画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | その他の名前 | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GD25Q128EQIGR | 1.2544 | ![]() | 8834 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-USON (4x4) | ダウンロード | 1970-GD25Q128EQIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |
![]() | gd25d20etigr | 0.2257 | ![]() | 1882年年 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25D | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25D20ETIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi-デュアルi/o | 50µs 、4ms | |
![]() | GD25LT512MEFIRR | 5.6176 | ![]() | 8836 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LT | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 16ソップ | - | 1970-GD25LT512MEFIRRTR | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
![]() | GD25LE2555555555555 | 2.1993 | ![]() | 1072 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LE255ESIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
![]() | GD25B64EWIGY | 0.8247 | ![]() | 7928 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25B64EWIGY | 5,700 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |
![]() | GD25LQ40ET2GY | 0.5373 | ![]() | 4717 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LQ40ET2GY | 4,320 | 133 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 6 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | |
![]() | GD25F128FWIGR | 1.3702 | ![]() | 9867 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson | - | 1970-GD25F128FWIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
![]() | GD5F4GQ6UEYJGR | 8.0538 | ![]() | 9780 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand(slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | 1970-GD5F4GQ6UEYJGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | 9 ns | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 600µs | |
![]() | GD25LE64ESIGY | 0.8284 | ![]() | 5971 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LE64ESIGY | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
![]() | GD5F2GM7REWIGY | 3.5981 | ![]() | 5088 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜2V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD5F2GM7REWIGY | 5,700 | 104 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 9 ns | フラッシュ | 512m x 4 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | |
![]() | GD25LB128EGIGR | 1.3057 | ![]() | 2448 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LB128EGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
![]() | GD25LQ20ETIGR | 0.3167 | ![]() | 8227 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LQ20ETIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | |
![]() | GD25LT512MEF2RY | 8.7046 | ![]() | 2275 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LT | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 16ソップ | - | 1970-GD25LT512MEF2RY | 1,760 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
![]() | gd25q32enigr | 0.6646 | ![]() | 7865 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25Q32ENIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |
![]() | gd25q128ewigy | 1.2438 | ![]() | 9372 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25Q128EWIGY | 5,700 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |
![]() | gd25lq64etigr | 0.7908 | ![]() | 4199 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LQ64ETIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
![]() | GD25R128EGIGR | 1.5448 | ![]() | 3775 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25R | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | 1970-GD25R128EGRTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
![]() | GD25Q80CS2GR | 0.5970 | ![]() | 4404 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | 1970-GD25Q80CS2GRTR | 2,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 7 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 60µs 、4ms | |
![]() | GD25B32ESIGR | 0.6115 | ![]() | 2604 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25B32ESIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |
![]() | GD25LE64EQIGR | 0.9126 | ![]() | 6575 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-USON (4x4) | ダウンロード | 1970-GD25LE64EQIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
![]() | GD25B32ESAGR | 1.0363 | ![]() | 6446 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | 1970-GD25B32ESAGRTR | 2,000 | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | GD55B02GEBIRY | 16.9200 | ![]() | 9617 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55B | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | 1970-GD55B02GEBIRY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
![]() | GD25R256EFIRR | 2.8829 | ![]() | 4734 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25R | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | - | 1970-GD25R256EFIRRTR | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
![]() | GD25WD40COIGR | 0.3167 | ![]() | 9397 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WD | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65v〜3.6V | 8-tssop | ダウンロード | 1970-GD25WD40COIGRTR | 3,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 12 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi-デュアルi/o | 97µs 、6ms | |
![]() | GD25LQ255EFIRR | 2.3733 | ![]() | 8858 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 16ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LQ255EFIRRTR | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||
![]() | gd25lq64equgr | 1.2496 | ![]() | 5677 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-USON (4x4) | ダウンロード | 1970-GD25LQ64EQEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | |
![]() | GD25Q64ETIGY | 0.7441 | ![]() | 3710 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25Q64ETIGY | 4,320 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |
![]() | GD25LT512MEY2GY | 8.3285 | ![]() | 2372 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LT | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25LT512MEY2GY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
![]() | GD25LQ80ETEGR | 0.5242 | ![]() | 8015 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LQ80ETEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | |
![]() | GD25LQ32EEIGR | 0.7020 | ![]() | 8164 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LQ32EEIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms |
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