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統合サーキット（ICS ）（847）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
GD25LB256EY2GY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB256EY2GY 3.4340
RFQ
 ECAD 9227 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LB トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-wson （6x8） - 1970-GD25LB256EY2GY 4,800 166 MHz 不揮発性 256mbit 5 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 140µs 、2ms
GD25Q20EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20EKIGR 0.3515
RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-USON（1.5x1.5 ダウンロード 1970-GD25Q20EKIGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 2mbit 7 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 70µs 、2ms
GD25LX512MEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LX512MEBIRY 6.3271
RFQ
 ECAD 6051 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LX トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 24-tfbga - 1970-GD25LX512MEBIRY 4,800 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 SPI -OCTAL I/O、DTR -
GD5F4GQ6UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ6UEYIGR 6.6560
RFQ
 ECAD 3321 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード 1970-GD5F4GQ6UEYIGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 4gbit 9 ns フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 600µs
GD25LD40CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25ld40ctig -
RFQ
 ECAD 4889 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） GD25LD40 フラッシュ - 1.65V〜2V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 20,000 50 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi-デュアルi/o 97µs 、6ms
GD25Q64ESIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64ESIGY 0.6954
RFQ
 ECAD 2778 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード 1970-GD25Q64ESIGY 3,000 133 MHz 不揮発性 64mbit 7 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25LQ20EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ20EEAGR 0.6080
RFQ
 ECAD 7088 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-USON - 1970-GD25LQ20EEAGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 2mbit 6 ns フラッシュ 256k x 8 spi -quad i/o 100µs 、4ms
GD25LB512MEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LB512MEB2RY 7.3283
RFQ
 ECAD 5552 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LB トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 24-tfbga - 1970-GD25LB512MEB2RY 4,800 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o -
GD25Q64CPIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q64CPIG -
RFQ
 ECAD 3785 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - チューブ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-dip （0.260 "、6.60mm） GD25Q64 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ディップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 120 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25LE80EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE80EEIGR 0.4659
RFQ
 ECAD 2264 0.00000000 Gigadevice Semiconductor gd25le テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 8-USON ダウンロード 1970-GD25LE80EEGRTR 3,000 133 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o、qpi 60µs、2.4ms
GD25LD20COIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LD20COIGR 0.2885
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm） GD25LD20 フラッシュ - 1.65V〜2V 8-tssop ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 50 MHz 不揮発性 2mbit フラッシュ 256k x 8 spi-デュアルi/o 97µs 、6ms
GD25LE128DLIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LE128DLIGR -
RFQ
 ECAD 7670 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 21-XFBGA 、WLSCP GD25LE128 フラッシュ - 1.65V〜2V 21-wlcsp ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 128mbit フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 2.4ms
GD55X01GEBIRY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd55x01gebiry 12.8478
RFQ
 ECAD 1606 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD55X トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 24-tfbga - 1970-GD55X01GEBIRY 4,800 200 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 SPI -OCTAL I/O、DTR -
GD25B128EWIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25B128EWIGR 2.1800
RFQ
 ECAD 6120 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3,000 133 MHz 不揮発性 128mbit 7 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25Q80CSIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q80CSIGR 0.6100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 新しいデザインではありません -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） GD25Q80 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 2,000 120 MHz 不揮発性 8mbit フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD25D80CEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25d80ceigr 0.3368
RFQ
 ECAD 4688 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25D テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-USON ダウンロード 1970-GD25D80CEIGRTR 3,000 100 MHz 不揮発性 8mbit 6 ns フラッシュ 1m x 8 spi-デュアルi/o 50µs 、4ms
GD25Q32CNIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q32Cnigr 0.8900
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-udfn露出パッド GD25Q32 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-USON （4x3） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 32mbit フラッシュ 4m x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
GD5F2GQ5UEBIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ5UEBIGY 3.9138
RFQ
 ECAD 3108 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 24-tbga フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 24-tfbga ダウンロード 1970-GD5F2GQ5UEBIGY 4,800 104 MHz 不揮発性 2Gbit 9 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 600µs
GD9FU4G8F2AMGI GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FU4G8F2AMGI 7.0543
RFQ
 ECAD 7078 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD9F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード 1970-GD9FU4G8F2AMGI 960 不揮発性 4gbit 18 ns フラッシュ 512m x 8 onfi 20ns
GD5F2GM7UEWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GM7UEWIGY 3.5910
RFQ
 ECAD 4818 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD5F トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード 1970-GD5F2GM7UEWIGY 5,700 133 MHz 不揮発性 2Gbit 7 ns フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o、dtr 600µs
GD9FS4G8F2ALGJ GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD9FS4G8F2ALGJ 8.2869
RFQ
 ECAD 9544 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ アクティブ ダウンロード 1970-GD9FS4G8F2ALGJ 2,100
GD25Q64EWIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited gd25q64ewigy 0.8112
RFQ
 ECAD 4020 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25Q トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 8-wson ダウンロード 1970-GD25Q64EWIGY 5,700 133 MHz 不揮発性 64mbit 7 ns フラッシュ 8m x 8 spi -quad i/o 70µs、2.4ms
GD25WQ80EEIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WQ80EEIGR 0.4950
RFQ
 ECAD 1827年 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25WQ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-XFDFN露出パッド フラッシュ - （slc） 1.65v〜3.6V 8-USON ダウンロード 1970-GD25WQ80EEGRTR 3,000 104 MHz 不揮発性 8mbit 12 ns フラッシュ 1m x 8 spi -quad i/o 120µs 、4ms
GD25T512MEF2RR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25T512MEF2RR 8.3545
RFQ
 ECAD 5535 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25T テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） フラッシュ - （slc） 2.7V〜3.6V 16ソップ - 1970-GD25T512MEF2RRTR 1,000 200 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi -quad i/o、dtr -
GD25LT256EB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LT256EB2RY 4.4422
RFQ
 ECAD 7979 0.00000000 Gigadevice Semiconductor GD25LT トレイ アクティブ -40°C〜105°C（Ta） 表面マウント 24-tbga フラッシュ - （slc） 1.65V〜2V 24-tfbga - 1970-GD25LT256EB2RY 4,800 200 MHz 不揮発性 256mbit 6 ns フラッシュ 32m x 8 spi -quad i/o 140µs 、2ms
GD5F4GQ4UBYIGY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F4GQ4UBYIGY -
RFQ
 ECAD 3566 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD5F4GQ4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 4,800 120 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o
GD5F1GQ4UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F1GQ4UEYIGR -
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD5F1GQ4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
GD25D10CTIG GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25D10CTIG -
RFQ
 ECAD 9276 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） GD25D10 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 20,000 100 MHz 不揮発性 1mbit フラッシュ 128k x 8 spi-デュアルi/o 50µs 、4ms
GD5F2GQ4UEYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD5F2GQ4UEYIGR -
RFQ
 ECAD 9158 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-wdfn露出パッド GD5F2GQ4 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 8-wson （6x8） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 3,000 120 MHz 不揮発性 2Gbit フラッシュ 256m x 8 spi -quad i/o 700µs
GD25LQ40CTIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LQ40CTIGR 0.5000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Gigadevice Semiconductor - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） GD25LQ40 フラッシュ - 1.65V〜2.1V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 不揮発性 4mbit フラッシュ 512k x 8 spi -quad i/o 50µs、2.4ms
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

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