画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS46R16160D-5TLA1 | 6.4828 | ![]() | 8963 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS46R16160 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 700 ps | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR | 4.2627 | ![]() | 2290 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | IS61WV2568 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 36-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 2mbit | 10 ns | sram | 256k x 8 | 平行 | 10ns | |||
![]() | IS62WV6416FBLL-45BLI | 2.2325 | ![]() | 1171 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | sram-非同期 | 2.2V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS62WV6416FBLL-45BLI | 480 | 揮発性 | 1mbit | 45 ns | sram | 64k x 16 | 平行 | 45ns | ||||||
![]() | IS42S16400F-5TL-TR | - | ![]() | 5953 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 200 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS61QDPB42M36A-500B4LI | 117.1779 | ![]() | 1507 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDPB42 | sram- quadp | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 500 MHz | 揮発性 | 72mbit | 8.4 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S83200G-7BLI | 7.7798 | ![]() | 2774 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S83200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 348 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S16160G-7Tli | 9.2400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S16160 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-1267 | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 16m x 16 | 平行 | - | |
![]() | IS61NLP12832A-200TLI | 8.3815 | ![]() | 7411 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NLP12832 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 揮発性 | 4.5mbit | 3.1 ns | sram | 128k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS42RM32400G-75BI-TR | - | ![]() | 8043 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42RM32400 | sdram-モバイル | 2.3V〜2.7V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 6 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS25WP128F-JKLE | 2.2105 | ![]() | 4427 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | IS25WP128 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | |||
![]() | IS43TR16640B-15GBL-TR | - | ![]() | 8946 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS45S16800F-7BLA2 | 6.2039 | ![]() | 1073 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS45S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5.4 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS61NVF25672-6.5B1I-TR | - | ![]() | 6845 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 209-BGA | IS61NVF25672 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 209-LFBGA(14x22) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | 揮発性 | 18mbit | 6.5 ns | sram | 256k x 72 | 平行 | - | ||
![]() | IS49RL18640-093EBL | 117.8521 | ![]() | 5470 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 168-lbga | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA(13.5x13.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS49RL18640-093EBL | 119 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1.152gbit | 8 ns | ドラム | 64m x 18 | 平行 | - | ||||
![]() | IS61LF6436A-8.5TQI | - | ![]() | 2740 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61LF6436 | sram- sdr | 3.135V〜3.6V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 90 MHz | 揮発性 | 2mbit | 8.5 ns | sram | 64k x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS61WV51216EDBLL-8BLI | 10.3523 | ![]() | 1294 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61WV51216 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 8mbit | 8 ns | sram | 512K x 16 | 平行 | 8ns | |||
![]() | IS61QDB41M36C-250M3 | - | ![]() | 6002 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDB41 | sram- 同期、クワッド | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 揮発性 | 36mbit | 8.4 ns | sram | 1m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS43LD32128B-18BPL | - | ![]() | 4109 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 168-VFBGA | IS43LD32128 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 168-VFBGA(12x12) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43LD32128B-18BPL | ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | 揮発性 | 4gbit | 5.5 ns | ドラム | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR | - | ![]() | 4557 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS66WVE2M16 | psram(pseudo sram | 2.7V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 32mbit | 55 ns | psram | 2m x 16 | 平行 | 55ns | |||
![]() | IS25LP128F-RMLA3 | - | ![]() | 5934 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | IS25LP128 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS25LP128F-RMLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 166 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||
IS61LV12816L-10TI-TR | 4.4988 | ![]() | 6384 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS61LV12816 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 揮発性 | 2mbit | 10 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 10ns | ||||
![]() | IS43TR85120A-15HBLI-TR | 13.1431 | ![]() | 7953 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA (9x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 667 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS25LQ080-JVLE-TR | - | ![]() | 7834 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | IS25LQ080 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-VVSOP | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,500 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 1ms | |||
![]() | IS61NVP204836B-166TQLI | - | ![]() | 4510 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 100-lqfp | IS61NVP204836 | sram- sdr | 2.375V〜2.625V | 100-lqfp(14x20) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | 揮発性 | 72mbit | 3.8 ns | sram | 2m x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS43TR16256AL-107MBLI-TR | - | ![]() | 2040 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS25LP256E-RMLE-TR | 3.6559 | ![]() | 9412 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25LP256E-RMLE-TR | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1ms | ||||||
IS63LV1024L-12BI | - | ![]() | 7037 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | IS63LV1024 | sram-非同期 | 3.15V〜3.45V | 36-minibga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 220 | 揮発性 | 1mbit | 12 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 12ns | ||||
![]() | IS43LQ32128AL-062TBLI | 13.0470 | ![]() | 3660 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-TFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS43LQ32128AL-062TBLI | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | ドラム | 128m x 32 | LVSTL | - | ||||||
![]() | IS42SM32400G-75BI-TR | - | ![]() | 2326 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42SM32400 | sdram-モバイル | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 6 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS46TR16640B-15GBLA2-TR | - | ![]() | 1919年年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns |
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