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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート その他の名前 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
GD25Q128EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EQIGR 1.2544
RFQ
ECAD 8834 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XDFN露出パッド フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8-USON (4x4) ダウンロード 1970-GD25Q128EQIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 128mbit 7 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25D20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d20etigr 0.2257
RFQ
ECAD 1882年年 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25D テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25D20ETIGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 2mbit 6 ns フラッシュ 256k x 8 spi-デュアルi/o 50µs 、4ms
GD25LT512MEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEFIRR 5.6176
RFQ
ECAD 8836 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LT テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 16ソップ - 1970-GD25LT512MEFIRRTR 1,000 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
GD25LE255ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE2555555555555 2.1993
RFQ
ECAD 1072 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8ソップ - 1970-GD25LE255ESIGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25B64EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B64EWIGY 0.8247
RFQ
ECAD 7928 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25B トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード 1970-GD25B64EWIGY 5,700 133 MHz 不揮発性 64mbit 7 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25LQ40ET2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40ET2GY 0.5373
RFQ
ECAD 4717 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8ソップ - 1970-GD25LQ40ET2GY 4,320 133 MHz 不揮発性 4mbit 6 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 60µs、2.4ms
GD25F128FWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25F128FWIGR 1.3702
RFQ
ECAD 9867 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25F テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8-wson - 1970-GD25F128FWIGRTR 3,000 200 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
GD5F4GQ6UEYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6UEYJGR 8.0538
RFQ
ECAD 9780 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson (6x8) ダウンロード 1970-GD5F4GQ6UEYJGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 4gbit 9 ns フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 600µs
GD25LE64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ESIGY 0.8284
RFQ
ECAD 5971 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25LE64ESIGY 3,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD5F2GM7REWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7REWIGY 3.5981
RFQ
ECAD 5088 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜2V 8-wson ダウンロード 1970-GD5F2GM7REWIGY 5,700 104 MHz 不揮発性 2Gbit 9 ns フラッシュ 512m x 4 spi -quad i/o、dtr 600µs
GD25LB128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128EGIGR 1.3057
RFQ
ECAD 2448 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LB テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25LB128EGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
GD25LQ20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20ETIGR 0.3167
RFQ
ECAD 8227 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25LQ20ETIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 2mbit 6 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 60µs、2.4ms
GD25LT512MEF2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEF2RY 8.7046
RFQ
ECAD 2275 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LT トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 16ソップ - 1970-GD25LT512MEF2RY 1,760 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
GD25Q32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q32enigr 0.6646
RFQ
ECAD 7865 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-udfn露出パッド フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード 1970-GD25Q32ENIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25Q128EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q128ewigy 1.2438
RFQ
ECAD 9372 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード 1970-GD25Q128EWIGY 5,700 133 MHz 不揮発性 128mbit 7 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25LQ64ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq64etigr 0.7908
RFQ
ECAD 4199 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25LQ64ETIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25R128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R128EGIGR 1.5448
RFQ
ECAD 3775 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25R テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8ソップ - 1970-GD25R128EGRTR 2,000 200 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
GD25Q80CS2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CS2GR 0.5970
RFQ
ECAD 4404 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8ソップ - 1970-GD25Q80CS2GRTR 2,000 80 MHz 不揮発性 8mbit 7 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 60µs 、4ms
GD25B32ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32ESIGR 0.6115
RFQ
ECAD 2604 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25B テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25B32ESIGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25LE64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64EQIGR 0.9126
RFQ
ECAD 6575 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XDFN露出パッド フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8-USON (4x4) ダウンロード 1970-GD25LE64EQIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25B32ESAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B32ESAGR 1.0363
RFQ
ECAD 6446 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25B テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8ソップ - 1970-GD25B32ESAGRTR 2,000 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o -
GD55B02GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B02GEBIRY 16.9200
RFQ
ECAD 9617 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55B トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード 1970-GD55B02GEBIRY 4,800 133 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o -
GD25R256EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25R256EFIRR 2.8829
RFQ
ECAD 4734 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25R テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 16ソップ - 1970-GD25R256EFIRRTR 1,000 200 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
GD25WD40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40COIGR 0.3167
RFQ
ECAD 9397 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25WD テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) フラッシュ - (slc) 1.65v〜3.6V 8-tssop ダウンロード 1970-GD25WD40COIGRTR 3,000 100 MHz 不揮発性 4mbit 12 ns フラッシュ 512k x 8 spi-デュアルi/o 97µs 、6ms
GD25LQ255EFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ255EFIRR 2.3733
RFQ
ECAD 8858 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 16ソップ ダウンロード 1970-GD25LQ255EFIRRTR 1,000 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o、qpi -
GD25LQ64EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq64equgr 1.2496
RFQ
ECAD 5677 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-XDFN露出パッド フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8-USON (4x4) ダウンロード 1970-GD25LQ64EQEGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 100µs 、4ms
GD25Q64ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64ETIGY 0.7441
RFQ
ECAD 3710 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25Q64ETIGY 4,320 133 MHz 不揮発性 64mbit 7 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25LT512MEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEY2GY 8.3285
RFQ
ECAD 2372 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LT トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8-wson (6x8) - 1970-GD25LT512MEY2GY 4,800 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
GD25LQ80ETEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80ETEGR 0.5242
RFQ
ECAD 8015 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25LQ80ETEGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o、qpi 100µs 、4ms
GD25LQ32EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EEIGR 0.7020
RFQ
ECAD 8164 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8-USON ダウンロード 1970-GD25LQ32EEIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫