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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W25Q40CLUXIG TR Winbond Electronics w25q40cluxig tr 0.4405
RFQ
ECAD 9167 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q40 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 4,000 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 800µs
W25B40AVSNIG Winbond Electronics w25b40avsnig -
RFQ
ECAD 9274 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25B40 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 40 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi 15ms、5ms
W77Q32JWSSIN TR Winbond Electronics W77Q32JWSSIN TR 1.1151
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ECAD 7876 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W77Q32 フラッシュ 1.7V〜1.95V 8-SOIC - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W77Q32JWSSINTR 2,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ - spi -quad i/o、qpi -
W25Q64JWXGIM TR Winbond Electronics w25q64jwxgim tr -
RFQ
ECAD 4784 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XDFN露出パッド W25Q64 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-xson (4x4) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q64JWXGIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W631GU6NB15J Winbond Electronics w631gu6nb15j -
RFQ
ECAD 4612 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-VFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W631GU6NB15J ear99 8542.32.0032 198 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
W9812G2KB-6I TR Winbond Electronics W9812G2KB-6I TR 4.0496
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ECAD 9488 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-TFBGA W9812G2 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 4m x 32 平行 -
W632GU6MB11J Winbond Electronics W632GU6MB11J -
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ECAD 4086 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-VFBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W25Q16FWSSBQ Winbond Electronics w25q16fwssbq -
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ECAD 8691 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q16FWSSBQ 廃止 1 104 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、3ms
W29N08GZBIBA Winbond Electronics W29N08GZBIBA 14.6834
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ECAD 2366 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 63-VFBGA フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 63-VFBGA (9x11) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 256-W29N08GZBIBA 3A991B1A 8542.32.0071 210 不揮発性 8gbit 25 ns フラッシュ 1g x 8 onfi 35NS 、700µs
W631GG8NB11J Winbond Electronics w631gg8nb11j -
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ECAD 6694 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W631GG8NB11J ear99 8542.32.0032 242 933 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 SSTL_15 15ns
W25Q16JWUUAQ Winbond Electronics w25q16jwuuaq -
RFQ
ECAD 7546 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-USON (4x3) ダウンロード 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q16JWUUAQ 1 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q128JWCIQ TR Winbond Electronics w25q128jwciq tr -
RFQ
ECAD 5060 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25Q128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q128JWCIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25R64JVSSIQ Winbond Electronics W25R64JVSSIQ 2.0500
RFQ
ECAD 2707 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25R64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25R64JVSSIQ 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 3ms
W9816G6JH-6 TR Winbond Electronics W9816G6JH-6 TR 1.3934
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ECAD 2854 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 50-tsop (0.400 "、10.16mm 幅) W9816G6 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 166 MHz 揮発性 16mbit 5 ns ドラム 1m x 16 平行 -
W25Q40EWSSIG TR Winbond Electronics w25q40ewssig tr -
RFQ
ECAD 9773 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25Q40 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o、qpi 800µs
W25R128JWPIQ TR Winbond Electronics w25r128jwpiq tr 2.0850
RFQ
ECAD 2466 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25R128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson (6x5) - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25R128JWPIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -
W9412G6JH-4 Winbond Electronics W9412G6JH-4 -
RFQ
ECAD 5411 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) W9412G6 SDRAM -DDR 2.4V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 250 MHz 揮発性 128mbit 48 ns ドラム 8m x 16 平行 12ns
W25Q32JVSNIM Winbond Electronics w25q32jvsnim 0.6395
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ECAD 9472 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q32JVSNIM 3A991B1A 8542.32.0071 100 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W631GU6KB15I TR Winbond Electronics w631gu6kb15i tr -
RFQ
ECAD 2876 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA W631GU6 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-WBGA (9x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 -
W947D6HBHX6E Winbond Electronics W947D6HBHX6E -
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ECAD 5410 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 60-TFBGA W947D6 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-VFBGA (8x9) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 312 166 MHz 揮発性 128mbit 5 ns ドラム 8m x 16 平行 15ns
W63AH2NBVADI Winbond Electronics w63ah2nbvadi 6.2600
RFQ
ECAD 127 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 178-VFBGA W63AH2 SDRAM- lpddr3 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 178-VFBGA (11x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W63AH2NBVADI ear99 8542.32.0032 189 1.066 GHz 揮発性 1gbit 5.5 ns ドラム 32m x 32 HSUL_12 15ns
W25X10BVZPIG Winbond Electronics w25x10bvzpig -
RFQ
ECAD 2743 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25x10 フラッシュ 2.7V〜3.6V 8-wson (6x5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi 3ms
W948D2FBJX5E TR Winbond Electronics w948d2fbjx5e tr 4.0800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) 廃止 -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 90-TFBGA W948D2 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-VFBGA (8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 200 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
W97BH2MBVA1E Winbond Electronics W97BH2MBVA1E 6.3973
RFQ
ECAD 8121 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-VFBGA W97BH2 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W97BH2MBVA1E ear99 8542.32.0036 168 533 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 HSUL_12 15ns
W29N01HWSINF TR Winbond Electronics w29n01hwsinf tr -
RFQ
ECAD 6613 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) W29N01 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.95V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W29N01HWSINFTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,500 不揮発性 1gbit 22 ns フラッシュ 64m x 16 onfi 25ns
W25Q16JVSSJM TR Winbond Electronics w25q16jvssjm tr -
RFQ
ECAD 2370 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない w25q16jvssjmtr ear99 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q80DVUXSE Winbond Electronics W25Q80DVUXSE -
RFQ
ECAD 2614 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q80DVUXSE 1 104 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 30µs、3ms
W66CP2NQUAFJ Winbond Electronics w66cp2nquafj 9.2800
RFQ
ECAD 34 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 200-WFBGA W66CP2 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.06V〜1.17V 200-WFBGA (10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W66CP2NQUAFJ ear99 8542.32.0036 144 2.133 GHz 揮発性 4gbit 3.5 ns ドラム 128m x 32 LVSTL_11 -
W25Q128FVEBQ Winbond Electronics w25q128fvebq -
RFQ
ECAD 1395 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス * チューブ 廃止 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 8-wson (8x6) - 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q128FVEBQ 廃止 1
W25Q256JWBIQ TR Winbond Electronics w25q256jwbiq tr 2.7445
RFQ
ECAD 7415 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga W25Q256 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 256-W25Q256JWBIQTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 5ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫