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統合サーキット（ICS ）（847）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
GD9FS2G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS2G8F3ALGI 4.7455
RFQ
 ECAD 9598 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD9F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-FBGA （9x11） ダウンロード 1970-GD9FS2G8F3ALGI 2,100 不揮発性 2Gbit 20 ns フラッシュ 256m x 8 平行 25ns
GD25Q16CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q16cnigr -
RFQ
 ECAD 7715 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn露出パッド GD25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON （4x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25VE40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ve40ceigr -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25ve40 フラッシュ - 2.1V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o -
GD5F1GQ5REYIHR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ5REYIHR 2.4898
RFQ
 ECAD 9529 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson （6x8） - 1970-GD5F1GQ5REYIHRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 1gbit 9.5 ns フラッシュ 256m x 4 spi -quad i/o、dtr 600µs
GD25LF255EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF255555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555555 2.1590
RFQ
 ECAD 8261 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LF トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson ダウンロード 1970-GD25LF255555555555555555555555555 5,700 166 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
GD25LE64EQIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64EQIGR 0.9126
RFQ
 ECAD 6575 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-USON （4x4） ダウンロード 1970-GD25LE64EQIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25LX256EB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX256EB2RY 5.3333
RFQ
 ECAD 1633 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LX トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 24-tfbga - 1970-GD25LX256EB2RY 4,800 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 SPI -OCTAL I/O、DTR -
GD25Q32EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32EEIGR 0.6843
RFQ
 ECAD 7928 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード 1970-gd25q32eeigrtr 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25Q32CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CWIGR 0.8900
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25LT512MEF2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEF2RY 8.7046
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LT トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 16ソップ - 1970-GD25LT512MEF2RY 1,760 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
GD25Q256DBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256DBIGY 2.7874
RFQ
 ECAD 1362 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga GD25Q256 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 104 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25Q64ETIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64ETIGY 0.7441
RFQ
 ECAD 3710 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25Q64ETIGY 4,320 133 MHz 不揮発性 64mbit 7 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25Q20EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q20eeigr 0.3318
RFQ
 ECAD 2049 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード 1970-GD25Q20EEGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 2mbit 7 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 70µs 、2ms
GD55LX02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd55lx02geb2ry 41.2965
RFQ
 ECAD 8222 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55LX トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 24-tfbga - 1970-GD55LX02GEB2RY 4,800 166 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 SPI -OCTAL I/O、DTR -
GD25LQ256DWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ256DWIGR 3.8600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD25LQ256 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 2.4ms
GD5F2GQ5RFBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5RFBIGY 4.3225
RFQ
 ECAD 7761 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ アクティブ - 1970-GD5F2GQ5RFBIGY 4,800
GD25Q80CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CWIGR -
RFQ
 ECAD 2679 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD25Q80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25LE64ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE64ESIGR 0.8045
RFQ
 ECAD 7779 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25LE64ESIGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 6 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25Q128EYJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q128EYJGR 1.4911
RFQ
 ECAD 7018 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD25Q128EYJGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 128mbit 7 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 140µs 、4ms
GD5F2GQ4RF9IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4RF9IGR -
RFQ
 ECAD 9641 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-vlga露出パッド GD5F2GQ4 フラッシュ -ナンド 1.7V〜2V 8-lga （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
GD25X512MEFARR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25X512MEFARR 11.5349
RFQ
 ECAD 2693 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25X テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 16ソップ - 1970-GD25X512MEFARRTR 1,000 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 SPI -OCTAL I/O -
GD25LE32E3IGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32E3IGR 0.7363
RFQ
 ECAD 6882 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 10-XFBGA 、WLCSP フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 10-wlcsp ダウンロード 1970-GD25LE32E3IGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25T512MEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEYIGR 5.2458
RFQ
 ECAD 5902 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25T テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） - 1970-GD25T512MEYIGRTR 3,000 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、dtr -
GD25LQ128EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq128equgr 1.8538
RFQ
 ECAD 3854 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-XDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-USON （4x4） ダウンロード 1970-GD25LQ128EQEGRTR 3,000 120 MHz 不揮発性 128mbit 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 100µs 、4ms
GD5F2GM7REWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7REWIGY 3.5981
RFQ
 ECAD 5088 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜2V 8-wson ダウンロード 1970-GD5F2GM7REWIGY 5,700 104 MHz 不揮発性 2Gbit 9 ns フラッシュ 512m x 4 spi -quad i/o、dtr 600µs
GD55LB01GEBARY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55LB01GEBARY 16.3989
RFQ
 ECAD 9185 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55LB トレイ アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 24-tfbga - 1970-GD55LB01GEBARY 4,800 133 MHz 不揮発性 1gbit 6 ns フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 140µs 、2ms
GD25B64EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B64EWIGY 0.8247
RFQ
 ECAD 7928 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25B トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード 1970-GD25B64EWIGY 5,700 133 MHz 不揮発性 64mbit 7 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25LQ16ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16EGIGR 0.8200
RFQ
 ECAD 8095 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 1.65V〜2.1V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 2,000 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25Q127CBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CBIGY -
RFQ
 ECAD 2814 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga GD25Q127 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 12µs、2.4ms
GD25Q256EFIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EFIRY 2.3472
RFQ
 ECAD 2565 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 16ソップ ダウンロード 1970-GD25Q256EFIRY 1,760 133 MHz 不揮発性 256mbit フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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