画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | w25x20clsnig | 0.3900 | ![]() | 52 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25x20 | フラッシュ | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi | 800µs | |||
![]() | W25Q64FVZEBQ | - | ![]() | 2228 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64FVZEBQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 50µs、3ms | |||
w634gu6nb12i | - | ![]() | 2583 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W634GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (9x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W634GU6NB12I | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 4gbit | 20 ns | ドラム | 256m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | W9725G6KB-18 TR | 2.1342 | ![]() | 4667 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | W9725G6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-WBGA (8x12.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 533 MHz | 揮発性 | 256mbit | 350 PS | ドラム | 16m x 16 | 平行 | 15ns | ||
![]() | W25R512JVFIQ TR | 4.6232 | ![]() | 3255 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25R512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25R512JVFIQTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi | - | ||
![]() | W25N01GVSFIT TR | - | ![]() | 6026 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N01GVSFITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
![]() | W25Q80EWUXSE | - | ![]() | 8701 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-USON | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80EWUXSE | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 30µs 、800µs | |||
![]() | W631GU6MB11J TR | - | ![]() | 5263 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6MB11JTR | 廃止 | 2,000 | 933 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | ||
W25R128FVPIQ | - | ![]() | 4490 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25R128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x5) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25R128FVPIQ | 廃止 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | W25M512JWBIQ | 5.9586 | ![]() | 2720 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25M512 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M512JWBIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 7 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi | 5ms | |
W632GU6NB-09 | 4.8546 | ![]() | 4157 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 1.067 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | w25q01jvzeiq | 11.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q01 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q01JVZEIQ | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 3.5ms | ||
W25M02GVTCIT | - | ![]() | 8724 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25M02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 24-TFBGA | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25M02GVTCIT | 廃止 | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |||
![]() | W29N01HZDINA | 3.7011 | ![]() | 2556 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA (8x6.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HZDINA | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 不揮発性 | 1gbit | 25 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | ||
![]() | W25Q16JVSSAM | - | ![]() | 4266 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JVSSAM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
w25q16jwzpsm | - | ![]() | 2735 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWZPSM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||||
![]() | w29n01hzdinf tr | 3.0423 | ![]() | 4510 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA (8x6.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HZDINFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,500 | 不揮発性 | 1gbit | 22 ns | フラッシュ | 128m x 8 | onfi | 25ns | ||
W29N01HVSINA TR | 2.8538 | ![]() | 9074 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 1.65V〜1.95V | 48-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HVSINATR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,500 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||
![]() | W9816G6JB-5 TR | 2.1011 | ![]() | 6595 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | W9816G6 | SDRAM | 3V〜3.6V | 60-VFBGA (6.4x10.1 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W9816G6JB-5TR | ear99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 200 MHz | 揮発性 | 16mbit | 4.5 ns | ドラム | 1m x 16 | lvttl | - | |
w631gg6nb-09 tr | 3.0202 | ![]() | 4053 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG6NB-09TR | ear99 | 8542.32.0032 | 3,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||
![]() | w25x10bvsnig | - | ![]() | 7380 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25x10 | フラッシュ | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 不揮発性 | 1mbit | フラッシュ | 128k x 8 | spi | 3ms | |||
W25Q80EWZPBG | - | ![]() | 8546 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-wson (6x5) | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q80EWZPBG | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 30µs 、800µs | ||||
![]() | w29n02kvbiae tr | 4.1859 | ![]() | 7996 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | W29N02 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-VFBGA (9x11) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N02KVBiaetr | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 2Gbit | 20 ns | フラッシュ | 256m x 8 | onfi | 25ns | ||
![]() | W25Q64JVSFSM | - | ![]() | 4002 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q64JVSFSM | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | w25q80ewuxie tr | 0.4568 | ![]() | 4246 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q80 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 800µs | |||
![]() | w25q16jwxhiq tr | 0.7300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-xson (2x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16JWXHIQTRDKR | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |
![]() | W978H2KBVX2E TR | 4.3650 | ![]() | 2238 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -25°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 134-VFBGA | W978H2 | SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B | 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W978H2KBVX2ETR | ear99 | 8542.32.0024 | 3,500 | 400 MHz | 揮発性 | 256mbit | 5.5 ns | ドラム | 8m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
![]() | w631gg8nb12j tr | - | ![]() | 3948 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C (TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GG8NB12JTR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | |
W631GG6KB-15 | - | ![]() | 9821 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜85°C (TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | W631GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-WBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | w631gg6kb15 | ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | w25n02kwzeiu tr | 3.6129 | ![]() | 7462 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 8-wson (8x6) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W25N02KWZEIUTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 8 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 700µs |
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