SIC
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ICS ）（2872）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
W97BH2MBVA2J TR Winbond Electronics w97bh2mbva2j tr 3.0202
RFQ
 ECAD 6614 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 134-VFBGA W97BH2 SDRAM -MOBILE LPDDR2 -S4B 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 134-VFBGA （10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 256-W97BH2MBVA2JTR 3,500 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 64m x 32 HSUL_12 15ns
W25Q32JVSSIQ Winbond Electronics W25Q32JVSSIQ 0.7600
RFQ
 ECAD 147 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q16DVWA Winbond Electronics W25Q16DVWA -
RFQ
 ECAD 6622 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 - - - W25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V - - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16DVWA 廃止 1 104 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W25N02KVSFIR TR Winbond Electronics w25n02kvsfir tr -
RFQ
 ECAD 8162 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W25N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N02KVSFIRTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25Q512NWBIM TR Winbond Electronics w25q512nwbim tr -
RFQ
 ECAD 5169 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q512 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q512NWBIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 133 MHz 不揮発性 512mbit 6 ns フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o 3ms
W25Q32FVZPIQ TR Winbond Electronics w25q32fvzpiq tr -
RFQ
 ECAD 8166 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W25Q128FVCIG TR Winbond Electronics w25q128fvcig tr -
RFQ
 ECAD 3200 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W25Q16FWUUIG TR Winbond Electronics w25q16fwuuig tr -
RFQ
 ECAD 9732 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-ufdfn露出パッド W25Q16 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-USON （4x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q16FWUUIGTR ear99 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、3ms
W632GG6NB15I Winbond Electronics w632gg6nb15i 5.2943
RFQ
 ECAD 9425 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W632GG6 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
W66BM6NBUAHJ Winbond Electronics w66bm6nbuahj 7.3210
RFQ
 ECAD 2148 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA W66BM6 SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-WFBGA （10x14.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W66BM6NBUAHJ ear99 8542.32.0036 144 2.133 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL_11 18ns
W29N02GVSIAA Winbond Electronics W29N02GVSIAA -
RFQ
 ECAD 7174 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） W29N02 フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 96 不揮発性 2Gbit 25 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
W25Q128BVBJP Winbond Electronics W25Q128BVBJP -
RFQ
 ECAD 2757 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga W25Q128 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W25Q80EWSSIG Winbond Electronics w25q80ewssig 0.5700
RFQ
 ECAD 170 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W25Q80 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o、qpi 3ms
W25Q256FVEJF TR Winbond Electronics w25q256fvejf tr -
RFQ
 ECAD 5217 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない w25q256fvejftr 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi 50µs、3ms
W29N04GZBIBA Winbond Electronics W29N04GZBIBA -
RFQ
 ECAD 2541 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA W29N04 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-VFBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 210 不揮発性 4gbit 35 ns フラッシュ 512m x 8 平行 35ns
W631GU8KB-15 Winbond Electronics W631GU8KB-15 -
RFQ
 ECAD 7800 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA W631GU8 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-WBGA（10.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 667 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
W632GG8NB-15 Winbond Electronics W632GG8NB-15 4.6611
RFQ
 ECAD 2103 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA （8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 667 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
W9751G6KB25I Winbond Electronics W9751G6KB25I -
RFQ
 ECAD 5731 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 84-TFBGA W9751G6 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-WBGA （8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 209 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
W25Q32JWXGIG TR Winbond Electronics w25q32jwxgig tr -
RFQ
 ECAD 5859 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XDFN露出パッド W25Q32 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-xson （4x4） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない W25Q32JWXGIGTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 60μs5ms
W77M26FJWFIE TR Winbond Electronics W77M26FJWFIE TR 3.9262
RFQ
 ECAD 4169 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） W77M26 SDRAM 1.7V〜1.95V 16-SOIC - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W77M26FJWFIETR 1,000 104 MHz 揮発性 32mbit ドラム 4m x 8 spi -quad i/o -
W631GG8MB-12 TR Winbond Electronics w631gg8mb-12 tr -
RFQ
 ECAD 9638 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W631GG8 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-VFBGA（10.5x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 -
W25N01JWZEIT TR Winbond Electronics w25n01jwzeit tr 2.9922
RFQ
 ECAD 4839 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25N01 フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 8-wson （8x6） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25N01JWZEITTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 166 MHz 不揮発性 1gbit 6 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
W25Q128JWPIM TR Winbond Electronics w25q128jwpim tr 1.4425
RFQ
 ECAD 3394 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド W25Q128 フラッシュ - 1.7V〜1.95V 8-wson （6x5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q128JWPIMTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o - 、3ms
W74M12JWSSIQ Winbond Electronics W74M12JWSSIQ 3.1100
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） W74M12 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 8-SOIC - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W74M12JWSSIQ 3A991B1A 8542.32.0071 90 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 - -
W25Q16CLSVIG TR Winbond Electronics w25q16clsvig tr -
RFQ
 ECAD 4468 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q16 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-VSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,500 50 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
W632GU8KT-12 Winbond Electronics W632GU8KT-12 -
RFQ
 ECAD 9817 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-VFBGA W632GU8 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-VFBGA （8x10.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W25Q20EWSNAG Winbond Electronics w25q20ewsnag -
RFQ
 ECAD 3519 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス Spiflash® トレイ 廃止 -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） W25Q20 フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8-SOIC - 3 （168 時間） 影響を受けていない 256-W25Q20EWSNAG 廃止 1 104 MHz 不揮発性 2mbit 6 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 30µs 、800µs
W632GU6MB11I Winbond Electronics W632GU6MB11I -
RFQ
 ECAD 6994 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-VFBGA W632GU6 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 96-VFBGA （7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 198 933 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 -
W988D2FBJX6E TR Winbond Electronics w988d2fbjx6e tr -
RFQ
 ECAD 2333 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 -25°C〜85°C（TC） 表面マウント 90-TFBGA W988D2 SDRAM- lPSDR 1.7V〜1.95V 90-VFBGA （8x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
W972GG6JB-3 TR Winbond Electronics w972gg6jb-3 tr -
RFQ
 ECAD 5543 0.00000000 ウィンボンドエレクトロニクス - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 84-TFBGA W972GG6 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-WBGA （11x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 333 MHz 揮発性 2Gbit 450 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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