- 中国語
- 英語
- フランス語
- ドイツ語
- ポルトガル語
- スペイン語
- ロシア
- 日本語
- 韓国語
- アラビア語
- アイルランド
- ギリシャ語
- トルコ語
- イタリア語
- デンマーク語
- ルーマニア人
- インドネシア語
- チェコ
- アフリカーンス
- スウェーデン語
- 研磨
- バスク
- カタロニア
- エスペラント
- ヒンディー語
- ラオス
- アルバニア語
- アムハラ語
- アルメニア人
- アゼルバイジャン
- ベラルーシ人
- ベンガル語
- ボスニア人
- ブルガリア
- セブアノ
- チチェワ
- コルシカ人
- クロアチア語
- オランダ語
- エストニアン
- フィリピン
- フィンランド語
- フリジアン
- ガリシア語
- ジョージアン
- グジャラート語
- ハイチ人
- ハウサ
- ハワイアン
- ヘブライ語
- hmong
- ハンガリー
- アイスランド語
- イボ
- Javanese
- カンナダ
- カザフ
- クメール
- クルド
- キルギス
- ラテン
- ラトビアン
- リトアニアン
- ルクセンボウ..
- マケドニア語
- マラガシー
- マレー
- マラヤーラム語
- マルタ
- マオリ
- マラーティー
- モンゴル人
- ビルマ
- ネパール
- ノルウェー語
- パシュ
- ペルシャ語
- パンジャブ
- セルビア人
- セソト
- シンハラ
- スロバキア
- スロベニア人
- ソマリア
- サモアン
- スコットランドゲール語
- ショナ
- シンディ
- スンダネーゼ
- スワヒリ
- タジク
- タミル語
- テルグ語
- タイ
- ウクライナ人
- ウルドゥー語
- ウズベック
- ベトナム人
- ウェールズ
- xhosa
- イディッシュ語
- ヨルバ
- ズールー
- キニャルワンダ
- タタール
- オリヤ
- タークメン
- uyghur
ICS ）（5782）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS43DR16640B-25EBLI-TR | - |  | 3365 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA （8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS45S16100C1-7TLA1 | - | | 2089 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） | IS45S16100 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 143 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5.5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS41LV16100B-50KLI-TR | - | | 4324 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 42-BSOJ （0.400 "、幅 10.16mm） | IS41LV16100 | ドラム -江戸 | 3V〜3.6V | 42-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 揮発性 | 16mbit | 25 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | |||
 | IS43LQ16128A-062TBLI | 13.7700 | | 136 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | IS43LQ16128 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43LQ16128A-062TBLI | ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | LVSTL | - | ||
 | IS43TR16640BL-125JBL | - | | 1823年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜95°C （TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
 | IS61NLP25636B-200TQLI-TR | 11.4000 | | 4207 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP25636 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp（14x20） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 揮発性 | 9mbit | 3.1 ns | sram | 256k x 36 | 平行 | - | ||
 | IS49NLS96400-25BL | - | | 8691 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLS96400 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 64m x 9 | 平行 | - | ||
 | IS42S16400J-6BL-TR | 1.6875 | | 7569 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
 | IS25LE01G-RILE-TR | 11.3848 | | 2500 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-lbga | フラッシュ - （slc） | 2.3V〜3.6V | 24-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS25LE01G-RILE-TR | 2,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 8 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1ms | |||||
 | IS61VPS102418A-200B3-TR | - | | 7989 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VPS102418 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3.1 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | ||
| IS22TF128G-JQLA1-TR | 74.4800 | | 6033 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 100-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS22TF128G-JQLA1-TR | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
| IS49NLS18320A-25EWBLI | 54.4856 | | 1222 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-TWBGA （11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS49NLS18320A-25EWBLI | 104 | 400 MHz | 揮発性 | 576mbit | 15 ns | ドラム | 32m x 18 | HSTL | - | ||||
 | IS61WV51216EDALL-20TLI | 12.2476 | | 6509 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS61WV51216 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 8mbit | 20 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 20ns | |||
 | IS21TF08G-JQLI-TR | - | | 5695 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 100-lbga | IS21TF08G | フラッシュ-Nand （TLC） | 2.7V〜3.6V | 100-lfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS21TF08G-JQLI-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | MMC | - | ||
 | IS42RM32160C-75BL | - | | 8288 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 90-lfbga | IS42RM32160 | sdram-モバイル | 2.3V〜3V | 90-WBGA （8x13） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
| IS43LD32128C-25BPLI-TR | - | | 1550 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128C-25BPLI-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | ||||||||||||||||
 | IS43LR16320C-6BL-TR | 5.9250 | | 3402 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| IS43TR16256AL-15HBLI | - | | 5204 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C（TC） | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA （9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
| IS61VPS51236B-200B3LI-TR | 15.6750 | | 6367 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61VPS51236 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
 | IS46LD32128B-25BPLA2-TR | - | | 6181 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 168-VFBGA | IS46LD32128 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 168-VFBGA（12x12） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 706-IS46LD32128B-25BPLA2-TR | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
 | IS25WQ020-JULE-TR | - | | 4204 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | IS25WQ020 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | リクエストに応じて利用可能な情報にアクセスしてください | 2156-IS25WQ020-JULE-TR | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 1ms | ||
 | IS21ES08GA-JCLI-TR | 17.4700 | | 721 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | IS21ES08 | フラッシュ-nand （mlc） | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA （11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - | ||||
| IS61LV25616AL-10TLI | 4.7200 | | 1 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS61LV25616 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | |||
| IS62WV10248HBLL-45B2LI-TR | 3.8489 | | 6183 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA （6x8） | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS62WV10248HBLL-45B2LI-TR | 2,500 | 揮発性 | 8mbit | 45 ns | sram | 1m x 8 | 平行 | 45ns | ||||||
 | IS62WVS0648FBLL-20NLI | 2.2660 | | 1924年年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | IS62WVS0648 | sram- sdr | 2.2V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 100 | 20 MHz | 揮発性 | 512kbit | sram | 64k x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| IS46LQ32128A-062TBLA2-TR | - | | 7573 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C （TC） | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA （10x14.5） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 706-IS46LQ32128A-062TBLA2-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | 18ns | |||||
| IS61LPS12836EC-200B3LI-TR | 7.3500 | | 3928 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LPS12836 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
 | IS61DDB22M18-250M3 | - | | 6872 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | 0°C〜70°C（Ta） | 表面マウント | 165-lbga | IS61DDB22 | sram- ddr ii | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga（13x15） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | sram | 2m x 18 | 平行 | - | |||
 | IS62WV102416EBLL-45BLI-TR | 7.6151 | | 3860 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | IS62WV102416 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-VFBGA （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 16mbit | 45 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 45ns | |||
 | IS42S81600F-6TLI-TR | 2.6967 | | 8511 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） | IS42S81600 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 8 | 平行 | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
ウィッシュリスト（0アイテム）