画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | w66cl2nquagj | 9.5630 | ![]() | 7642 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66Cl2 | SDRAM-モバイルLPDDR4 | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66CL2NQUAGJ | ear99 | 8542.32.0036 | 144 | 1.866 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | w74m01gvzeig tr | - | ![]() | 8473 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W74M01 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W74M01GVZEIGTR | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 6 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | W632GU8NB-12 | 4.7137 | ![]() | 4473 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 800 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 8 | 平行 | 15ns | ||
![]() | W25Q128JVSAQ | - | ![]() | 9342 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JVSAQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | w25q16jwsnsq | - | ![]() | 2088 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWSNSQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | W29GL128CL9B | - | ![]() | 1872年 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | W29GL128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lfbga(11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 171 | 不揮発性 | 128mbit | 90 ns | フラッシュ | 16m x 8、8m x 16 | 平行 | 90ns | |||
![]() | W25Q80DVUXSE | - | ![]() | 2614 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-USON | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80DVUXSE | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 30µs、3ms | ||||
![]() | w25q16jvssjm tr | - | ![]() | 2370 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | w25q16jvssjmtr | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
![]() | w25q128fwbiq | - | ![]() | 7141 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FWBIQ | 廃止 | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | ||
![]() | W9816G6JH-6 TR | 1.3934 | ![]() | 2854 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) | W9816G6 | SDRAM | 3V〜3.6V | 50-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | 揮発性 | 16mbit | 5 ns | ドラム | 1m x 16 | 平行 | - | ||
w25r128jwpiq tr | 2.0850 | ![]() | 2466 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25R128 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25R128JWPIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi | - | |||
![]() | W9412G6JH-4 | - | ![]() | 5411 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | W9412G6 | SDRAM -DDR | 2.4V〜2.7V | 66-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 250 MHz | 揮発性 | 128mbit | 48 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 12ns | ||
![]() | w63ah2nbvadi | 6.2600 | ![]() | 127 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 178-VFBGA | W63AH2 | SDRAM- lpddr3 | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 178-VFBGA (11x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W63AH2NBVADI | ear99 | 8542.32.0032 | 189 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 5.5 ns | ドラム | 32m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | w948d2fbjx5e tr | 4.0800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 90-TFBGA | W948D2 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-VFBGA (8x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 200 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 32 | 平行 | 15ns | ||
![]() | w25q32jvsnim | 0.6395 | ![]() | 9472 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q32JVSNIM | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 100 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
W947D6HBHX6E | - | ![]() | 5410 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 60-TFBGA | W947D6 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-VFBGA (8x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 312 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | 15ns | |||
w29n01hwsinf tr | - | ![]() | 6613 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HWSINFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 不揮発性 | 1gbit | 22 ns | フラッシュ | 64m x 16 | onfi | 25ns | |||
![]() | w25x20clsnig | 0.3900 | ![]() | 52 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25x20 | フラッシュ | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 800µs | |||
![]() | w25q256jwbiq tr | 2.7445 | ![]() | 7415 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q256 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q256JWBIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 5ms | |
![]() | W25Q64FVZEBQ | - | ![]() | 2228 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64FVZEBQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
![]() | w25q128fvebq | - | ![]() | 1395 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | * | チューブ | 廃止 | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q128 | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128FVEBQ | 廃止 | 1 | ||||||||||||||
W25R128FVPIQ | - | ![]() | 4490 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25R128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25R128FVPIQ | 廃止 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | W25M512JWBIQ | 5.9586 | ![]() | 2720 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25M512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M512JWBIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 5ms | |
![]() | W77Q32JWSSIN TR | 1.1151 | ![]() | 7876 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W77Q32 | フラッシュ | 1.7V〜1.95V | 8-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W77Q32JWSSINTR | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | - | spi -quad i/o、qpi | - | ||||
![]() | w25q64jwxgim tr | - | ![]() | 4784 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 8-xson (4x4) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JWXGIMTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
![]() | w631gu6nb15j | - | ![]() | 4612 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6NB15J | ear99 | 8542.32.0032 | 198 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
W632GU6MB11J | - | ![]() | 4086 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 933 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | W9812G2KB-6I TR | 4.0496 | ![]() | 9488 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 90-TFBGA | W9812G2 | SDRAM | 3V〜3.6V | 90-TFBGA (8x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5 ns | ドラム | 4m x 32 | 平行 | - | ||
![]() | w66cq2nquahj | 7.5604 | ![]() | 7457 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 200-WFBGA | W66CQ2 | SDRAM -MOBILE LPDDR4X | 1.06V〜1.17V | 200-WFBGA (10x14.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W66CQ2NQUAHJ | ear99 | 8542.32.0036 | 144 | 2.133 GHz | 揮発性 | 4gbit | 3.5 ns | ドラム | 128m x 32 | LVSTL_11 | 18ns | |
![]() | w25q32fvzeig tr | - | ![]() | 2929 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms |
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