 16mbit | 12 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 12ns | ||||||
![]() | IS42S16400F-6TL | - | ![]() | 4547 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS61LV12824-8BL | - | ![]() | 8252 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 119-BGA | IS61LV12824 | sram-非同期 | 3.135V〜3.63V | 119-PBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 揮発性 | 3mbit | 8 ns | sram | 128k x 24 | 平行 | 8ns | |||
![]() | IS21ES08GA-JQLI | 15.8300 | ![]() | 2098 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lbga | IS21ES08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 100-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS21ES08GA-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - | |||
![]() | IS25LQ016-JBLE | - | ![]() | 8526 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | IS25LQ016 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 2ms | |||
IS41LV16100C-50TLI-TR | - | ![]() | 5853 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS41LV16100 | ドラム -江戸 | 3V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 揮発性 | 16mbit | 25 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||||
![]() | IS46TR16128C-125KBLA2-TR | 7.0974 | ![]() | 3169 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS61NLP25618A-200TQLI | 8.3815 | ![]() | 3623 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP25618 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 18 | 平行 | - |
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