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統合サーキット（ICS ）（847）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | その他の名前 | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25LB256EBARY | 4.0400 |  | 4974 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | - | 1970-GD25LB256EBARY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 140µs、3ms | |
| gd25wq16tigr | 0.5387 | | 1398 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25WQ16Tigrtr | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 12 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | |
| GD25WQ32ESJGR | 0.7989 | | 2679 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25WQ32ESJGRTR | 2,000 | 84 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 8 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 240µs 、8ms | |
| GD25B256EYIGY | 2.2236 | | 9901 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25B256EYIGY | 4,800 | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| GD25LF128EGIGR | 1.2681 | | 7624 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LF | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LF128EGRTR | 2,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| gd25lq32eeegr | 0.9828 | | 3824 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LQ32EEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | |
| GD25F64FS2GR | 1.3198 | | 4848 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | 1970-GD25F64FS2GRTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、dtr | - | ||
| GD25WQ80ETIGR | 0.4242 | | 3203 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25WQ80ETIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 12 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | |
| GD9FU2G8F2ALGI | 4.5698 | | 7867 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 63-FBGA （9x11） | ダウンロード | 1970-GD9FU2G8F2ALGI | 2,100 | 不揮発性 | 2Gbit | 18 ns | フラッシュ | 256m x 8 | onfi | 20ns | ||
| GD25B256EWIGY | 2.3163 | | 5527 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25B256EWIGY | 5,700 | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| gd25lb16etigr | 0.5242 | | 10000 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2.1V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-gd25lb16etigrtr | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25LE32EQIGR | 0.7301 | | 8523 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON （4x4） | ダウンロード | 1970-GD25LE32EQIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25LB256E3IRR | 2.6281 | | 6314 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-XFBGA 、WLCSP | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 48-wlcsp | ダウンロード | 1970-GD25LB256E3IRRTR | 3,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、1.2ms | |
| GD5F1GQ5UEY2GY | 3.6575 | | 7204 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD5F1GQ5UEY2GY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 256m x 4 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | |
| GD25LB16EWIGR | 0.6261 | | 1694 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2.1V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25LB16EWIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25R256EYIGR | 2.7941 | | 1941年年 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25R | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD25R256EYIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25Q32ETJGR | 0.6989 | | 5631 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25Q32ETJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | |
| GD25B128EYIGR | 1.3198 | | 8685 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25B128EYIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |
| GD5F1GM7REWIGY | 2.2630 | | 3297 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD5F1GM7REWIGY | 5,700 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 9 ns | フラッシュ | 256m x 4 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | |
| gd25lb64esigr | 0.8045 | | 5543 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LB64EGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25LE64E3IGR | 0.9266 | | 6060 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFBGA 、WLCSP | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wlcsp | - | 1970-GD25LE64E3IGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25Q32ESJGR | 0.7134 | | 8769 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25Q32ESJGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | |
| GD25LE16E3IGR | 0.6261 | | 5267 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFBGA 、WLCSP | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wlcsp | ダウンロード | 1970-GD25LE16E3IGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| gd25le64enigr | 0.8863 | | 9284 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LE64ENIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25Q40EKIGR | 0.3676 | | 5568 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON（1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25Q40EKIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 7 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 70µs 、2ms | |
| GD25LQ32ES2GR | 0.9272 | | 7348 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LQ32ES2GRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD9FS1G8F2ALGI | 2.6557 | | 7455 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 63-FBGA （9x11） | - | 1970-GD9FS1G8F2ALGI | 2,100 | 不揮発性 | 1gbit | 30 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 45ns | ||
| gd9fu1g8f2algi | 2.4985 | | 8902 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 63-FBGA （9x11） | ダウンロード | 1970-GD9FU1G8F2ALGI | 2,100 | 不揮発性 | 1gbit | 20 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | ||
| GD55LT01GEBIRY | 10.8794 | | 5698 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55LT | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | - | 1970-GD55LT01GEBIRY | 4,800 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| GD9FS8G8E3ALGI | 14.8694 | | 1833 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | ダウンロード | 1970-GD9FS8G8E3ALGI | 2,100 |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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