画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GD9FS2G8F3ALGI | 4.7455 | ![]() | 9598 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜1.95V | 63-FBGA (9x11) | ダウンロード | 1970-GD9FS2G8F3ALGI | 2,100 | 不揮発性 | 2Gbit | 20 ns | フラッシュ | 256m x 8 | 平行 | 25ns | ||||||||
![]() | GD25T512MEY2GR | 8.1203 | ![]() | 4811 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25T | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25T512MEY2GRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o、dtr | - | ||||||||
![]() | GD25LQ16ENAGR | 1.0670 | ![]() | 2163 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2.1V | 8-USON | - | 1970-GD25LQ16ENAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | |||||||
![]() | GD25LE16EEEGR | 0.7582 | ![]() | 2735 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LE16EEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | |||||||
![]() | GD5F4GQ6REYIGR | 6.7891 | ![]() | 7958 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜2V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | 1970-GD5F4GQ6REYIGRTR | 3,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 4gbit | 11 ns | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 600µs | |||||||
![]() | GD25LQ64ET2GY | 1.2776 | ![]() | 6914 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LQ64ET2GY | 4,320 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |||||||
![]() | GD25LQ64ES2GR | 1.2272 | ![]() | 9109 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LQ64ES2GRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |||||||
![]() | GD25F128ESIGY | 1.1934 | ![]() | 7509 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | - | 1970-GD25F128ESIGY | 3,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | GD25WD05CKIGR | 0.3016 | ![]() | 2332 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WD | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65v〜3.6V | 8-USON(1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25WD05CKIGRTR | 3,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 12 ns | フラッシュ | 64k x 8 | spi-デュアルi/o | 55µs 、6ms | |||||||
![]() | GD25R128EYIGR | 1.6388 | ![]() | 3645 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25R | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25R128EYIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
![]() | GD25WQ16EGIGR | 0.5387 | ![]() | 6785 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25WQ16EGRTR | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 12 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | |||||||
![]() | GD25B512MEY2GR | 6.5028 | ![]() | 1666 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25B512MEY2GRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
![]() | GD25D40CKIGR | 0.3368 | ![]() | 1826年年 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25D | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-USON(1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25D40CKIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 6 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi-デュアルi/o | 50µs 、4ms | |||||||
![]() | GD25LE64ESIGR | 0.8045 | ![]() | 7779 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LE64ESIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |||||||
![]() | GD25Q128EQIGR | 1.2544 | ![]() | 8834 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-USON (4x4) | ダウンロード | 1970-GD25Q128EQIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |||||||
![]() | gd25d20etigr | 0.2257 | ![]() | 1882年年 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25D | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25D20ETIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi-デュアルi/o | 50µs 、4ms | |||||||
![]() | GD25LT512MEFIRR | 5.6176 | ![]() | 8836 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LT | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 16ソップ | - | 1970-GD25LT512MEFIRRTR | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
![]() | GD25LE2555555555555 | 2.1993 | ![]() | 1072 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LE255ESIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |||||||
![]() | GD25B64EWIGY | 0.8247 | ![]() | 7928 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25B64EWIGY | 5,700 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |||||||
![]() | GD25LF25555555555555 | 2.3876 | ![]() | 7722 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LF | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LF255ELIGRTR | 3,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
![]() | GD25LQ128DWIGR | 2.2900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | GD25LQ128 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8-wson | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 2.4ms | |||
![]() | gd25lh32enigr | 0.7301 | ![]() | 2833 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | - | 1970-GD25LH32ENIGRTR | 3,000 | |||||||||||||||||||||
![]() | GD25LB256EYIGY | 2.3030 | ![]() | 8775 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | 1970-GD25LB256EYIGY | 4,800 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、1.2ms | |||||||
![]() | GD25LD05CKIGR | 0.2865 | ![]() | 1092 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LD | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-USON(1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25LD05CKIGRTR | 3,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 12 ns | フラッシュ | 64k x 8 | spi-デュアルi/o | 55µs 、6ms | |||||||
![]() | GD25VQ20CTIGR | - | ![]() | 6230 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | GD25VQ20 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | gd9fu8g8e3algi | 14.6965 | ![]() | 8559 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | ダウンロード | 1970-GD9FU8G8E3ALGI | 2,100 | |||||||||||||||||||||
![]() | GD25F256FY2GR | 3.6639 | ![]() | 5791 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25F256FY2GRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
![]() | GD25Q32EEIGR | 0.6843 | ![]() | 7928 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-gd25q32eeigrtr | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |||||||
![]() | GD25Q127CBIGY | - | ![]() | 2814 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | GD25Q127 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,800 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 12µs、2.4ms | |||
![]() | gd25wd05ceigr | 0.2885 | ![]() | 1652 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | GD25WD05 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi -quad i/o | - |
毎日の平均RFQボリューム
標準製品ユニット
世界的なメーカー
在庫倉庫