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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ メモリタイプ メモリサイズ メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
SM671PXFLBFSS Silicon Motion, Inc. SM671PXFLBFSS 137.6000
RFQ
ECAD 4471 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-SM671PXFLBFSS 1
SM668PE8-ACS Silicon Motion, Inc. SM668PE8-ACS -
RFQ
ECAD 8477 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® バルク 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM668 フラッシュ-nand(slc) - 153-BGA (11.5x13 - ROHS3準拠 1984-SM668PE8-ACS 廃止 1 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 EMMC -
SM671PXF-BFSS Silicon Motion, Inc. SM671PXF-BFSS 166.7500
RFQ
ECAD 6719 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ バルク アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 153-TBGA フラッシュ-nand(slc) - 153-BGA (11.5x13 ダウンロード 1984-SM671PXF-BFSS 1 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 EMMC -
SM662PAA-BESS Silicon Motion, Inc. SM662PAAベス -
RFQ
ECAD 7888 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 100-BGA(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-SM662PAA-BESS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 40gbit フラッシュ 5g x 8 EMMC -
SM662GEC BFST Silicon Motion, Inc. SM662GEC BFST 26.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC -
SM671PBB-ADST Silicon Motion, Inc. SM671PBB-ADST -
RFQ
ECAD 6912 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM671 フラッシュ-Nand (TLC) - 153-BGA (11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM671PBB-ADST 廃止 1 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 UFS2.1 -
SM668PEA-AC Silicon Motion, Inc. SM668PEA-AC -
RFQ
ECAD 6451 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - トレイ 廃止 SM668 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8523.51.0000 1
SM671PXA-ADSS Silicon Motion, Inc. SM671PXA-ADSS -
RFQ
ECAD 1609 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM671 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 153-BGA (11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM671PXA-ADSS 廃止 1 不揮発性 40gbit フラッシュ 5g x 8 UFS2.1 -
SM671PXB-ADSS Silicon Motion, Inc. SM671PXB-ADSS -
RFQ
ECAD 6383 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM671 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 153-BGA (11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM671PXB-ADSS 廃止 1 不揮発性 80gbit フラッシュ 10g x 8 UFS2.1 -
SM662GEF BFST Silicon Motion, Inc. SM662GEF BFST 178.9800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM662GEFBFST 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
SM671PACLBFST Silicon Motion, Inc. SM671PACLBFST 29.8200
RFQ
ECAD 5182 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-SM671PACLBFST 1
SM662GBB-BEST Silicon Motion, Inc. SM662GBBベスト 20.5200
RFQ
ECAD 1814年年 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-Nand (TLC) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-SM662GBB-BEST 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 EMMC -
MD619GXELEG3T Silicon Motion, Inc. MD619GXELEG3T 66.8400
RFQ
ECAD 1471 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-MD619GXELEG3T 1
SM671PBF-BFSS Silicon Motion, Inc. SM671PBF-BFSS 178.7100
RFQ
ECAD 5497 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ バルク アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 153-TBGA フラッシュ-nand(slc) - 153-BGA (11.5x13 ダウンロード 1984-SM671PBF-BFSS 1 不揮発性 4tbit フラッシュ 512g x 8 EMMC -
SM671PXC-BFST Silicon Motion, Inc. SM671PXC-BFST 28.3000
RFQ
ECAD 5612 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ バルク アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 153-TBGA フラッシュ-Nand (TLC) - 153-BGA (11.5x13 ダウンロード 1984-SM671PXC-BFST 1 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 UFS2.1 -
SM671PXDLBFSS Silicon Motion, Inc. SM671PXDLBFSS 46.1000
RFQ
ECAD 4711 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-SM671PXDLBFSS 1
SM662GAD-BESS Silicon Motion, Inc. SM662GADベス 54.3700
RFQ
ECAD 2635 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-sm662gad-bess 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 320GBIT フラッシュ 40g x 8 EMMC -
SM662GBB-BDSS Silicon Motion, Inc. SM662GBB-BDSS -
RFQ
ECAD 1067 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 153-BGA (11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM662GBB-BDSS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 80gbit フラッシュ 10g x 8 EMMC -
SM662PXA-BDAT Silicon Motion, Inc. SM662PXA-BDAT 14.6300
RFQ
ECAD 2344 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-SM662PXA-BDAT 1
SM662GXC BESS Silicon Motion, Inc. SM662GXC BESS 27.7300
RFQ
ECAD 98 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand (TLC) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-sm662gxcbess 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
SM662GED-BEST Silicon Motion, Inc. SM662GED-BEST 54.1700
RFQ
ECAD 7296 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-SM662GED-BEST 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 EMMC -
SM662PED BESS Silicon Motion, Inc. sm662ped bess 48.7200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand (TLC) - 100-BGA(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-sm662pedbess 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
SM662PXF BESS Silicon Motion, Inc. SM662PXF BESS 175.2700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand (TLC) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-sm662pxfbess 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
SM662GXC-BEST Silicon Motion, Inc. SM662GXCベスト 30.0800
RFQ
ECAD 1291 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® バルク アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand (TLC) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 影響を受けていない 1984-SM662GXC-BEST 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
SM662GBD BFSS Silicon Motion, Inc. SM662GBD BFSS 49.3700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM662GBDBFSS 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 320GBIT フラッシュ 40g x 8 EMMC -
SM662PXC BESS Silicon Motion, Inc. SM662PXC BESS 26.9600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand (TLC) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
SM662PEE-BDST Silicon Motion, Inc. SM662PEE-BDST -
RFQ
ECAD 5647 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-Nand (TLC) - 100-BGA(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM662PEE-BDST 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 EMMC -
SM662GBD-BDSS Silicon Motion, Inc. SM662GBD-BDSS -
RFQ
ECAD 5045 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 153-BGA (11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM662GBD-BDSS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 320GBIT フラッシュ 40g x 8 EMMC -
SM662GAB-BDSS Silicon Motion, Inc. SM662GAB-BDSS -
RFQ
ECAD 3511 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ 廃止 -40°C〜105°C 表面マウント 153-TFBGA SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 153-BGA (11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM662GAB-BDSS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 80gbit フラッシュ 10g x 8 EMMC -
SM662GEF BFSS Silicon Motion, Inc. SM662GEF BFSS 178.9800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM662GEFBFSS 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

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    在庫倉庫