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統合サーキット（ICS ）（847）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | その他の名前 | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25LB128EFIRR | 1.4281 |  | 4951 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 16ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LB128EFIRRTR | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| gd55le511meyigr | 4.3805 | | 6491 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 1970-GD55LE511MEYIGRTR | 3,000 | |||||||||||||||
| GD25Q128EBIRY | 1.2979 | | 4294 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | 1970-GD25Q128EBIRY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |
| GD25Q128EBJRY | 1.4997 | | 3531 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | 1970-GD25Q128EBJRY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | |
| GD25LQ80EEAGR | 0.7363 | | 7204 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | - | 1970-GD25LQ80EEAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | |
| GD5F4GQ6REYJGY | 7.7273 | | 5411 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD5F4GQ6REYJGY | 4,800 | 80 MHz | 不揮発性 | 4gbit | 11 ns | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 600µs | |
| GD25WQ64ESIGY | 0.8424 | | 7338 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25WQ64ESIGY | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 12 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | |
| GD25R256EWIGY | 2.7157 | | 2877 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25R | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson | - | 1970-GD25R256EWIGY | 5,700 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
| gd25lf32eeegr | 1.0109 | | 9099 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LF | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LF32EEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 5.5 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 100µs 、4ms | |
| GD25LE128 EQUGR | 1.9780 | | 4946 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON （4x4） | ダウンロード | 1970-GD25LE128EQEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | |
| GD25WQ128EQIGR | 1.4385 | | 9818 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON （4x4） | ダウンロード | 1970-GD25WQ128EQIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 8 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | |
| GD25LQ25555555555555555555 | 2.1896 | | 4579 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-gd25lq255eyigrtr | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||
| gd25d40ctigr | 0.2714 | | 6762 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25D | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25D40CTIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 6 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi-デュアルi/o | 50µs 、4ms | |
| GD25WD80CKIGR | 0.4514 | | 3465 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WD | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON（1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25WD80CKIGRTR | 3,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 12 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi-デュアルi/o | 60µs 、6ms | |
| GD25LD20ETIGR | 0.2343 | | 5339 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LD | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LD20ETIGRTR | 3,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 12 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi-デュアルi/o | 100μs6ms | |
| GD25WQ64EQIGR | 0.9266 | | 5857 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON （4x4） | ダウンロード | 1970-GD25WQ64EQIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 12 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | |
| gd25q40ce2gr | 0.5678 | | 9651 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | - | 1970-GD25Q40CE2GRTR | 3,000 | 80 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 7 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 60µs 、4ms | |
| gd5f4gm5rfyigy | 6.2620 | | 1854年年 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | - | 1970-GD5F4GM5RFYIGY | 4,800 | |||||||||||||||
| gd5f1gq5reyihy | 2.3962 | | 9242 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD5F1GQ5REYIHY | 4,800 | 104 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 9.5 ns | フラッシュ | 256m x 4 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | |
| GD25LQ20CE2GR | 0.5678 | | 2925 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2.1V | 8-USON | - | 1970-GD25LQ20CE2GRTR | 3,000 | 90 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 7 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 80µs、3ms | |
| gd25b64enigr | 0.8564 | | 3834 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25B64ENIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |
| gd25le32eeigr | 0.7090 | | 6518 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LE32EEIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25Q40ETIGR | 0.3076 | | 7783 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25Q40ETIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 7 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 70µs 、2ms | |
| GD25B256EBIRY | 2.3163 | | 1310 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | 1970-GD25B256EBIRY | 4,800 | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| GD25LE128EWJGR | 1.7013 | | 2726 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25LE128EWJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 6 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD25LB256EWIGR | 2.3929 | | 9122 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25LB256EWIGRTR | 3,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、1.2ms | |
| GD25LQ32ESJGR | 0.7090 | | 7409 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LQ32ESJGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |
| GD55LX01GEBIRY | 13.0553 | | 5265 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55LX | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | - | 1970-GD55LX01GEBIRY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | SPI -OCTAL I/O、DTR | - | ||
| GD5F4GM8REWIGR | 6.3544 | | 3728 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD5F4GM8REWIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 4gbit | 9 ns | フラッシュ | 1g x 4 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | |
| GD25LF32ESIGR | 0.6552 | | 8715 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LF | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LF32ESIGRTR | 2,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 5.5 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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