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統合サーキット（ICS ）（847）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | その他の名前 | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25WD10CKIGR | 0.3167 |  | 2603 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WD | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON（1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25WD10CKIGRTR | 3,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 12 ns | フラッシュ | 128k x 8 | spi-デュアルi/o | 55µs 、6ms | ||
| GD25B16CS2GR | 0.7772 | | 3277 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | 1970-GD25B16CS2GRTR | 2,000 | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
| GD5F2GQ5REYJGR | 4.9238 | | 1026 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD5F2GQ5REYJGRTR | 3,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 11 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 600µs | ||
| gd25b256efigr | 2.3755 | | 7941 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | ダウンロード | 1970-gd25b256efigrtr | 1,000 | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
| GD5F2GQ5RFZIGY | 4.3225 | | 4426 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | - | 1970-GD5F2GQ5RFZIGY | 4,800 | ||||||||||||||||
| gd25q64ewegr | 1.1653 | | 9016 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25Q64EWEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | ||
| GD5F2GQ5RFBIGY | 4.3225 | | 7761 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | - | 1970-GD5F2GQ5RFBIGY | 4,800 | ||||||||||||||||
| gd25wd20etigr | 0.2490 | | 4515 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WD | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25WD20ETIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi-デュアルi/o | 100μs6ms | ||
| GD25LQ80EGIGR | 0.3786 | | 2065 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LQ80ESIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | ||
| GD5F2GQ5REY2GY | 6.4904 | | 4881 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD5F2GQ5REY2GY | 4,800 | 80 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 11 ns | フラッシュ | 512m x 4 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | ||
| GD5F2GQ5REYIGR | 4.1912 | | 3314 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD5F2GQ5REYIGRTR | 3,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 11 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 600µs | ||
| gd25q64etjgr | 0.8705 | | 5697 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25Q64ETJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | ||
| gd25le32enigr | 0.7090 | | 6615 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LE32ENIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | ||
| GD25B512MEYIGR | 4.3264 | | 9970 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25B512MEYIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| gd55lt02geb2ry | 32.3250 | | 3679 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55LT | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | - | 1970-GD55LT02GEB2RY | 4,800 | 166 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| GD5F1GQ5REY2GY | 3.7639 | | 1158 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD5F1GQ5REY2GY | 4,800 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 9.5 ns | フラッシュ | 256m x 4 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | ||
| GD25T512MEYIGR | 5.2458 | | 5902 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25T | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD25T512MEYIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o、dtr | - | |||
| GD25LQ40ESIGR | 0.3619 | | 2530 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LQ40ESIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 6 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | ||
| gd25q16enegr | 0.8143 | | 2104 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25Q16ENEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | ||
| GD25B256EFIRY | 2.4461 | | 9293 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | ダウンロード | 1970-GD25B256EFIRY | 1,760 | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
| GD55B01GEY2GY | 13.1250 | | 2399 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55B | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD55B01GEY2GY | 8542.32.0071 | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD55LF511MEWIGR | 4.3329 | | 5111 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 1970-GD55LF511MEWIGRTR | 3,000 | ||||||||||||||||
| GD55B02GEB2RY | 26.6125 | | 7728 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55B | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | 1970-GD55B02GEB2RY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| gd55x01gefirr | 13.2372 | | 1651 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55X | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | - | 1970-GD55X01GEFIRRTR | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | SPI -OCTAL I/O、DTR | - | |||
| gd25lt512meb2ry | 8.8046 | | 2037 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LT | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | - | 1970-GD25LT512MEB2RY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| GD25LD80ETIGY | 0.3167 | | 7655 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LD | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LD80ETIGY | 4,320 | 50 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 12 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi-デュアルi/o | 100μs6ms | ||
| GD25B32EEAGR | 0.9968 | | 3390 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | - | 1970-GD25B32EEAGRTR | 3,000 | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
| GD5F4GM8UEWIGY | 6.1180 | | 5267 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD5F4GM8UEWIGY | 5,700 | 133 MHz | 不揮発性 | 4gbit | 7 ns | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | ||
| GD25Q20ETJGR | 0.3468 | | 7610 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25Q20ETJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 7 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | ||
| GD25LR128EWIGR | 1.8258 | | 4313 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LR | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson | - | 1970-GD25LR128EGIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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