画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W25N01GVTBIR | - | ![]() | 2281 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01GVTBIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | w25q128jweiq | 1.9046 | ![]() | 5990 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JWEIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 63 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - 、3ms | ||
![]() | w25q01jvtbim tr | 9.2850 | ![]() | 2586 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q01JVTBIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7.5 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 3.5ms | |
w25q16jwbyim tr | - | ![]() | 7380 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufbga wlcsp | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wlcsp(1.56x2.16) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWBYIMTR | ear99 | 8542.32.0071 | 4,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | w25m02gvtbig tr | - | ![]() | 1751 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25M02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi | 700µs | |||
![]() | w978h6kbvx1i tr | 4.3650 | ![]() | 1384 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W978H6 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W978H6KBVX1ITR | ear99 | 8542.32.0024 | 3,500 | 533 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 16m x 16 | HSUL_12 | 15ns | |
W631GU6NB-15 TR | 2.8471 | ![]() | 7920 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6NB-15TR | ear99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | w25x40vsnig | - | ![]() | 8049 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25x40 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 75 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi | 3ms | |||
![]() | w25q32jwsnim | - | ![]() | 3287 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JWSNIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | |
W29N01HWSINF | - | ![]() | 2927 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HWSINF | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 1gbit | 25 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | |||
![]() | W9864G6JH-6I | - | ![]() | 1198 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | W9864G6 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | W9864G6JH6I | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 64mbit | 5 ns | ドラム | 4m x 16 | 平行 | - | |
![]() | W25Q32FVTBAQ | - | ![]() | 2598 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32FVTBAQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
w25q80bwzpig tr | - | ![]() | 2028 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | ||||
![]() | w25q80bvuxbg | - | ![]() | 1440 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 2.5V〜3.6V | 8-USON | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80BVUXBG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | w25q16jvssim tr | 0.4304 | ![]() | 2378 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JVSSIMTR | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | W25Q16CVSSAG | - | ![]() | 1725 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16CVSSAG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | W25Q16JWSNAM | - | ![]() | 5217 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWSNAM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | W25N02KWTBIR | 4.3845 | ![]() | 3690 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W25N02KWTBIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 8 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |||
![]() | w25q128bvebg | - | ![]() | 7446 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128BVEBG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | w971gg6nb-18 tr | 2.7826 | ![]() | 6872 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | W971GG6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TFBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W971GG6NB-18TR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 533 MHz | 揮発性 | 1gbit | 350 PS | ドラム | 64m x 16 | SSTL_18 | 15ns | |
![]() | W25N02KVSFIU | - | ![]() | 2414 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25N02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N02KVSFIU | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 7 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | w989d2dbjx6i tr | 3.0608 | ![]() | 9390 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | W989D2 | SDRAM- lPSDR | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 512mbit | 5 ns | ドラム | 16m x 32 | 平行 | 15ns | ||
![]() | w25q64jvxgjm tr | - | ![]() | 7753 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-xson (4x4) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | w25q64jvxgjmtr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
![]() | w25n01gwtbig tr | 3.3026 | ![]() | 8217 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01GWTBIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 8 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | W634GU8QB-11 TR | 5.1914 | ![]() | 6809 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W634GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W634GU8QB-11TR | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 512m x 8 | 平行 | 15ns | |
w25q128jvpaq | - | ![]() | 4900 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JVPAQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
![]() | W25Q16VSSIG | - | ![]() | 1752 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 90 | 80 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | W25M02GVTBJT | - | ![]() | 6832 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | W25M02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M02GVTBJT | 廃止 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 7 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | ||
![]() | W25Q32JVXGAQ | - | ![]() | 7178 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-xson (4x4) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVXGAQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
w25q64jvzpsq | - | ![]() | 1613 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JVZPSQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms |
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