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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 現在 -供給 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 関数 基準 プロトコル インタフェース メモリタイプ メモリサイズ メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
SM662GEE BFST Silicon Motion, Inc. SM662GEE BFST 90.3700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM662GEEBFST 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 EMMC -
SM662PAC-BDSS Silicon Motion, Inc. SM662PAC-BDSS -
RFQ
ECAD 6816 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ 廃止 -40°C〜105°C 表面マウント 153-TFBGA SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 153-BGA (11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM662PAC-BDSS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 160gbit フラッシュ 20g x 8 EMMC -
SM662GXE BESS Silicon Motion, Inc. SM662GXE BESS 91.4600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand (TLC) - 100-BGA(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-SM662GXEBESS 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
SM671PEA-ADSS Silicon Motion, Inc. SM671PEA-ADSS -
RFQ
ECAD 3011 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM671 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 153-BGA (11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM671PEA-ADSS 廃止 1 不揮発性 40gbit フラッシュ 5g x 8 UFS2.1 -
SM662GEF BESS Silicon Motion, Inc. SM662GEF BESS 181.5200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand (TLC) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-SM662GEFBESS 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
SM668PE4-AC Silicon Motion, Inc. SM668PE4-AC -
RFQ
ECAD 4970 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - トレイ 廃止 SM668 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8523.51.0000 1
SM671PEFLBFST Silicon Motion, Inc. SM671PEFLBFST 140.1400
RFQ
ECAD 3240 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-SM671PEFLBFST 1
SM662PAC-BDST Silicon Motion, Inc. SM662PAC-BDST -
RFQ
ECAD 1705 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ 廃止 -40°C〜105°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-Nand (TLC) - 100-BGA(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM662PAC-BDST 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC -
SM671PXA-ADSS Silicon Motion, Inc. SM671PXA-ADSS -
RFQ
ECAD 1609 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-ufs™ トレイ 廃止 -25°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM671 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 153-BGA (11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM671PXA-ADSS 廃止 1 不揮発性 40gbit フラッシュ 5g x 8 UFS2.1 -
SM662GEE-BESS Silicon Motion, Inc. SM662GEE-BESS 101.2100
RFQ
ECAD 4963 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-SM662GEE-BESS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 640GBIT フラッシュ 80g x 8 EMMC -
SM662PEA-BDSS Silicon Motion, Inc. SM662PEA-BDSS -
RFQ
ECAD 2973 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 153-BGA (11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM662PEA-BDSS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 40gbit フラッシュ 5g x 8 EMMC -
SM270AE0200EM-BA Silicon Motion, Inc. SM270AE0200EM-BA 4.3500
RFQ
ECAD 8575 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - トレイ アクティブ - - SM270 - - - - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 0000.00.0000 1 - - - -
SM662GEE BFSS Silicon Motion, Inc. SM662GEE BFSS -
RFQ
ECAD 1501 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 100-BGA(14x18) ダウンロード 1984-SM662GEEBFSS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 640GBIT フラッシュ 80g x 8 EMMC -
SM662GBD-BDSS Silicon Motion, Inc. SM662GBD-BDSS -
RFQ
ECAD 5045 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ 廃止 -40°C〜85°C 表面マウント 153-TFBGA SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 153-BGA (11.5x13 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 1984-SM662GBD-BDSS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 320GBIT フラッシュ 40g x 8 EMMC -
SM662GE8-AC Silicon Motion, Inc. SM662GE8-AC -
RFQ
ECAD 5100 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - トレイ 廃止 SM662 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1
SM662PXA-BDAT Silicon Motion, Inc. SM662PXA-BDAT 14.6300
RFQ
ECAD 2344 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-SM662PXA-BDAT 1
SM662PAA-BESS Silicon Motion, Inc. SM662PAAベス -
RFQ
ECAD 7888 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 100-BGA(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-SM662PAA-BESS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 40gbit フラッシュ 5g x 8 EMMC -
ME619GXFLEG3S Silicon Motion, Inc. ME619GXFLEG3S 104.2300
RFQ
ECAD 8605 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-ME619GXFLEG3S 1
SM662GXE BFST Silicon Motion, Inc. SM662GXE BFST 87.1700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 EMMC -
SM668PE8-AC Silicon Motion, Inc. SM668PE8-AC -
RFQ
ECAD 6897 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - トレイ 廃止 SM668 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8523.51.0000 1
SM662GBE-BEST Silicon Motion, Inc. SM662GBE-BEST 106.4700
RFQ
ECAD 1299 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-Nand (TLC) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-SM662GBE-BEST 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 2tbit フラッシュ 256g x 8 EMMC -
SM662PXF BESS Silicon Motion, Inc. SM662PXF BESS 175.2700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand (TLC) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-sm662pxfbess 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
SM662GXD-BD Silicon Motion, Inc. SM662GXD-BD -
RFQ
ECAD 6177 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - トレイ アクティブ SM662 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1
SM662GBC-BEST Silicon Motion, Inc. SM662GBCベスト 31.8800
RFQ
ECAD 4627 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-Nand (TLC) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-SM662GBC-BEST 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 512gbit フラッシュ 64g x 8 EMMC -
SM662PED BESS Silicon Motion, Inc. sm662ped bess 48.7200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand (TLC) - 100-BGA(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-sm662pedbess 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
SM662GEA-BESS Silicon Motion, Inc. SM662GEA-BESS -
RFQ
ECAD 2248 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 100-BGA(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-SM662GEA-BESS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 40gbit フラッシュ 5g x 8 EMMC -
SM662GXA-BESS Silicon Motion, Inc. SM662GXAベス -
RFQ
ECAD 2448 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 100-BGA(14x18) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-SM662GXA-BESS 3A991B1A 8542.32.0071 1 不揮発性 40gbit フラッシュ 5g x 8 EMMC -
SM662GXD BFST Silicon Motion, Inc. SM662GXD BFST 44.9200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ -25°C〜85°C 表面マウント 100-lbga SM662 フラッシュ-nand( slc )、フラッシュ -nand(tlc) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 3A991B1A 8542.32.0071 980 不揮発性 1tbit フラッシュ 128g x 8 EMMC -
SM671PXELBFSS Silicon Motion, Inc. SM671PXELBFSS 77.2400
RFQ
ECAD 2180 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 - バルク アクティブ - ROHS3準拠 1984-SM671PXELBFSS 1
SM662PXE BEST Silicon Motion, Inc. SM662PXEベスト 90.6400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 シリコンモーション、Inc。 ferri-emmc® トレイ アクティブ - 表面マウント 100-lbga フラッシュ-Nand (TLC) - 100-BGA(14x18) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1984-SM662PXEBEST 3A991B1A 8542.32.0071 1,520 不揮発性 - フラッシュ EMMC -
  • Daily average RFQ Volume

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    毎日の平均RFQボリューム

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    30,000,000

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