RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

ICS ）（5782）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	アプリケーション	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	タイプ	基本製品番号	頻度	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	現在 -出力 /チャネル	クロック周波数	出力数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	内部スイッチ	トポロジー	電圧 -供給（最大）	調光	電圧 -供給（最小）	電圧 -出力
IS49RL36160-125BL	-	RFQ	1874年年	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	168-lbga		IS49RL36160		ドラム	1.28V〜1.42V	168-FBGA（13.5x13.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	119		800 MHz		揮発性	576mbit	12 ns	ドラム	16m x 36	平行	-
IS46TR16128AL-15HBLA1	-	RFQ	7299	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）		表面マウント	96-TFBGA		IS46TR16128		SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	190		667 MHz		揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
IS25WP064A-RMLE-TR	1.4977	RFQ	7719	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）		IS25WP064		フラッシュ -	1.65V〜1.95V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		133 MHz		不揮発性	64mbit	7 ns	フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o	800µs
IS64LF12836A-7.5B3LA3	12.7248	RFQ	5432	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ		表面マウント	165-TBGA		IS64LF12836		sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144		117 MHz		揮発性	4.5mbit	7.5 ns	sram	128k x 36	平行	-
IS61LF51236B-7.5B3I	-	RFQ	4353	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	165-TBGA		IS61LF51236		sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS61LF51236B-7.5B3I	廃止		144		117 MHz		揮発性	18mbit	7.5 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS32BL3554-ZLA3-TR	-	RFQ	3212	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜125°C（タタ	自動車、バックライト	表面マウント	16-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm ）露出したパッド	DC DCコントローラー	IS32BL3554	100kHz〜1MHz			16-etsop	ダウンロード	ROHS3準拠	1 （無制限）	影響を受けていない		ear99	8542.39.0001	2,500	180ma		4								いいえ	ステップアップ（ブースト）	33V	PWM	4.5V	50V
IS45S32200E-6BLA1-TR	-	RFQ	9179	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	90-TFBGA		IS45S32200		SDRAM	3V〜3.6V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500		166 MHz		揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS42S16100E-7BLI-TR	-	RFQ	4948	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	60-TFBGA		IS42S16100		SDRAM	3V〜3.6V	60-TFBGA （6.4x10.1	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	2,500		143 MHz		揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS49NLC18320-25BL	-	RFQ	4531	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	144-TFBGA		IS49NLC18320		rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	104		400 MHz		揮発性	576mbit	20 ns	ドラム	32m x 18	平行	-
IS46TR16640B-107MBLA2	-	RFQ	9474	ISSI、統合Silicon Solution Inc	aec-q100	トレイ	廃止	-40°C〜105°C （TC）		表面マウント	96-TFBGA		IS46TR16640		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46TR16640B-107MBLA2	ear99	8542.32.0032	190		933 MHz		揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
IS42S16100H-6TL-TR	1.0897	RFQ	4391	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）		IS42S16100		SDRAM	3V〜3.6V	50-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0002	1,000		166 MHz		揮発性	16mbit	5.5 ns	ドラム	1m x 16	平行	-
IS43QR85120B-075UBL	10.1363	RFQ	4346	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）		表面マウント	78-TFBGA				SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	78-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43QR85120B-075UBL			136		1.333 GHz		揮発性	4gbit	19 ns	ドラム	512m x 8	ポッド	15ns
IS61NLF51236B-6.5TQLI-TR	13.2194	RFQ	3584	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	100-lqfp				sram- zbt	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS61NLF51236B-6.5TQLI-TR			800		133 MHz		揮発性	18mbit	6.5 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS25LP010E-JYLE-TR	0.3100	RFQ	5802	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	8-ufdfn露出パッド		IS25LP010		フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8-USON	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25LP010E-JYLE-TR	ear99	8542.32.0071	5,000		104 MHz		不揮発性	1mbit	8 ns	フラッシュ	128k x 8	spi -quad i/o	1.2ms
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI	4.6313	RFQ	1320	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）		表面マウント	54-VFBGA		IS66WVC4M16		psram（pseudo sram	1.7V〜1.95V	54-VFBGA （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	480				揮発性	64mbit	70 ns	psram	4m x 16	平行	70ns
IS61NLF51218A-7.5B3I	-	RFQ	6440	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	165-TBGA		IS61NLF51218		sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144		117 MHz		揮発性	9mbit	7.5 ns	sram	512K x 18	平行	-
IS61WV5128FBLL-10BLI	3.1286	RFQ	7937	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	36-tfbga				sram-非同期	2.4V〜3.6V	36-tfbga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS61WV5128FBLL-10BLI			480				揮発性	4mbit	10 ns	sram	512k x 8	平行	10ns
IS61Lv6416-10bi	-	RFQ	3715	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	48-TFBGA		IS61Lv6416		sram-非同期	3.135V〜3.63V	48-TFBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS61LV6416-10BI	廃止		480				揮発性	1mbit	10 ns	sram	64k x 16	平行	10ns
IS46TR16256AL-125KBLA1-TR	-	RFQ	5559	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）		表面マウント	96-TFBGA		IS46TR16256		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA （9x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	1,500		800 MHz		揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	256m x 16	平行	15ns
IS46DR16320D-3DBA2	-	RFQ	8261	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	84-TFBGA		IS46DR16320		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS46DR16320D-3DBA2	廃止		209		333 MHz		揮発性	512mbit	450 PS	ドラム	32m x 16	平行	15ns
IS61WV102416ALL-20MI	-	RFQ	6995	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	48-TFBGA		IS61WV102416		sram-非同期	1.65V〜2.2V	48-minibga	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	220				揮発性	16mbit	20 ns	sram	1m x 16	平行	20ns
IS42RM32100D-6BLI	2.5829	RFQ	9451	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	90-TFBGA		IS42RM32100		sdram-モバイル	2.3V〜2.7V	90-TFBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	348		166 MHz		揮発性	32mbit	5.5 ns	ドラム	1M x 32	平行	-
IS42S32200C1-7TLI-TR	-	RFQ	9249	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS42S32200		SDRAM	3.15V〜3.45V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,500		143 MHz		揮発性	64mbit	5.5 ns	ドラム	2m x 32	平行	-
IS61LPS12836EC-200TLI	7.5262	RFQ	1726	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	100-lqfp		IS61LPS12836		sram- sdr	3.135V〜3.465V	100-lqfp（14x20）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	72		200 MHz		揮発性	4.5mbit	3.1 ns	sram	128k x 36	平行	-
IS43TR16512AL-125KBL-TR	-	RFQ	3915	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC		表面マウント	96-LFBGA		IS43TR16512		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-lfbga （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0036	2,000		800 MHz		揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns
IS25WP064A-RMLE-TY	1.5641	RFQ	5600	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）		表面マウント	16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm）				フラッシュ -	1.65V〜1.95V	16-SOIC	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない	706-IS25WP064A-RMLE-TY			176		133 MHz		不揮発性	64mbit	7 ns	フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o	40µs 、800µs
IS42S83200D-75ETLI-TR	-	RFQ	2041	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		IS42S83200		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,500		133 MHz		揮発性	256mbit	5.5 ns	ドラム	32m x 8	平行	-
IS61LPD51236A-250B3I	-	RFQ	1361	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ		表面マウント	165-TBGA		IS61LPD51236		sram- クアッドポート、同期	3.135V〜3.465V	165-PBGA	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144		250 MHz		揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS61NLP51236-250B3	-	RFQ	8880	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	トレイ	廃止	0°C〜70°C（Ta）		表面マウント	165-TBGA		IS61NLP51236		sram- sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B2A	8542.32.0041	144		250 MHz		揮発性	18mbit	2.6 ns	sram	512K x 36	平行	-
IS43QR81024A-083TBL	17.6469	RFQ	1524	ISSI、統合Silicon Solution Inc	-	バルク	アクティブ	0°C〜95°C （TC		表面マウント	78-TFBGA				SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	78-TWBGA （10x14）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		706-IS43QR81024A-083TBL			136		1.2 GHz		揮発性	8gbit	18 ns	ドラム	1g x 8	平行	15ns

2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m²
在庫倉庫

ICS ）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²