SIC
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ICS ）（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W632GG6KB12I Winbond Electronics w632gg6kb12i -
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ sicで中止されました -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-WBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W25Q32JVSFSM Winbond Electronics W25Q32JVSFSM -
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32JVSFSM 1 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W97BH2KBVX2I Winbond Electronics W97BH2KBVX2I -
RFQ
 ECAD 3725 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 134-VFBGA W97BH2 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 168 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 平行 15ns
W25Q32JVUUIM TR Winbond Electronics w25q32jvuuim tr 0.5808
RFQ
 ECAD 1657 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-USON （4x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W25Q32JVUUIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 3ms
W25Q128BVFJP Winbond Electronics w25q128bvfjp -
RFQ
 ECAD 1431 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W631GU8MB-12 Winbond Electronics W631GU8MB-12 -
RFQ
 ECAD 6547 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W631GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA（10.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
W25Q64JVTBAQ Winbond Electronics w25q64jvtbaq -
RFQ
 ECAD 4605 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-TFBGA - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JVTBAQ 1 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W632GU6NB-12 Winbond Electronics W632GU6NB-12 4.7315
RFQ
 ECAD 1032 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W25Q16JVZPSM Winbond Electronics w25q16jvzpsm -
RFQ
 ECAD 4830 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16JVZPSM 1 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W971GG6NB-18 Winbond Electronics w971gg6nb-18 3.8000
RFQ
 ECAD 310 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA W971GG6 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W971GG6NB-18 ear99 8542.32.0028 209 533 MHz 揮発性 1gbit 350 PS ドラム 64m x 16 SSTL_18 15ns
W631GU6NB15I Winbond Electronics w631gu6nb15i 4.7200
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU6NB15I ear99 8542.32.0032 198 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W25N04KWZEIR Winbond Electronics w25n04kwzeir 8.4800
RFQ
 ECAD 9263 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W25N04KWZEIR 3A991B1A 8542.32.0071 63 104 MHz 不揮発性 4gbit 8 ns フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 700µs
W9864G2JB-6I TR Winbond Electronics W9864G2JB-6I TR 3.8212
RFQ
 ECAD 2827 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 90-TFBGA W9864G2 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA （8x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 64mbit 5 ns ドラム 2m x 32 平行 -
W632GU8NB-09 TR Winbond Electronics W632GU8NB-09 TR 4.2475
RFQ
 ECAD 8377 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W632GU8NB-09TR ear99 8542.32.0036 2,000 1.066 GHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W25Q64JVXGIM TR Winbond Electronics w25q64jvxgim tr 0.8014
RFQ
 ECAD 4751 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XDFN露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-xson （4x4） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JVXGIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W979H6KBVX1E TR Winbond Electronics w979h6kbvx1e tr 4.9500
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 134-VFBGA W979H6 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W979H6KBVX1ETR ear99 8542.32.0028 3,500 533 MHz 揮発性 512mbit ドラム 32m x 16 HSUL_12 15ns
W25Q32JWSSIM Winbond Electronics w25q32jwssim 0.6578
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q32 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32JWSSIM ear99 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 5ms
W25N512GVBIT Winbond Electronics W25N512GVBIT -
RFQ
 ECAD 1631 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25N512 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N512GVBIT 3A991B1A 8542.32.0071 480 166 MHz 不揮発性 512mbit 7 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 700µs
W63AH6NBVADI TR Winbond Electronics w63ah6nbvadi tr 4.3693
RFQ
 ECAD 6746 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 178-VFBGA W63AH6 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA （11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W63AH6NBVADITR ear99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 64m x 16 HSUL_12 15ns
W631GG8NB-12 TR Winbond Electronics w631gg8nb-12 tr 3.0281
RFQ
 ECAD 2425 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GG8NB-12TTR ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W25Q512JVBIQ Winbond Electronics w25q512jvbiq 7.1400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q512 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
W959D8NFYA5I TR Winbond Electronics w959d8nfya5i tr 3.9774
RFQ
 ECAD 6224 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（TC） 表面マウント 24-tbga W959D8 ハイパーラム 1.7V〜2V 24-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W959D8NFYA5ITR ear99 8542.32.0036 2,000 200 MHz 揮発性 512mbit 35 ns ドラム 64m x 8 ハイパーバス 35ns
W25Q32JVSNIM TR Winbond Electronics w25q32jvsnim tr 0.6542
RFQ
 ECAD 5195 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32JVSNIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q32FVSSAQ Winbond Electronics W25Q32FVSSAQ -
RFQ
 ECAD 8330 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q32FVSSAQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W25Q128FWPAQ Winbond Electronics w25q128fwpaq -
RFQ
 ECAD 2691 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-wson （6x5） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128FWPAQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 128mbit 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
W631GU8NB-09 TR Winbond Electronics W631GU8NB-09 TR 3.1427
RFQ
 ECAD 4333 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W631GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W631GU8NB-09TR ear99 8542.32.0032 2,000 1.066 GHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
W25Q80DVZPBG Winbond Electronics w25q80dvzpbg -
RFQ
 ECAD 3485 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q80DVZPBG 1 104 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 30µs、3ms
W631GG8MB12I TR Winbond Electronics w631gg8mb12i tr -
RFQ
 ECAD 5129 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA（10.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
W25Q64JVSSSM Winbond Electronics W25Q64JVSSSSSM -
RFQ
 ECAD 1809 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q64JVSSSSM 1 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q80EWUXAE Winbond Electronics W25Q80EWUXAE -
RFQ
 ECAD 9098 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q80 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-USON - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q80Wuxae 廃止 1 104 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 30µs 、800µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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