画像 | 製品番号 | 価格(USD) | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重( kg) | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル(MSL) | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
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![]() | GD25LB128EGIGR | 1.3057 | ![]() | 2448 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LB128EGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
![]() | GD25Q32CTIG | 0.5149 | ![]() | 9200 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | GD25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 20,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
![]() | gd25q32enigr | 0.6646 | ![]() | 7865 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25Q32ENIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |||||||
GD25LQ20COIGR | - | ![]() | 1997年年 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) | GD25LQ20 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8-tssop | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | ||||
![]() | GD25Q16CSJGR | 0.6937 | ![]() | 9373 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | GD25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
![]() | GD25LQ20ETIGR | 0.3167 | ![]() | 8227 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LQ20ETIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | |||||||
![]() | GD25LQ16CNIGR | 1.0600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | GD25LQ16 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8-USON (4x3) | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
![]() | GD25LF64ENEGR | 1.2636 | ![]() | 5534 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LF | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜125°C(タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LF64ENEGRTR | 3,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 5.5 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | |||||||
![]() | GD25LB512MEBIRY | 4.6550 | ![]() | 1734 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 24-tfbga | ダウンロード | 1970-GD25LB512MEBIRY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
![]() | GD9FS8G8E3ALGJ | 17.9949 | ![]() | 2667 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | ダウンロード | 1970-GD9FS8G8E3ALGJ | 2,100 | |||||||||||||||||||||
![]() | GD25Q32CSJGR | 0.8389 | ![]() | 7479 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | GD25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
![]() | GD25Q32CVIGR | - | ![]() | 1931年 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | GD25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-VSOP | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
![]() | GD25LE32ELIGR | 0.7582 | ![]() | 7661 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 10-XFBGA 、WLCSP | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 10-wlcsp | ダウンロード | 1970-GD25LE32ELIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |||||||
![]() | GD5F4GQ6REYIGR | 6.7891 | ![]() | 7958 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand(slc) | 1.7V〜2V | 8-wson (6x8) | ダウンロード | 1970-GD5F4GQ6REYIGRTR | 3,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 4gbit | 11 ns | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 600µs | |||||||
![]() | gd25q32ctigr | 1.0100 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | GD25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
![]() | GD9FS1G8F3ALGI | 2.6557 | ![]() | 4718 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | - | 1970-GD9FS1G8F3ALGI | 2,100 | |||||||||||||||||||||
![]() | gd25wd05ceigr | 0.2885 | ![]() | 1652 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | GD25WD05 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi -quad i/o | - | |||
![]() | GD25Q64CSIG | 0.7583 | ![]() | 3050 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | GD25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 9,500 | 120 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
![]() | gd25vq40ctigr | 0.4033 | ![]() | 3962 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) | GD25VQ40 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | GD55B02GEB2RY | 26.6125 | ![]() | 7728 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55B | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | 1970-GD55B02GEB2RY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
![]() | GD25Q16EEJGR | 0.5939 | ![]() | 8216 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - (slc) | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25Q16EEJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | |||||||
![]() | GD25LQ16CWIGR | - | ![]() | 8392 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | GD25LQ16 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8-wson | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
![]() | GD25Q64CSJGR | 1.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | GD25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
![]() | GD25LT512MEY2GY | 8.3285 | ![]() | 2372 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LT | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C(Ta) | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8-wson (6x8) | - | 1970-GD25LT512MEY2GY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
![]() | GD25LQ80CEIGR | - | ![]() | 4175 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | GD25LQ80 | フラッシュ - | 1.65V〜2.1V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
![]() | GD25Q16CWIGR | - | ![]() | 5049 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | GD25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
![]() | gd25vq80ceigr | - | ![]() | 5891 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | sicで中止されました | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | GD25VQ80 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
![]() | GD25LQ40ESIGR | 0.3619 | ![]() | 2530 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | フラッシュ - (slc) | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LQ40ESIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 6 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | |||||||
![]() | GD25Q127CSIGR | 1.9600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) | GD25Q127 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 12µs、2.4ms | |||
![]() | gd25d05ceigr | 0.2404 | ![]() | 3862 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ&リール( tr) | アクティブ | -40°C〜85°C(タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | GD25D05 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 (168 時間) | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi-デュアルi/o | 50µs 、4ms |
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