SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
IS46R16160D-5TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-5TLA1 6.4828
RFQ
ECAD 8963 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS46R16160 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 108 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 16m x 16 平行 15ns
IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV2568EDBLL-10BLI-TR 4.2627
RFQ
ECAD 2290 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 36-tfbga IS61WV2568 sram-非同期 2.4V〜3.6V 36-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 2mbit 10 ns sram 256k x 8 平行 10ns
IS62WV6416FBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416FBLL-45BLI 2.2325
RFQ
ECAD 1171 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA sram-非同期 2.2V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS62WV6416FBLL-45BLI 480 揮発性 1mbit 45 ns sram 64k x 16 平行 45ns
IS42S16400F-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-5TL-TR -
RFQ
ECAD 5953 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16400 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,500 200 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 4m x 16 平行 -
IS61QDPB42M36A-500B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A-500B4LI 117.1779
RFQ
ECAD 1507 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 165-lbga IS61QDPB42 sram- quadp 1.71V〜1.89V 165-lfbga(13x15) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 500 MHz 揮発性 72mbit 8.4 ns sram 2m x 36 平行 -
IS42S83200G-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-7BLI 7.7798
RFQ
ECAD 2774 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TFBGA IS42S83200 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 348 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 -
IS42S16160G-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7Tli 9.2400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS42S16160 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-1267 ear99 8542.32.0024 108 143 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 16m x 16 平行 -
IS61NLP12832A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12832A-200TLI 8.3815
RFQ
ECAD 7411 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IS61NLP12832 sram- sdr 3.135V〜3.465V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 揮発性 4.5mbit 3.1 ns sram 128k x 36 平行 -
IS42RM32400G-75BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400G-75BI-TR -
RFQ
ECAD 8043 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42RM32400 sdram-モバイル 2.3V〜2.7V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 揮発性 128mbit 6 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS25WP128F-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-JKLE 2.2105
RFQ
ECAD 4427 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド IS25WP128 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wson (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 570 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS43TR16640B-15GBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-15GBL-TR -
RFQ
ECAD 8946 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,500 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
IS45S16800F-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-7BLA2 6.2039
RFQ
ECAD 1073 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 54-TFBGA IS45S16800 SDRAM 3V〜3.6V 54-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 348 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 -
IS61NVF25672-6.5B1I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-6.5B1I-TR -
RFQ
ECAD 6845 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 209-BGA IS61NVF25672 sram- sdr 2.375V〜2.625V 209-LFBGA(14x22) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 133 MHz 揮発性 18mbit 6.5 ns sram 256k x 72 平行 -
IS49RL18640-093EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18640-093EBL 117.8521
RFQ
ECAD 5470 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 168-lbga rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA(13.5x13.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS49RL18640-093EBL 119 1.066 GHz 揮発性 1.152gbit 8 ns ドラム 64m x 18 平行 -
IS61LF6436A-8.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF6436A-8.5TQI -
RFQ
ECAD 2740 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IS61LF6436 sram- sdr 3.135V〜3.6V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 90 MHz 揮発性 2mbit 8.5 ns sram 64k x 36 平行 -
IS61WV51216EDBLL-8BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDBLL-8BLI 10.3523
RFQ
ECAD 1294 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS61WV51216 sram-非同期 2.4V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 8mbit 8 ns sram 512K x 16 平行 8ns
IS61QDB41M36C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB41M36C-250M3 -
RFQ
ECAD 6002 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 165-lbga IS61QDB41 sram- 同期、クワッド 1.71V〜1.89V 165-lfbga(15x17) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 揮発性 36mbit 8.4 ns sram 1m x 36 平行 -
IS43LD32128B-18BPL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128B-18BPL -
RFQ
ECAD 4109 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 トレイ アクティブ 0°C〜85°C (TC) 表面マウント 168-VFBGA IS43LD32128 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-VFBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS43LD32128B-18BPL ear99 8542.32.0036 1 533 MHz 揮発性 4gbit 5.5 ns ドラム 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16EBLL-55BLI-TR -
RFQ
ECAD 4557 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFBGA IS66WVE2M16 psram(pseudo sram 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 揮発性 32mbit 55 ns psram 2m x 16 平行 55ns
IS25LP128F-RMLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-RMLA3 -
RFQ
ECAD 5934 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 チューブ 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) IS25LP128 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 706-IS25LP128F-RMLA3 3A991B1A 8542.32.0071 44 166 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 800µs
IS61LV12816L-10TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10TI-TR 4.4988
RFQ
ECAD 6384 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) IS61LV12816 sram-非同期 3.135V〜3.6V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 2mbit 10 ns sram 128k x 16 平行 10ns
IS43TR85120A-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-15HBLI-TR 13.1431
RFQ
ECAD 7953 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
IS25LQ080-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080-JVLE-TR -
RFQ
ECAD 7834 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) IS25LQ080 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VVSOP - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,500 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 1ms
IS61NVP204836B-166TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP204836B-166TQLI -
RFQ
ECAD 4510 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 100-lqfp IS61NVP204836 sram- sdr 2.375V〜2.625V 100-lqfp(14x20) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 MHz 揮発性 72mbit 3.8 ns sram 2m x 36 平行 -
IS43TR16256AL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-107MBLI-TR -
RFQ
ECAD 2040 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,500 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
IS25LP256E-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256E-RMLE-TR 3.6559
RFQ
ECAD 9412 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) フラッシュ - (slc) 2.3V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS25LP256E-RMLE-TR 1,000 166 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 50µs、1ms
IS63LV1024L-12BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12BI -
RFQ
ECAD 7037 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 36-tfbga IS63LV1024 sram-非同期 3.15V〜3.45V 36-minibga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 220 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
IS43LQ32128AL-062TBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32128AL-062TBLI 13.0470
RFQ
ECAD 3660 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - バルク アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 200-TFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-TFBGA (10x14.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 706-IS43LQ32128AL-062TBLI 136 1.6 GHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 LVSTL -
IS42SM32400G-75BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32400G-75BI-TR -
RFQ
ECAD 2326 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA IS42SM32400 sdram-モバイル 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 揮発性 128mbit 6 ns ドラム 4m x 32 平行 -
IS46TR16640B-15GBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-15GBLA2-TR -
RFQ
ECAD 1919年年 0.00000000 ISSI、統合Silicon Solution Inc - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA (9x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,500 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
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