画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 現在 -供給 | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | 関数 | 基準 | プロトコル | インタフェース | メモリタイプ | メモリサイズ | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SM662GEE BFST | 90.3700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662GEEBFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | |||||||
![]() | SM662PAC-BDSS | - | ![]() | 6816 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662PAC-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 160gbit | フラッシュ | 20g x 8 | EMMC | - | |||||||
![]() | SM662GXE BESS | 91.4600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GXEBESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||||||
![]() | SM671PEA-ADSS | - | ![]() | 3011 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM671PEA-ADSS | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | SM662GEF BESS | 181.5200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GEFBESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||||||
![]() | SM668PE4-AC | - | ![]() | 4970 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM668 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | SM671PEFLBFST | 140.1400 | ![]() | 3240 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM671PEFLBFST | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SM662PAC-BDST | - | ![]() | 1705 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662PAC-BDST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC | - | |||||||
![]() | SM671PXA-ADSS | - | ![]() | 1609 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-ufs™ | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM671 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM671PXA-ADSS | 廃止 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | UFS2.1 | - | ||||||||
![]() | SM662GEE-BESS | 101.2100 | ![]() | 4963 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GEE-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | EMMC | - | ||||||
![]() | SM662PEA-BDSS | - | ![]() | 2973 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662PEA-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | |||||||
![]() | SM270AE0200EM-BA | 4.3500 | ![]() | 8575 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | - | - | SM270 | - | - | - | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 0000.00.0000 | 1 | - | - | - | - | |||||||||||
![]() | SM662GEE BFSS | - | ![]() | 1501 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | 1984-SM662GEEBFSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 640GBIT | フラッシュ | 80g x 8 | EMMC | - | |||||||||
![]() | SM662GBD-BDSS | - | ![]() | 5045 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C | 表面マウント | 153-TFBGA | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 153-BGA (11.5x13 | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 1984-SM662GBD-BDSS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 320GBIT | フラッシュ | 40g x 8 | EMMC | - | |||||||
![]() | SM662GE8-AC | - | ![]() | 5100 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | SM662PXA-BDAT | 14.6300 | ![]() | 2344 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM662PXA-BDAT | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SM662PAAベス | - | ![]() | 7888 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662PAA-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | ||||||
![]() | ME619GXFLEG3S | 104.2300 | ![]() | 8605 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-ME619GXFLEG3S | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SM662GXE BFST | 87.1700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | ||||||||
![]() | SM668PE8-AC | - | ![]() | 6897 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | 廃止 | SM668 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | SM662GBE-BEST | 106.4700 | ![]() | 1299 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GBE-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 2tbit | フラッシュ | 256g x 8 | EMMC | - | ||||||
![]() | SM662PXF BESS | 175.2700 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-sm662pxfbess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||||||
![]() | SM662GXD-BD | - | ![]() | 6177 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | トレイ | アクティブ | SM662 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | SM662GBCベスト | 31.8800 | ![]() | 4627 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GBC-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 512gbit | フラッシュ | 64g x 8 | EMMC | - | ||||||
![]() | sm662ped bess | 48.7200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-sm662pedbess | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - | ||||||||
![]() | SM662GEA-BESS | - | ![]() | 2248 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GEA-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | ||||||
![]() | SM662GXAベス | - | ![]() | 2448 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662GXA-BESS | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 不揮発性 | 40gbit | フラッシュ | 5g x 8 | EMMC | - | ||||||
![]() | SM662GXD BFST | 44.9200 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | -25°C〜85°C | 表面マウント | 100-lbga | SM662 | フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 不揮発性 | 1tbit | フラッシュ | 128g x 8 | EMMC | - | ||||||||
![]() | SM671PXELBFSS | 77.2400 | ![]() | 2180 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | - | バルク | アクティブ | - | ROHS3準拠 | 1984-SM671PXELBFSS | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | SM662PXEベスト | 90.6400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | シリコンモーション、Inc。 | ferri-emmc® | トレイ | アクティブ | - | 表面マウント | 100-lbga | フラッシュ-Nand (TLC) | - | 100-BGA(14x18) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1984-SM662PXEBEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,520 | 不揮発性 | - | フラッシュ | EMMC | - |
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