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統合サーキット（ICS ）（847）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | その他の名前 | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | gd9fu1g8f2algi | 2.4985 |  | 8902 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 63-FBGA （9x11） | ダウンロード | 1970-GD9FU1G8F2ALGI | 2,100 | 不揮発性 | 1gbit | 20 ns | フラッシュ | 128m x 8 | 平行 | 25ns | ||
| GD55LT01GEBIRY | 10.8794 | | 5698 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55LT | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | - | 1970-GD55LT01GEBIRY | 4,800 | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| GD9FS8G8E3ALGI | 14.8694 | | 1833 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | ダウンロード | 1970-GD9FS8G8E3ALGI | 2,100 | |||||||||||||||
| gd25d20eeigr | 0.2865 | | 1849 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25D | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25D20EEGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi-デュアルi/o | 50µs 、4ms | |
| GD25WQ80EGIGR | 0.4368 | | 7786 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25WQ80ESIGRTR | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 12 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | |
| GD25D20EKIGR | 0.2865 | | 1629 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25D | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON（1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25D20EKIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi-デュアルi/o | 50µs 、4ms | |
| GD25LF255555555555 | 2.1993 | | 5473 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LF | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LF255ESIGRTR | 2,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25F256FYIGR | 2.3791 | | 6103 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25F | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD25F256FYIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25WD40EEIGR | 0.3619 | | 8680 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WD | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25WD40EEGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 6 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi-デュアルi/o | 100μs6ms | |
| GD5F2GQ5UFYIGR | 3.9884 | | 4325 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 1970-GD5F2GQ5UFYIGRTR | 3,000 | |||||||||||||||
| GD25Q80EEAGR | 0.7134 | | 9852 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | - | 1970-GD25Q80EEAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 7 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | |
| GD25B32ET2GR | 0.9266 | | 8095 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | - | 1970-GD25B32ET2GRTR | 3,000 | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| GD25LB64ENIGR | 0.9126 | | 6403 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LB64ENIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25D80CSIGR | 0.2865 | | 7950 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25D | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25D80CSIGRTR | 2,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi-デュアルi/o | 50µs 、4ms | |
| GD25LB512ME3IRR | 4.8056 | | 4077 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LB512ME3IRRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD5F4GM8REYIGY | 5.9850 | | 2866 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD5F4GM8REYIGY | 4,800 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | 9 ns | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | |
| GD25D40EEIGR | 0.3016 | | 6462 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25D | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25D40EEGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 6 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi-デュアルi/o | 50µs 、4ms | |
| GD25Q64EZIGY | 0.8923 | | 9870 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | 1970-GD25Q64EZIGY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |
| gd25q64equgr | 1.1653 | | 4464 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON （4x4） | ダウンロード | 1970-GD25Q64EQEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | |
| gd25le32eeegr | 1.0109 | | 5482 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LE32EEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | |
| GD25X512MEFIRR | 6.4724 | | 5139 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25X | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | - | 1970-GD25X512MEFIRRTR | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | SPI -OCTAL I/O | - | ||
| GD25B128ESIGY | 1.1590 | | 1482 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25B128ESIGY | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |
| GD25Q256EYEGR | 3.2782 | | 9825 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25Q256EYEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25WD05CK6IGR | 0.3318 | | 2665 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WD | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON（1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25WD05CK6IGRTR | 3,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 512kbit | 12 ns | フラッシュ | 64k x 8 | spi-デュアルi/o | 55µs 、6ms | |
| GD25Q40EEIGR | 0.3619 | | 9407 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25Q40EEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 7 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 70µs 、2ms | |
| GD25LR64EGIGR | 1.2215 | | 1157 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LR | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | - | 1970-GD25LR64EGRTR | 2,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| GD25LQ128DY2GY | 2.1331 | | 1815年 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD25LQ128DY2GY | 4,800 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 2.4ms | |
| GD25B512MEB2RY | 6.7830 | | 1666 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | 1970-GD25B512MEB2RY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| gd25wq64equgr | 1.2917 | | 7123 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON （4x4） | ダウンロード | 1970-GD25WQ64EQEGRTR | 3,000 | 84 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 12 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 240µs 、8ms | |
| gd25ld40eeigr | 0.3318 | | 7225 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LD | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LD40EEGRTR | 3,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 12 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi-デュアルi/o | 100μs6ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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