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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
GD25LB128ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB128EGIGR 1.3057
RFQ
ECAD 2448 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LB テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25LB128EGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
GD25Q32CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CTIG 0.5149
RFQ
ECAD 9200 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - チューブ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) GD25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 20,000 120 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25Q32ENIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q32enigr 0.6646
RFQ
ECAD 7865 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-udfn露出パッド フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード 1970-GD25Q32ENIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 7 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25LQ20COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20COIGR -
RFQ
ECAD 1997年年 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) GD25LQ20 フラッシュ - 1.65V〜2.1V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25Q16CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CSJGR 0.6937
RFQ
ECAD 9373 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 120 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25LQ20ETIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20ETIGR 0.3167
RFQ
ECAD 8227 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25LQ20ETIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 2mbit 6 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 60µs、2.4ms
GD25LQ16CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CNIGR 1.0600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-udfn露出パッド GD25LQ16 フラッシュ - 1.65V〜2.1V 8-USON (4x3) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25LF64ENEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LF64ENEGR 1.2636
RFQ
ECAD 5534 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LF テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-udfn露出パッド フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8-USON ダウンロード 1970-GD25LF64ENEGRTR 3,000 166 MHz 不揮発性 64mbit 5.5 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o、qpi 100µs 、4ms
GD25LB512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEBIRY 4.6550
RFQ
ECAD 1734 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LB トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 24-tfbga ダウンロード 1970-GD25LB512MEBIRY 4,800 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
GD9FS8G8E3ALGJ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS8G8E3ALGJ 17.9949
RFQ
ECAD 2667 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ アクティブ ダウンロード 1970-GD9FS8G8E3ALGJ 2,100
GD25Q32CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CSJGR 0.8389
RFQ
ECAD 7479 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25Q32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CVIGR -
RFQ
ECAD 1931年 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25LE32ELIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE32ELIGR 0.7582
RFQ
ECAD 7661 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 10-XFBGA 、WLCSP フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 10-wlcsp ダウンロード 1970-GD25LE32ELIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD5F4GQ6REYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6REYIGR 6.7891
RFQ
ECAD 7958 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜2V 8-wson (6x8) ダウンロード 1970-GD5F4GQ6REYIGRTR 3,000 80 MHz 不揮発性 4gbit 11 ns フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 600µs
GD25Q32CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q32ctigr 1.0100
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) GD25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD9FS1G8F3ALGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS1G8F3ALGI 2.6557
RFQ
ECAD 4718 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ アクティブ - 1970-GD9FS1G8F3ALGI 2,100
GD25WD05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd05ceigr 0.2885
RFQ
ECAD 1652 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25WD05 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi -quad i/o -
GD25Q64CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSIG 0.7583
RFQ
ECAD 3050 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - チューブ 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 120 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25VQ40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25vq40ctigr 0.4033
RFQ
ECAD 3962 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) GD25VQ40 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
GD55B02GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55B02GEB2RY 26.6125
RFQ
ECAD 7728 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55B トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 24-tbga フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 24-tfbga - 1970-GD55B02GEB2RY 4,800 133 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o -
GD25Q16EEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16EEJGR 0.5939
RFQ
ECAD 8216 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード 1970-GD25Q16EEJGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 16mbit 7 ns フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 140µs 、4ms
GD25LQ16CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16CWIGR -
RFQ
ECAD 8392 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD25LQ16 フラッシュ - 1.65V〜2.1V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25Q64CSJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CSJGR 1.5500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25LT512MEY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT512MEY2GY 8.3285
RFQ
ECAD 2372 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LT トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8-wson (6x8) - 1970-GD25LT512MEY2GY 4,800 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
GD25LQ80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ80CEIGR -
RFQ
ECAD 4175 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25LQ80 フラッシュ - 1.65V〜2.1V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25Q16CWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q16CWIGR -
RFQ
ECAD 5049 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD25Q16 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25VQ80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25vq80ceigr -
RFQ
ECAD 5891 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25VQ80 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
GD25LQ40ESIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40ESIGR 0.3619
RFQ
ECAD 2530 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8ソップ - 1970-GD25LQ40ESIGRTR 2,000 133 MHz 不揮発性 4mbit 6 ns フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 60µs、2.4ms
GD25Q127CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSIGR 1.9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25Q127 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 12µs、2.4ms
GD25D05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d05ceigr 0.2404
RFQ
ECAD 3862 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25D05 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi-デュアルi/o 50µs 、4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫