画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | W631GU6MB09I | - | ![]() | 5845 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU6MB09I | ear99 | 8542.32.0032 | 198 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | 15ns | |
W631GU6KB12I | - | ![]() | 4646 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-TFBGA | W631GU6 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-WBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 190 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 64m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | w25q16fwuxaq | - | ![]() | 3645 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-ufdfn露出パッド | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-USON | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16FWUXAQ | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、3ms | |||
![]() | W29N01HVDINF TR | 2.7628 | ![]() | 8782 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | W29N01 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 48-VFBGA (8x6.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N01HVDINFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,500 | 不揮発性 | 1gbit | 20 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | ||
![]() | w29n08gvbiaa tr | 13.0350 | ![]() | 4996 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 63-FBGA (11x9) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 256-W29N08GVBIAATR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 不揮発性 | 8gbit | 20 ns | フラッシュ | 1g x 8 | onfi | 25ns 、700µs | ||||
![]() | w25q64jvstim | - | ![]() | 9503 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | |||
![]() | w25q32fwssig tr | - | ![]() | 9766 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60μs5ms | |||
![]() | w631gg8mb12i | - | ![]() | 5296 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GG8 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-VFBGA(10.5x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 800 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | - | ||
![]() | w25q80blsnig | - | ![]() | 3197 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | W25Q80 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 4,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 800µs | |||
![]() | w29n02kzdibf tr | 4.5238 | ![]() | 8738 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-VFBGA | W29N02 | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-VFBGA (8x6.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W29N02KZDIBFTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,500 | 不揮発性 | 2Gbit | 22 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 25ns | ||
![]() | W29GL032CB7B | - | ![]() | 9734 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 64-lbga | W29GL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 64-lfbga(11x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 171 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
w632gg6nb09i | 5.4702 | ![]() | 3342 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 96-VFBGA | W632GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-VFBGA (7.5x13 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 198 | 1.067 GHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | w631gu8mb09i tr | - | ![]() | 3742 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU8MB09ITR | ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 1.066 GHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | SSTL_15 | 15ns | |
![]() | w25n512gvfit tr | 1.9694 | ![]() | 9846 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25N512 | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N512GVFITTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 512mbit | 6 ns | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 700µs | |
W632GG6KB-15 TR | - | ![]() | 8653 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 96-TFBGA | W632GG6 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-WBGA (9x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,500 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | |||
![]() | W9812G6JH-6I | - | ![]() | 8982 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) | W9812G6 | SDRAM | 3V〜3.6V | 54-TSOP II | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | W9812G6JH6I | ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 揮発性 | 128mbit | 5 ns | ドラム | 8m x 16 | 平行 | - | |
![]() | W948D2FKA-5G | - | ![]() | 2284 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 前回購入します | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W948D2FKA-5G | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W9412G6JB-4 | - | ![]() | 2564 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | 0°C〜70°C(Ta) | 表面マウント | 60-TFBGA | W9412G6 | SDRAM -DDR | 2.4V〜2.7V | 60-tfbga (8x13) | - | 256-W9412G6JB-4 | 廃止 | 1 | 250 MHz | 揮発性 | 128mbit | 650 PS | ドラム | 8m x 16 | SSTL_2 | 12ns | |||||
![]() | W25Q32DWSFIG | - | ![]() | 1245 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25Q32 | フラッシュ - | 1.7V〜1.95V | 16-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 3ms | |||
![]() | W25N04KVSFIU | - | ![]() | 3934 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | W25N04 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 16-SOIC | - | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25N04KVSFIU | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 250µs | ||
![]() | W25Q16DVSSJP | - | ![]() | 5305 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | W632GU8MB-15 TR | - | ![]() | 8782 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | 0°C〜95°C (TC | 表面マウント | 78-VFBGA | W632GU8 | SDRAM -DDR3 | 1.283V〜1.45V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | w956d6hbcx7i tr | - | ![]() | 6667 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(TC) | 表面マウント | 54-VFBGA | W956D6 | psram(pseudo sram | 1.7V〜1.95V | 54-VFBGA (6x8) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0041 | 5,000 | 133 MHz | 揮発性 | 64mbit | 70 ns | psram | 4m x 16 | 平行 | - | ||
![]() | W25Q128JVBSQ | - | ![]() | 4476 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | W25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q128JVBSQ | 1 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 3ms | ||||
![]() | W631GU8NB15I | 4.7200 | ![]() | 237 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 78-VFBGA | W631GU8 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V、1.425V〜1.575V | 78-VFBGA (8x10.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W631GU8NB15I | ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 667 MHz | 揮発性 | 1gbit | 20 ns | ドラム | 128m x 8 | 平行 | 15ns | |
![]() | W25Q16DWNB03 | - | ![]() | 3623 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | チューブ | 廃止 | - | - | - | W25Q16 | フラッシュ - | 1.65V〜1.95V | - | - | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 256-W25Q16DWNB03 | 廃止 | 1 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 40µs、3ms | |||
![]() | W29GL032CL7T | - | ![]() | 9759 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 56-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | W29GL032 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 56-tsop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 不揮発性 | 32mbit | 70 ns | フラッシュ | 4m x 8、2m x 16 | 平行 | 70ns | |||
![]() | w97bh6kbvx2i | - | ![]() | 3775 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | トレイ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 134-VFBGA | W97bh6 | SDRAM-モバイルLPDDR2 | 1.14V〜1.95V | 134-VFBGA (10x11.5 | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 168 | 400 MHz | 揮発性 | 2Gbit | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns | |||
![]() | w25q16dvdaig tr | - | ![]() | 7809 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | Spiflash® | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 穴を通して | 8-dip (0.300 "、7.62mm) | W25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-pdip | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | w972gg6jb-3i tr | - | ![]() | 5538 | 0.00000000 | ウィンボンドエレクトロニクス | - | テープ&リール( tr) | 廃止 | -40°C〜95°C(TC) | 表面マウント | 84-TFBGA | W972GG6 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-WBGA (11x13) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 333 MHz | 揮発性 | 2Gbit | 450 PS | ドラム | 128m x 16 | 平行 | 15ns |
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