画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GD25LE64CLIGR | - | ![]() | 6812 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 21-XFBGA 、WLSCP | GD25LE64 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 21-wlcsp | ダウンロード | ROHS3準拠 | 1 (無制限) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 2.4ms | |||
![]() | GD25B16EEIGR | 0.5242 | ![]() | 9750 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25B16EEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 70µs 、2ms | |||||||
![]() | GD25Q40CT2GR | 0.4949 | ![]() | 9389 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | 1970-GD25Q40CT2GRTR | 3,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 7 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 60µs 、4ms | |||||||
![]() | GD25F128FS2GR | 1.9881 | ![]() | 7794 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | 1970-GD25F128FS2GRTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
![]() | GD25F256FY2GR | 3.6639 | ![]() | 5791 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25F256FY2GRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
![]() | GD25B256EFIRY | 2.4461 | ![]() | 9293 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | ダウンロード | 1970-GD25B256EFIRY | 1,760 | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||||
![]() | gd25le32enigr | 0.7090 | ![]() | 6615 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LE32ENIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |||||||
![]() | gd25q16enegr | 0.8143 | ![]() | 2104 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25Q16ENEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | |||||||
![]() | GD25Q80EEIGR | 0.6300 | ![]() | 35 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | GD25Q80 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 1970-GD25Q80EEGRTR | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 7 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 70µs 、2ms | |
![]() | GD25Q128EGIGR | 1.9300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | GD25Q128 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | ||
![]() | GD5F2GQ5REY2GY | 6.4904 | ![]() | 4881 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜2V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD5F2GQ5REY2GY | 4,800 | 80 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 11 ns | フラッシュ | 512m x 4 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | |||||||
![]() | gd25wq16enigr | 0.6406 | ![]() | 4408 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65v〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25WQ16ENIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 12 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | |||||||
![]() | GD25LQ64EQIGR | 0.8986 | ![]() | 9691 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-USON (4x4) | ダウンロード | 1970-GD25LQ64EQIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |||||||
![]() | GD25LE64ENEGR | 1.2636 | ![]() | 5828 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LE64ENEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | |||||||
![]() | GD55LB01GEFIRR | 9.2951 | ![]() | 9808 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55LB | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 16ソップ | ダウンロード | 1970-GD55LB01GEFIRRTR | 1,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 6 ns | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、1.2ms | |||||||
![]() | GD9FS2G8F3AMGI | 4.7315 | ![]() | 9084 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | ダウンロード | 1970-GD9FS2G8F3AMGI | 960 | 不揮発性 | 2Gbit | 20 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 25ns | ||||||||
![]() | GD25F256FWIGR | 2.3373 | ![]() | 4694 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson | - | 1970-GD25F256FWIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
![]() | GD25B32EEAGR | 0.9968 | ![]() | 3390 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-USON | - | 1970-GD25B32EEAGRTR | 3,000 | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||||
![]() | GD25LQ64ESIGR | 1.3200 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | GD25LQ64 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | ||
![]() | gd55lt02geb2ry | 32.3250 | ![]() | 3679 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55LT | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 24-tfbga | - | 1970-GD55LT02GEB2RY | 4,800 | 166 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
![]() | GD25LQ64CSIG | 0.8174 | ![]() | 4538 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | GD25LQ64 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9,500 | 120 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 2.4ms | |||
![]() | GD25S512MDBIGY | - | ![]() | 3215 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | GD25S512 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,800 | 104 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
![]() | gd25q32enigr | 0.6646 | ![]() | 7865 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25Q32ENIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |||||||
![]() | GD25LF64ENEGR | 1.2636 | ![]() | 5534 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LF | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LF64ENEGRTR | 3,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | |||||||
![]() | GD25Q32CTIG | 0.5149 | ![]() | 9200 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | GD25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 20,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
![]() | GD25LQ16CNIGR | 1.0600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | GD25LQ16 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8-USON (4x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
GD25LQ20COIGR | - | ![]() | 1997年年 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | GD25LQ20 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||||
![]() | gd25ve16ctig | - | ![]() | 5747 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 廃止 | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | GD25ve16 | フラッシュ - | 2.1V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | GD25LB512MEBIRY | 4.6550 | ![]() | 1734 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 24-tfbga | ダウンロード | 1970-GD25LB512MEBIRY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
![]() | GD9FS8G8E3ALGJ | 17.9949 | ![]() | 2667 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | ダウンロード | 1970-GD9FS8G8E3ALGJ | 2,100 |
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