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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W66CL2NQUAGJ Winbond Electronics w66cl2nquagj 9.5630
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ECAD 7642 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA W66Cl2 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-WFBGA (10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W66CL2NQUAGJ ear99 8542.32.0036 144 1.866 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL_11 18ns
W74M01GVZEIG TR Winbond Electronics w74m01gvzeig tr -
RFQ
ECAD 8473 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W74M01 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W74M01GVZEIGTR 4,000 104 MHz 不揮発性 1gbit 6 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o -
W632GU8NB-12 Winbond Electronics W632GU8NB-12 4.7137
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ECAD 4473 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W25Q128JVSAQ Winbond Electronics W25Q128JVSAQ -
RFQ
ECAD 9342 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q128JVSAQ 1 133 MHz 不揮発性 128mbit 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q16JWSNSQ Winbond Electronics w25q16jwsnsq -
RFQ
ECAD 2088 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q16JWSNSQ 1 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W29GL128CL9B Winbond Electronics W29GL128CL9B -
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ECAD 1872年 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 64-lbga W29GL128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 64-lfbga(11x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 171 不揮発性 128mbit 90 ns フラッシュ 16m x 8、8m x 16 平行 90ns
W25Q80DVUXSE Winbond Electronics W25Q80DVUXSE -
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ECAD 2614 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q80DVUXSE 1 104 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 30µs、3ms
W25Q16JVSSJM TR Winbond Electronics w25q16jvssjm tr -
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ECAD 2370 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない w25q16jvssjmtr ear99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q128FWBIQ Winbond Electronics w25q128fwbiq -
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ECAD 7141 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25Q128 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q128FWBIQ 廃止 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 60μs5ms
W9816G6JH-6 TR Winbond Electronics W9816G6JH-6 TR 1.3934
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ECAD 2854 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) W9816G6 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 16mbit 5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
W25R128JWPIQ TR Winbond Electronics w25r128jwpiq tr 2.0850
RFQ
ECAD 2466 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25R128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson (6x5) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25R128JWPIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -
W9412G6JH-4 Winbond Electronics W9412G6JH-4 -
RFQ
ECAD 5411 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) W9412G6 SDRAM -DDR 2.4V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 250 MHz 揮発性 128mbit 48 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
W63AH2NBVADI Winbond Electronics w63ah2nbvadi 6.2600
RFQ
ECAD 127 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 178-VFBGA W63AH2 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA (11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W63AH2NBVADI ear99 8542.32.0032 189 1.066 GHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 32m x 32 HSUL_12 15ns
W948D2FBJX5E TR Winbond Electronics w948d2fbjx5e tr 4.0800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 廃止 -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 90-TFBGA W948D2 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA (8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 200 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
W25Q32JVSNIM Winbond Electronics w25q32jvsnim 0.6395
RFQ
ECAD 9472 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q32JVSNIM 3A991B1A 8542.32.0071 100 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W947D6HBHX6E Winbond Electronics W947D6HBHX6E -
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ECAD 5410 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 60-TFBGA W947D6 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA (8x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 312 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
W29N01HWSINF TR Winbond Electronics w29n01hwsinf tr -
RFQ
ECAD 6613 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) W29N01 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W29N01HWSINFTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 1gbit 22 ns フラッシュ 64m x 16 onfi 25ns
W25X20CLSNIG Winbond Electronics w25x20clsnig 0.3900
RFQ
ECAD 52 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25x20 フラッシュ 2.3V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi 800µs
W25Q256JWBIQ TR Winbond Electronics w25q256jwbiq tr 2.7445
RFQ
ECAD 7415 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25Q256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q256JWBIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 5ms
W25Q64FVZEBQ Winbond Electronics W25Q64FVZEBQ -
RFQ
ECAD 2228 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (8x6) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q64FVZEBQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 64mbit 7 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W25Q128FVEBQ Winbond Electronics w25q128fvebq -
RFQ
ECAD 1395 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス * チューブ 廃止 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 8-wson (8x6) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q128FVEBQ 廃止 1
W25R128FVPIQ Winbond Electronics W25R128FVPIQ -
RFQ
ECAD 4490 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25R128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25R128FVPIQ 廃止 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W25M512JWBIQ Winbond Electronics W25M512JWBIQ 5.9586
RFQ
ECAD 2720 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25M512 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25M512JWBIQ 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 MHz 不揮発性 512mbit 7 ns フラッシュ 64m x 8 spi 5ms
W77Q32JWSSIN TR Winbond Electronics W77Q32JWSSIN TR 1.1151
RFQ
ECAD 7876 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W77Q32 フラッシュ 1.7V〜1.95V 8-SOIC - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W77Q32JWSSINTR 2,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ - spi -quad i/o、qpi -
W25Q64JWXGIM TR Winbond Electronics w25q64jwxgim tr -
RFQ
ECAD 4784 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XDFN露出パッド W25Q64 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-xson (4x4) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q64JWXGIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W631GU6NB15J Winbond Electronics w631gu6nb15j -
RFQ
ECAD 4612 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W631GU6NB15J ear99 8542.32.0032 198 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W632GU6MB11J Winbond Electronics W632GU6MB11J -
RFQ
ECAD 4086 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W9812G2KB-6I TR Winbond Electronics W9812G2KB-6I TR 4.0496
RFQ
ECAD 9488 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA W9812G2 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 4m x 32 平行 -
W66CQ2NQUAHJ Winbond Electronics w66cq2nquahj 7.5604
RFQ
ECAD 7457 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA W66CQ2 SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-WFBGA (10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W66CQ2NQUAHJ ear99 8542.32.0036 144 2.133 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL_11 18ns
W25Q32FVZEIG TR Winbond Electronics w25q32fvzeig tr -
RFQ
ECAD 2929 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson (8x6) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫