画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS62WV1288DALL-55BLI | - | ![]() | 9485 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | IS62WV1288 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 36-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 1 | 揮発性 | 1mbit | 55 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 55ns | |||
![]() | IS39lv512-70vce | - | ![]() | 6719 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 32-TFSOP (0.488 "、幅 12.40mm) | IS39LV512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 32-VSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 208 | 不揮発性 | 512kbit | 70 ns | フラッシュ | 64k x 8 | 平行 | 70ns | |||
![]() | IS61NLP51236B-200B3LI-TR | 14.6300 | ![]() | 3640 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 165-TBGA | IS61NLP51236 | sram- sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 18mbit | 3 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S16400J-6BL | 1.8423 | ![]() | 4712 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S16800D-75EBLI | - | ![]() | 6633 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-VFBGA | IS42S16800 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-minibga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | 揮発性 | 128mbit | 6.5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | ||
IS43DR16640B-25EBLI | - | ![]() | 8638 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 209 | 400 MHz | 揮発性 | 1gbit | 450 PS | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | IS25LP256D-JHLE | 3.8129 | ![]() | 2456 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | バルク | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 2.3V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25LP256D-JHLE | 480 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 40µs 、800µs | ||||||
![]() | IS25WP256E-RHLA3 | 5.1670 | ![]() | 4208 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25WP256E-RHLA3 | 480 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1ms | |||||
![]() | IS41LV16105C-50KLI-TR | - | ![]() | 6992 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 42-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) | IS41LV16105 | DRAM -FP | 3V〜3.6V | 42-SOJ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 揮発性 | 16mbit | 25 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | IS45S16320F-6TLA1-TR | 12.6150 | ![]() | 8534 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16320 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 167 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS62C1024AL-35QLI | 3.8200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 32-SOIC (0.445 "、幅11.30mm) | IS62C1024 | sram-非同期 | 4.5v〜5.5V | 32ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 84 | 揮発性 | 1mbit | 35 ns | sram | 128k x 8 | 平行 | 35ns | |||
![]() | IS61QDPB251236A-333M3L | 44.1540 | ![]() | 3539 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 165-lbga | IS61QDPB251236 | sram- quadp | 1.71V〜1.89V | 165-lfbga(15x17) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | 揮発性 | 18mbit | 8.4 ns | sram | 512K x 36 | 平行 | - | ||
![]() | IS42S83200D-6TL | - | ![]() | 5030 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS42S83200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | IS61WV102416EDBLL-10T2LI | 12.4385 | ![]() | 4609 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS61WV102416 | sram-非同期 | 2.4V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | 揮発性 | 16mbit | 10 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 10ns | |||
![]() | IS46R86400D-6BLA1 | 9.9837 | ![]() | 8637 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 60-TFBGA | IS46R86400 | SDRAM -DDR | 2.3V〜2.7V | 60-tfbga (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 190 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 700 ps | ドラム | 64m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS62WV102416BLL-25MI | - | ![]() | 5852 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS62WV102416 | sram-非同期 | 1.65v〜3.6V | 48-minibga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 220 | 揮発性 | 16mbit | 25 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 25ns | |||
![]() | IS45S16400J-7TLA1-TR | 3.2592 | ![]() | 7718 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S16400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5.4 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | IS46TR16128B-15HBLA2-TR | - | ![]() | 3140 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | IS43TR16640C-125JBL | 3.9500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | IS43TR16640 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 706-IS43TR16640C-125JBL | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
![]() | IS61WV102416ALL-20TLI | 21.6012 | ![]() | 7595 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | IS61WV102416 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 96 | 揮発性 | 16mbit | 20 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 20ns | |||
![]() | IS45S32800D-6TLA1-TR | - | ![]() | 1983年年 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS45S32400 | SDRAM | 3V〜3.6V | 86-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 166 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - | ||
IS62WV12816EALL-55TLI | 2.7996 | ![]() | 9811 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | IS62WV12816 | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 揮発性 | 2mbit | 45 ns | sram | 128k x 16 | 平行 | 45ns | ||||
![]() | IS46LQ16256AL-062BLA1 | - | ![]() | 4251 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | バルク | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-VFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS46LQ16256AL-062BLA1 | 136 | 1.6 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 256m x 16 | LVSTL | 18ns | |||||
![]() | IS62WV102416Fall-55bli-tr | 7.5411 | ![]() | 9908 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | sram-非同期 | 1.65V〜2.2V | 48-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS62WV102416fall-55bli-tr | 2,500 | 揮発性 | 16mbit | 55 ns | sram | 1m x 16 | 平行 | 55ns | ||||||
![]() | IS61LV256AL-10TLI | 1.5200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) | IS61LV256 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 28-tsop i | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 揮発性 | 256kbit | 10 ns | sram | 32k x 8 | 平行 | 10ns | |||
![]() | IS42VM32160E-75BLI-TR | 8.9400 | ![]() | 9513 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | IS42VM32160 | sdram-モバイル | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 133 MHz | 揮発性 | 512mbit | 6 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | IS61LV25616AL-10BLI-TR | 3.7646 | ![]() | 3189 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFBGA | IS61LV25616 | sram-非同期 | 3.135V〜3.6V | 48-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 揮発性 | 4mbit | 10 ns | sram | 256k x 16 | 平行 | 10ns | |||
IS62WV2568BLL-70BI | - | ![]() | 2582 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 36-tfbga | IS62WV2568 | sram-非同期 | 2.5V〜3.6V | 36-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 揮発性 | 2mbit | 70 ns | sram | 256k x 8 | 平行 | 70ns | ||||
![]() | IS42S83200G-7BLI-TR | 7.2000 | ![]() | 6990 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TFBGA | IS42S83200 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 143 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.4 ns | ドラム | 32m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | IS25WP256E-RMLE-TR | 4.0063 | ![]() | 9019 | 0.00000000 | ISSI、統合Silicon Solution Inc | aec-q100 | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 1.7V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 706-IS25WP256E-RMLE-TR | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、1ms |
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