画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ | sicプログラム可能 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS45S32800D-6BLA1 | - | ![]() | 3065 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS45S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - | |||
![]() | IS61DDPB251236A-400M3L | 44.1540 | ![]() | 9754 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61DDPB251236 | sram- ddr iip | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 105 | 400 MHz | 揮発性 | 18mbit | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||||
![]() | IS61NLF102418B-7.5TQLI | 17.2425 | ![]() | 9394 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLF102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | IS42S32200L-7Tli | 3.9736 | ![]() | 6269 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | IS25LP512MG-RMLI | - | ![]() | 4877 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | IS25LP512 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 16-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LP512MG-RMLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 2ms | ||
![]() | IS49NLS96400-33BL | - | ![]() | 7435 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 144-TFBGA | IS49NLS96400 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 300 MHz | 揮発性 | 576mbit | 20 ns | ドラム | 64m x 9 | 平行 | - | |||
![]() | IS43TR16128D-125KBLI | 6.2000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1721 | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS25LQ020B-JNLE-TR | - | ![]() | 6190 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS25LQ020 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||
![]() | IS43LR32160B-6BLI | - | ![]() | 7927 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS43LR32160 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 12ns | |||
![]() | IS42S83200J-7BLI-TR | - | ![]() | 1992年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S83200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - | |||
![]() | IS61LF51236A-7.5TQLI-TR | - | ![]() | 5820 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 揮発性 | 18mbit | 7.5 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS61LPS12836EC-200B3I | - | ![]() | 5766 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61LPS12836 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS61LPS12836EC-200B3I | 廃止 | 144 | 200 MHz | 揮発性 | 4mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | |||
![]() | IS25LP016D-JNLA3 | 1.2600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS25LP016 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LP016D-JNLA3 | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | |||
![]() | IS25LP032D-JLLE-TR | 1.0003 | ![]() | 9105 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25LP032 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||
IS62WV12816EBLL-45TLI-TR | 1.6819 | ![]() | 6173 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS62WV12816 | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 2mbit | 45 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 45ns | |||||
![]() | IS37SML01G1-MLI | - | ![]() | 8774 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | IS37SML01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 8 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi | - | |||
![]() | IS43R16160F-6TLI | 3.5400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS43R16160 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS61NLP102418-250B3 | - | ![]() | 5964 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLP102418 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 揮発性 | 18mbit | 2.6 ns | sram | 1m x 18 | 平行 | - | |||
![]() | IS42S32200C1-55T | - | ![]() | 2692 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S32200 | SDRAM | 3.15V〜3.45V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 183 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5 ns | ドラム | 2m x 32 | 平行 | - | |||
![]() | IS29LV032T-70TLI | - | ![]() | 8420 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS29LV032T | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1352 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | IS43TR16256B-125KBLI | 10.7100 | ![]() | 789 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1728 | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS25LQ010B-JKLE-TR | - | ![]() | 1591 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25LQ010 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,500 | 104 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||
![]() | IS66WVS2M8ALL-104NLI | 3.3300 | ![]() | 57 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS66WVS2M8 | psram(pseudo sram | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS66WVS2M8ALL-104NLI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 100 | 104 MHz | 揮発性 | 16mbit | 7 ns | psram | 2m x 8 | spi、qpi | - | ||
![]() | IS62WV5128EALL-55T2LI-TR | - | ![]() | 6075 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) | IS62WV5128 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 32-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 4mbit | 55 ns | sram | 512k x 8 | 平行 | 55ns | 確認されていません | |||
![]() | IS25WP128-RHLE | 3.1100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | IS25WP128 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||
![]() | IS22ES08G-JCLA1 | - | ![]() | 5606 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 153-VFBGA | IS22ES08 | フラッシュ-nand (mlc) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA (11.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS22ES08G-JCLA1 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | 不揮発性 | 64gbit | フラッシュ | 8g x 8 | EMMC | - | |||
IS43LR16800G-6BLI-TR | 4.0344 | ![]() | 6853 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS43LR16800 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | ||||
![]() | IS25WP256D-JMLE-TR | 3.8581 | ![]() | 2100 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | IS25WP256 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||
![]() | IS25WP040E-JYLA3-TR | 0.4703 | ![]() | 3106 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | * | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25WP040E-JYLA3-TR | 5,000 | ||||||||||||||||||||
IS46DR16320E-3DBLA2-TR | 5.1762 | ![]() | 2021 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 84-TFBGA | IS46DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 333 MHz | 揮発性 | 512mbit | 450 PS | ドラム | 32m x 16 | 平行 | 15ns |
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