SIC
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ICS ）（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W634GU8QB-09 Winbond Electronics W634GU8QB-09 5.9753
RFQ
 ECAD 9825 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W634GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W634GU8QB-09 ear99 8542.32.0036 242 1.06 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
W631GU8NB09I TR Winbond Electronics w631gu8nb09i tr 5.0400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W631GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
W25Q32JWBYIM TR Winbond Electronics w25q32jwbyim tr 0.7341
RFQ
 ECAD 8482 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 12-ufbga、wlcsp フラッシュ - （slc） 1.7V〜1.95V 12-wlcsp（2.31x2.03 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W25Q32JWBYIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,500 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 5ms
W25Q64CVZEJP TR Winbond Electronics w25q64cvzejp tr -
RFQ
 ECAD 8680 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q64cvzejptr 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 80 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W949D6DBHX5I TR Winbond Electronics w949d6dbhx5i tr 2.7171
RFQ
 ECAD 2822 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-TFBGA W949D6 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA （8x9） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 200 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 平行 15ns
W25Q128FVPIF Winbond Electronics w25q128fvpif -
RFQ
 ECAD 1301 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W25Q32JVTBIQ Winbond Electronics w25q32jvtbiq 0.9708
RFQ
 ECAD 7685 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W631GG6NB12J Winbond Electronics w631gg6nb12j -
RFQ
 ECAD 9483 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6NB12J ear99 8542.32.0032 198 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W971GG6NB-25 Winbond Electronics W971GG6NB-25 3.7300
RFQ
 ECAD 971 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA W971GG6 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W971GG6NB-25 ear99 8542.32.0032 209 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 SSTL_18 15ns
W25Q64JWSSAQ Winbond Electronics w25q64jwssaq -
RFQ
 ECAD 2374 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q64 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JWSSAQ 1 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W631GU6NB11J TR Winbond Electronics w631gu6nb11j tr -
RFQ
 ECAD 7660 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU6NB11JTR ear99 8542.32.0032 3,000 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W25Q16CVZPJG TR Winbond Electronics w25q16cvzpjg tr -
RFQ
 ECAD 7899 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q16cvzpjgtr ear99 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W631GU6NB-12 Winbond Electronics W631GU6NB-12 3.2812
RFQ
 ECAD 4385 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU6NB-12 ear99 8542.32.0032 198 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W25Q16DVSNIG Winbond Electronics w25q16dvsnig -
RFQ
 ECAD 8068 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W25Q32BVSSSG Winbond Electronics W25Q32BVSSSG -
RFQ
 ECAD 5042 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32BVSSSG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 32mbit 5 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W634GU8QB09I TR Winbond Electronics w634gu8qb09i tr 6.0300
RFQ
 ECAD 9129 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W634GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W634GU8QB09ITR ear99 8542.32.0036 2,000 1.06 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
W25Q32BVSFJP Winbond Electronics W25Q32BVSFJP -
RFQ
 ECAD 2882 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W631GG8MB15J TR Winbond Electronics w631gg8mb15j tr -
RFQ
 ECAD 6148 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG8MB15JTR 廃止 2,000 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W25Q128FVBIP Winbond Electronics W25Q128FVBIP -
RFQ
 ECAD 8422 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W25R128JVSIQ TR Winbond Electronics W25R128JVSIQ TR 1.9609
RFQ
 ECAD 7344 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25R128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25R128JVSIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q80DVUXAE Winbond Electronics w25q80dvuxae -
RFQ
 ECAD 2945 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q80DVUXAE 1 104 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 30µs、3ms
W25Q64CVZPJG TR Winbond Electronics w25q64cvzpjg tr -
RFQ
 ECAD 6494 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q64cvzpjgtr 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 80 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W25Q16FWSNBQ Winbond Electronics w25q16fwsnbq -
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16FWSNBQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、3ms
W25M02GVTCJG Winbond Electronics W25M02GVTCJG -
RFQ
 ECAD 3649 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GVTCJG 廃止 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25M02GWZEIT TR Winbond Electronics W25M02GWZEIT TR -
RFQ
 ECAD 9188 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25M02 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GWZEITTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 2Gbit 8 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25Q32BVSFAG Winbond Electronics W25Q32BVSFAG -
RFQ
 ECAD 3498 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32BVSFAG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 32mbit 5 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W25R64JVSSIQ TR Winbond Electronics W25R64JVSSIQ TR 1.5584
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25R64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25R64JVSSIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W39V040FAPZ Winbond Electronics w39v040fapz -
RFQ
 ECAD 7677 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 32-lcc W39V040 フラッシュ 3V〜3.6V 32-PLCC （11.43x13.97 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 15 不揮発性 4mbit 300 ns フラッシュ 512k x 8 平行 -
W9412G6KH-4 Winbond Electronics W9412G6KH-4 -
RFQ
 ECAD 6435 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） W9412G6 SDRAM -DDR 2.4V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 250 MHz 揮発性 128mbit 48 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
W631GU6NB-12 TR Winbond Electronics W631GU6NB-12 TR 2.9101
RFQ
 ECAD 2199 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU6NB-12TTR ear99 8542.32.0032 3,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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