SIC
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ICS ）（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W631GU8NB15I TR Winbond Electronics w631gu8nb15i tr 4.8100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W631GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
W632GG8NB15I Winbond Electronics w632gg8nb15i 5.2744
RFQ
 ECAD 5154 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W979H6KBVX1I Winbond Electronics W979H6KBVX1I 5.8044
RFQ
 ECAD 4319 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA W979H6 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W979H6KBVX1I ear99 8542.32.0028 168 533 MHz 揮発性 512mbit ドラム 32m x 16 HSUL_12 15ns
W25Q64JVTBIM Winbond Electronics w25q64jvtbim -
RFQ
 ECAD 4454 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q20EWNB02 Winbond Electronics W25Q20EWNB02 -
RFQ
 ECAD 1116 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ 廃止 - - - W25Q20 フラッシュ - 1.65V〜1.95V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q20EWNB02 廃止 1 104 MHz 不揮発性 2mbit 6 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 30µs 、800µs
W25Q32FVSSIQ TR Winbond Electronics W25Q32FVSSIQ TR -
RFQ
 ECAD 3502 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W632GG8KB-11 Winbond Electronics W632GG8KB-11 -
RFQ
 ECAD 3543 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-WBGA（10.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 -
W25M161AWEIT Winbond Electronics w25m161aweit -
RFQ
 ECAD 1601 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25M161 フラッシュ -ナンド、フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M161AWEIT 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 16mbit （flash-nor ）、 1gbit（フラッシュナンド） フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q128FVCIP Winbond Electronics w25q128fvcip -
RFQ
 ECAD 6393 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W25Q128JWYIM TR Winbond Electronics w25q128jwyim tr 1.4423
RFQ
 ECAD 1533 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 21-XFBGA 、WLCSP W25Q128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 21-wlcsp ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128JWYIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o - 、3ms
W25Q256FVBBQ Winbond Electronics W25Q256FVBBQ -
RFQ
 ECAD 3941 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA W25Q256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q256FVBBQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 256mbit 7 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W25M02GWTBIG TR Winbond Electronics W25M02GWTBIG TR -
RFQ
 ECAD 3322 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GWTBIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 2Gbit 8 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W632GU6NB-11 Winbond Electronics W632GU6NB-11 4.8018
RFQ
 ECAD 5288 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W66CL2NQUAFJ TR Winbond Electronics w66cl2nquafj tr 8.4900
RFQ
 ECAD 9626 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA W66Cl2 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W66CL2NQUAFJTR ear99 8542.32.0036 2,500 1.6 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL_11 18ns
W29N02KZBIBF Winbond Electronics w29n02kzbibf -
RFQ
 ECAD 6354 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA W29N02 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W29N02KZBIBF 3A991B1A 8542.32.0071 210 不揮発性 2Gbit 22 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
W25Q80DLSVIG Winbond Electronics w25q80dlsvig -
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q32BVZPJG Winbond Electronics w25q32bvzpjg -
RFQ
 ECAD 5518 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W25Q32FVZPAQ Winbond Electronics W25Q32FVZPAQ -
RFQ
 ECAD 8123 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32FVZPAQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W979H6KBVX1E Winbond Electronics W979H6KBVX1E 5.8044
RFQ
 ECAD 4344 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA W979H6 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W979H6KBVX1E ear99 8542.32.0028 168 533 MHz 揮発性 512mbit ドラム 32m x 16 HSUL_12 15ns
W25Q32JVSFAM Winbond Electronics W25Q32JVSFAM -
RFQ
 ECAD 2867 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32JVSFAM 1 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W631GG8MB-12 Winbond Electronics W631GG8MB-12 -
RFQ
 ECAD 6439 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA（10.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
W25Q32JVZEAM Winbond Electronics w25q32jvzeam -
RFQ
 ECAD 1062 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32JVZeam 1 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W631GU6MB09I TR Winbond Electronics W631GU6MB09I TR -
RFQ
 ECAD 3752 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU6MB09ITR ear99 8542.32.0032 3,000 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W25N01JWSFIG TR Winbond Electronics w25n01jwsfig tr 3.1479
RFQ
 ECAD 3305 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25N01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N01JWSFIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz 不揮発性 1gbit 6 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25Q40CLSNIG Winbond Electronics w25q40clsnig 0.4200
RFQ
 ECAD 128 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q40 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 800µs
W25Q80BLUXIG TR Winbond Electronics w25q80bluxig tr -
RFQ
 ECAD 6370 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 80 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 800µs
W74M00AVSSIG Winbond Electronics w74m00avssig 0.8390
RFQ
 ECAD 3218 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-SOIC - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W74M00AVSSIG 3A991B1A 8542.32.0071 300 80 MHz 不揮発性 - フラッシュ - -
W25Q20EWNB03 Winbond Electronics W25Q20EWNB03 -
RFQ
 ECAD 1427 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ 廃止 - - - W25Q20 フラッシュ - 1.65V〜1.95V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q20EWNB03 廃止 1 104 MHz 不揮発性 2mbit 6 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 30µs 、800µs
W959D8NFYA4II TR Winbond Electronics w959d8nfya4ii tr -
RFQ
 ECAD 8532 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 24-tbga W959D8 ハイパーラム 1.7V〜2V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W959D8NFYA4IITR 2,000 250 MHz 揮発性 512mbit 28 ns ドラム 64m x 8 ハイパーバス 35ns
W25Q81DVSNAG Winbond Electronics W25Q81DVSNAG -
RFQ
 ECAD 8031 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q81 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q81DVSNAG 1 80 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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