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統合サーキット（ICS ）（847）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | その他の名前 | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | gd5f1gq5ueyihy | 2.3296 |  | 5815 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD5F1GQ5UEYIHY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 256m x 4 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | ||
| GD25B256EYIGR | 2.3105 | | 2302 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25B256EYIGRTR | 3,000 | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||
| gd25d20ceigr | 0.2636 | | 7400 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25D | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25D20CEIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi-デュアルi/o | 50µs 、4ms | ||
| gd9fu8g8e3amgi | 14.7368 | | 4073 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | 1970-GD9FU8G8E3AMGI | 960 | 不揮発性 | 8gbit | 18 ns | フラッシュ | 1g x 8 | onfi | 20ns | |||
| GD25LQ40ETIGR | 0.3515 | | 4553 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LQ40ETIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 6 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | ||
| GD25Q128EFIRR | 1.3327 | | 4318 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | ダウンロード | 1970-GD25Q128EFIRRTR | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | ||
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| gd55b01geb2ry | 13.2000 | | 1887 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55B | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | 1970-GD55B01GEB2RY | 8542.32.0071 | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | - | ||
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| GD25WQ32ENIGR | 0.7582 | | 3291 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25WQ32ENIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 8 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | ||
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| GD25Q80ENJGR | 0.5090 | | 7262 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25Q80ENJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 7 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | ||
| GD5F1GQ5UEYIGR | 2.3508 | | 2789 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD5F1GQ5UEYIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 256m x 4 | spi -quad i/o | 600µs | ||
| gd25wq32etigr | 0.6843 | | 3836 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-gd25wq32etigrtr | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 8 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | ||
| GD25LE80ELIGR | 0.4666 | | 3418 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-xfbga wlcsp | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 16-wlcsp | ダウンロード | 1970-GD25LE80ELIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 8mbit | 6 ns | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | ||
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| GD25LB16EGIGR | 0.5242 | | 8856 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2.1V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LB16EGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | ||
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| GD25LB128EFIRR | 1.4281 | | 4951 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 16ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LB128EFIRRTR | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| gd55le511meyigr | 4.3805 | | 6491 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 1970-GD55LE511MEYIGRTR | 3,000 | ||||||||||||||||
| GD25Q128EBIRY | 1.2979 | | 4294 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | 1970-GD25Q128EBIRY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | ||
| GD25Q128EBJRY | 1.4997 | | 3531 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | 1970-GD25Q128EBJRY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | ||
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| GD25WQ64ESIGY | 0.8424 | | 7338 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WQ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25WQ64ESIGY | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 12 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 120µs 、4ms | ||
| GD25R256EWIGY | 2.7157 | | 2877 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25R | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson | - | 1970-GD25R256EWIGY | 5,700 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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