SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
GD5F4GQ4UCYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gq4ucyigy -
RFQ
ECAD 2289 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD5F4GQ4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-wson (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o
GD25LQ05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lq05ceigr -
RFQ
ECAD 9229 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25LQ05 フラッシュ - 1.65V〜2.1V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25WD20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd20ceigr 0.5200
RFQ
ECAD 2448 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25WD20 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o -
GD5F4GQ4RCYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd5f4gq4rcyigy -
RFQ
ECAD 1688 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD5F4GQ4 フラッシュ -ナンド 1.7V〜2V 8-wson (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o
GD25VQ16CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ16CTIG -
RFQ
ECAD 9944 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) GD25VQ16 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 20,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
GD25LD80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ld80ceigr 0.4033
RFQ
ECAD 9208 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25LD80 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi-デュアルi/o 60µs 、6ms
GD25Q64EBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64EBIGY 0.8923
RFQ
ECAD 9886 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード 1970-GD25Q64EBIGY 4,800 133 MHz 不揮発性 64mbit 7 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25LQ128DWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ128DWIGR 2.2900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD25LQ128 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 2.4ms
GD25WD40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25wd40ceigr 0.3752
RFQ
ECAD 7679 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25WD40 フラッシュ - 1.65v〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o -
GD25B128EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128EWIGY 1.2342
RFQ
ECAD 2947 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25B トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード 1970-GD25B128EWIGY 5,700 133 MHz 不揮発性 128mbit 7 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25Q256EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q256EWIGR 3.7500
RFQ
ECAD 7789 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3,000 133 MHz 不揮発性 256mbit 7 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 90µs 、2ms
GD25LQ40COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40COIGR -
RFQ
ECAD 5725 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-TSSOP (0.173 "、幅4.40mm) GD25LQ40 フラッシュ - 1.65V〜2.1V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25LF128EQEGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25lf128equgr 1.9209
RFQ
ECAD 2689 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LF テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 8-XDFN露出パッド フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8-USON (4x4) ダウンロード 1970-GD25LF128EQEGRTR 3,000 166 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o -
GD25LQ16LIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ16Ligr 0.7052
RFQ
ECAD 3049 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFBGA 、WLCSP GD25LQ16 フラッシュ - 1.65V〜2.1V 8-wlcsp ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD5F2GQ4UEYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4UEYIGY -
RFQ
ECAD 2825 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD5F2GQ4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-wson (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
GD25LQ32EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ32EEIGR 0.7020
RFQ
ECAD 8164 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - (slc) 1.65V〜2V 8-USON ダウンロード 1970-GD25LQ32EEIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 32mbit 6 ns フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25VQ20CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25VQ20CTIGR -
RFQ
ECAD 6230 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) GD25VQ20 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
GD25VE16CSIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ve16csig -
RFQ
ECAD 8920 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25ve16 フラッシュ - 2.1V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 9,500 104 MHz 不揮発性 16mbit フラッシュ 2m x 8 spi -quad i/o -
GD25LD20CUIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ld20cuigr -
RFQ
ECAD 7417 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25LD20 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi-デュアルi/o 97µs 、6ms
GD25LQ20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20CEIGR -
RFQ
ECAD 2521 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25LQ20 フラッシュ - 1.65V〜2.1V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25Q20CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q20ceigr 0.5700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) 新しいデザインではありません -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25Q20 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25VQ40CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25vq40ceigr -
RFQ
ECAD 6660 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25VQ40 フラッシュ - 2.3V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 50µs、3ms
GD25VE32CVIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ve32cvigr -
RFQ
ECAD 3038 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) sicで中止されました -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25ve32 フラッシュ - 2.1V〜3.6V 8-VSOP ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o -
GD25B512MEY2GR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B512MEY2GR 6.5028
RFQ
ECAD 1666 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25B テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 8-wson (6x8) - 1970-GD25B512MEY2GRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
GD25D05CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d05ceigr 0.2404
RFQ
ECAD 3862 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド GD25D05 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 100 MHz 不揮発性 512kbit フラッシュ 64k x 8 spi-デュアルi/o 50µs 、4ms
GD25Q127CSJG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q127CSJG -
RFQ
ECAD 1705 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - チューブ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) GD25Q127 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 9,500 104 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 12µs、2.4ms
GD5F2GQ5UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEYIGR 3.9884
RFQ
ECAD 8461 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand(slc) 2.7V〜3.6V 8-wson (6x8) ダウンロード 1970-GD5F2GQ5UEYIGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 2Gbit 9 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 600µs
GD55X01GEFIRR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd55x01gefirr 13.2372
RFQ
ECAD 1651 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55X テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 16-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) フラッシュ - (slc) 2.7V〜3.6V 16ソップ - 1970-GD55X01GEFIRRTR 1,000 200 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 SPI -OCTAL I/O、DTR -
GD55F512MFWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55F512MFWIGR 4.3329
RFQ
ECAD 5638 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ&リール( tr) アクティブ - 1970-GD55F512MFWIGRTR 3,000
GD25Q32CBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32CBIGY -
RFQ
ECAD 1367 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 24-tbga GD25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫