SIC
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ICS ）（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W25R128JVPIQ TR Winbond Electronics w25r128jvpiq tr 2.2050
RFQ
 ECAD 4876 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25R128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25R128JVPIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q16JWSSIQ TR Winbond Electronics w25q16jwssiq tr 0.4992
RFQ
 ECAD 8524 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16JWSSIQTR ear99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q128BVFJG TR Winbond Electronics w25q128bvfjg tr -
RFQ
 ECAD 5223 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q128bvfjgtr 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W29GL128CH9T Winbond Electronics W29GL128CH9T -
RFQ
 ECAD 6991 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） W29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 128mbit 90 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 90ns
W25N02KVTBIU TR Winbond Electronics w25n02kvtbiu tr 4.0213
RFQ
 ECAD 4445 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N02KVTBIUTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25Q32FVSFIG TR Winbond Electronics w25q32fvsfig tr -
RFQ
 ECAD 7003 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W25N02KVTBIR Winbond Electronics W25N02KVTBIR 4.2208
RFQ
 ECAD 1760 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N02KVTBIR 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25Q16JWSSAQ Winbond Electronics W25Q16JWSSAQ -
RFQ
 ECAD 1687 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16JWSSAQ 1 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W631GU8MB09I Winbond Electronics W631GU8MB09I -
RFQ
 ECAD 2246 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W631GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU8MB09I ear99 8542.32.0032 242 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W25Q64JVZPIQ Winbond Electronics w25q64jvzpiq 1.1000
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JVZPIQ 3A991B1A 8542.32.0071 570 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25M161AVEIT TR Winbond Electronics w25m161aveit tr -
RFQ
 ECAD 7156 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25M161 フラッシュ -ナンド、フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M161AVEITTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 133 MHz 不揮発性 16mbit （flash-nor ）、 1gbit（フラッシュナンド） 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25N02KWTCIR TR Winbond Electronics w25n02kwtcir tr 4.1753
RFQ
 ECAD 4101 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W25N02KWTCIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 2Gbit 8 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W631GU6NB11I Winbond Electronics W631GU6NB11I 4.8800
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU6NB11I ear99 8542.32.0032 198 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W25X40CLSNIG Winbond Electronics w25x40clsnig 0.4200
RFQ
 ECAD 409 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25x40 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 800µs
W631GU8NB11I Winbond Electronics W631GU8NB11I 4.8800
RFQ
 ECAD 242 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W631GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU8NB11I ear99 8542.32.0032 242 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
W66BQ6NBUAFJ Winbond Electronics w66bq6nbuafj 5.1184
RFQ
 ECAD 5617 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA W66BQ6 SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W66BQ6NBUAFJ ear99 8542.32.0036 144 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL_11 18ns
W25Q256FVCJQ Winbond Electronics W25Q256FVCJQ -
RFQ
 ECAD 5929 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga W25Q256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W63AH2NBVACE TR Winbond Electronics W63AH2NBVACE TR 4.1409
RFQ
 ECAD 1080 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 178-VFBGA W63AH2 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA （11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W63AH2NBVACETR ear99 8542.32.0032 2,000 933 MHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 32m x 32 HSUL_12 15ns
W29GL256PH9B TR Winbond Electronics w29gl256ph9b tr -
RFQ
 ECAD 6535 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 64-lbga W29GL256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lfbga（11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 不揮発性 256mbit 90 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 90ns
W959D8NFYA5I Winbond Electronics w959d8nfya5i 5.1500
RFQ
 ECAD 303 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 24-tbga W959D8 ハイパーラム 1.7V〜2V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 480 200 MHz 揮発性 512mbit 35 ns ドラム 64m x 8 ハイパーバス 35ns
W25N512GVEIR Winbond Electronics W25N512GVEIR 2.1715
RFQ
 ECAD 2821 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N512 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N512GVEIR 3A991B1A 8542.32.0071 480 166 MHz 不揮発性 512mbit 6 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 700µs
W971GG8JB-25 Winbond Electronics W971GG8JB-25 -
RFQ
 ECAD 5200 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - チューブ 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-TFBGA W971GG8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-WBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない Q7152144 ear99 8542.32.0032 209 200 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 128m x 8 平行 15ns
W634GU8QB11I Winbond Electronics W634GU8QB11I 6.5523
RFQ
 ECAD 7006 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W634GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W634GU8QB11I ear99 8542.32.0036 242 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
W25B40VSNIG T&R Winbond Electronics w25b40vsnig t＆r -
RFQ
 ECAD 7434 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25B40 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 40 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、5ms
W25Q16JWSSSQ Winbond Electronics W25Q16JWSSSQ -
RFQ
 ECAD 7719 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16JWSSSQ 1 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W632GU8NB11I Winbond Electronics W632GU8NB11I 5.3796
RFQ
 ECAD 7890 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W25Q257FVEIF TR Winbond Electronics w25q257fveif tr -
RFQ
 ECAD 7636 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q257 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W631GG6MB15J TR Winbond Electronics w631gg6mb15j tr -
RFQ
 ECAD 4827 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG6MB15JTR 廃止 3,000 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 SSTL_15 15ns
W631GU8MB-15 Winbond Electronics W631GU8MB-15 -
RFQ
 ECAD 8638 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W631GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA（10.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
W25M02GWTBIG Winbond Electronics W25M02GWTBIG -
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25M02 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25M02GWTBIG 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 2Gbit 8 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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