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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
GD25LE32ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32ELIGR 0.7582
RFQ
ECAD 7661 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 10-XFBGA 、WLCSP フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 10-wlcsp ダウンロード 1970-GD25LE32ELIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25Q32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CVIGR -
RFQ
ECAD 1931年 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25B16CSAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B16CSAGR 0.9266
RFQ
ECAD 2242 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25B テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8ソップ - 1970-GD25B16CSAGRTR 2,000 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o -
GD5F4GQ6REYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6REYIGR 6.7891
RFQ
ECAD 7958 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜2V 8-wson (6x8) ダウンロード 1970-GD5F4GQ6REYIGRTR 3,000 80 MHz 不揮発性 4gbit 11 ns フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 600µs
GD25VQ16CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CEIGR -
RFQ
ECAD 6231 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25VQ16 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
GD25LB256EBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EBIRY 2.3562
RFQ
ECAD 9106 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LB トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 24-tfbga ダウンロード 1970-GD25LB256EBIRY 4,800 166 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 70µs、1.2ms
GD25LQ80ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80EGIGR 0.3786
RFQ
ECAD 2065 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25LQ80ESIGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25LQ80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CEIGR -
RFQ
ECAD 4175 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25LQ80 フラッシュ - 1.65V〜2.1V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25Q40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q40ceigr 0.4800
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25Q40 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25LQ16CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CSIGR 0.6100
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25LQ16 フラッシュ - 1.65V〜2.1V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25LQ32DSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32DSIG 0.5485
RFQ
ECAD 1330 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - チューブ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25LQ32 フラッシュ - 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 2.4ms
GD25LQ128DYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DYIGR 2.2300
RFQ
ECAD 521 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD25LQ128 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-wson (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 2.4ms
GD25LB256EYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EYIGY 2.3030
RFQ
ECAD 8775 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LB トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8-wson (6x8) ダウンロード 1970-GD25LB256EYIGY 4,800 166 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 70µs、1.2ms
GD5F2GQ4RF9IGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f2gq4rf9igy -
RFQ
ECAD 6035 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vlga露出パッド GD5F2GQ4 フラッシュ -ナンド 1.7V〜2V 8-lga (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
GD55T01GEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T01GEY2GR 16.7580
RFQ
ECAD 7366 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55T テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8-wson (6x8) - 1970-GD55T01GEY2GRTR 3,000 200 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o、dtr -
GD25LQ40ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40ESIGR 0.3619
RFQ
ECAD 2530 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8ソップ - 1970-GD25LQ40ESIGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 4mbit 6 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 60µs、2.4ms
GD25Q127CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSJGR -
RFQ
ECAD 4258 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25Q127 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 12µs、2.4ms
GD25LE16EEEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE16EEEGR 0.7582
RFQ
ECAD 2735 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8-USON ダウンロード 1970-GD25LE16EEGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 16mbit 6 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o、qpi 100µs 、4ms
GD25D10CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d10ctigr 0.3300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) GD25D10 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi-デュアルi/o 50µs 、4ms
GD25LQ64CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ64CWIGR 1.5800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD25LQ64 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 2.4ms
GD5F4GQ4UBYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gq4ubyigr -
RFQ
ECAD 3755 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD5F4GQ4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-wson (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o
GD25Q16CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJGR 0.6937
RFQ
ECAD 9373 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 120 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25Q32CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSJGR 0.8389
RFQ
ECAD 7479 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25LQ20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20ETIGR 0.3167
RFQ
ECAD 8227 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25LQ20ETIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 2mbit 6 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 60µs、2.4ms
GD25Q127CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSIGR 1.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25Q127 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 12µs、2.4ms
GD25VQ40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25vq40ctigr 0.4033
RFQ
ECAD 3962 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) GD25VQ40 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
GD25Q64CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSJGR 1.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25Q16EEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EEJGR 0.5939
RFQ
ECAD 8216 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード 1970-GD25Q16EEJGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 16mbit 7 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 140µs 、4ms
GD25Q64CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSIG 0.7583
RFQ
ECAD 3050 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - チューブ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25LQ16CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CWIGR -
RFQ
ECAD 8392 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD25LQ16 フラッシュ - 1.65V〜2.1V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫