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統合サーキット（ICS ）（847）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
GD5F2GM7UEWIGY	3.5910	RFQ	4818	Gigadevice Semiconductor	GD5F	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド		フラッシュ-nand（slc）	2.7V〜3.6V	8-wson	ダウンロード				1970-GD5F2GM7UEWIGY			5,700	133 MHz	不揮発性	2Gbit	7 ns	フラッシュ	256m x 8	spi -quad i/o、dtr	600µs
gd25q64ewigy	0.8112	RFQ	4020	Gigadevice Semiconductor	GD25Q	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド		フラッシュ - （slc）	2.7V〜3.6V	8-wson	ダウンロード				1970-GD25Q64EWIGY			5,700	133 MHz	不揮発性	64mbit	7 ns	フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o	70µs、2.4ms
GD25LT256EB2RY	4.4422	RFQ	7979	Gigadevice Semiconductor	GD25LT	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	24-tbga		フラッシュ - （slc）	1.65V〜2V	24-tfbga	-				1970-GD25LT256EB2RY			4,800	200 MHz	不揮発性	256mbit	6 ns	フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	140µs 、2ms
gd25d80ceigr	0.3368	RFQ	4688	Gigadevice Semiconductor	GD25D	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-XFDFN露出パッド		フラッシュ - （slc）	2.7V〜3.6V	8-USON	ダウンロード				1970-GD25D80CEIGRTR			3,000	100 MHz	不揮発性	8mbit	6 ns	フラッシュ	1m x 8	spi-デュアルi/o	50µs 、4ms
GD5F4GQ4UBYIGY	-	RFQ	3566	Gigadevice Semiconductor	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド	GD5F4GQ4	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	8-wson （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	4,800	120 MHz	不揮発性	4gbit		フラッシュ	512m x 8	spi -quad i/o
GD25D10CTIG	-	RFQ	9276	Gigadevice Semiconductor	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	GD25D10	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	20,000	100 MHz	不揮発性	1mbit		フラッシュ	128k x 8	spi-デュアルi/o	50µs 、4ms
GD5F2GQ4UEYIGR	-	RFQ	9158	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド	GD5F2GQ4	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	8-wson （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	3,000	120 MHz	不揮発性	2Gbit		フラッシュ	256m x 8	spi -quad i/o	700µs
GD5F1GQ4UEYIGR	-	RFQ	8047	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド	GD5F1GQ4	フラッシュ -ナンド	2.7V〜3.6V	8-wson （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	3,000	120 MHz	不揮発性	1gbit		フラッシュ	128m x 8	spi -quad i/o	700µs
GD25LQ10CEIGR	-	RFQ	2790	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-XFDFN露出パッド	GD25LQ10	フラッシュ -	1.65V〜2.1V	8-USON	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	3,000	104 MHz	不揮発性	1mbit		フラッシュ	128k x 8	spi -quad i/o	50µs、2.4ms
GD25VQ32CTIGR	-	RFQ	6010	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	GD25VQ32	フラッシュ -	2.3V〜3.6V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	9,000	104 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	50µs、2.4ms
GD25Q16CTJG	-	RFQ	7744	Gigadevice Semiconductor	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	GD25Q16	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	20,000	120 MHz	不揮発性	16mbit		フラッシュ	2m x 8	spi -quad i/o	50µs、2.4ms
GD25WQ20ETIGR	0.3515	RFQ	4882	Gigadevice Semiconductor	GD25WQ	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）		フラッシュ - （slc）	1.65v〜3.6V	8ソップ	ダウンロード				1970-GD25WQ20ETIGRTR			3,000	104 MHz	不揮発性	2mbit	7 ns	フラッシュ	256k x 8	spi -quad i/o	120µs 、4ms
gd25ld10ctigr	0.2564	RFQ	6212	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	GD25LD10	フラッシュ -	1.65V〜2V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	3,000	50 MHz	不揮発性	1mbit		フラッシュ	128k x 8	spi-デュアルi/o	55µs 、6ms
gd25ld40ctigr	0.3205	RFQ	1092	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	GD25LD40	フラッシュ -	1.65V〜2V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	3,000	50 MHz	不揮発性	4mbit		フラッシュ	512k x 8	spi-デュアルi/o	97µs 、6ms
gd25ve20ctigr	-	RFQ	1445	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	gd25ve20	フラッシュ -	2.1V〜3.6V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	3,000	104 MHz	不揮発性	2mbit		フラッシュ	256k x 8	spi -quad i/o	-
GD25Q20CSIGR	-	RFQ	7895	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	GD25Q20	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	2,000	120 MHz	不揮発性	2mbit		フラッシュ	256k x 8	spi -quad i/o	50µs、2.4ms
gd5f1gq4rf9igy	-	RFQ	5707	Gigadevice Semiconductor	-	トレイ	廃止	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-vlga露出パッド	GD5F1GQ4	フラッシュ -ナンド	1.7V〜2V	8-lga （6x8）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	4,800	120 MHz	不揮発性	1gbit		フラッシュ	128m x 8	spi -quad i/o	700µs
GD25WD20CTIGR	0.2885	RFQ	3170	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	GD25WD20	フラッシュ -	1.65v〜3.6V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	3,000		不揮発性	2mbit		フラッシュ	256k x 8	spi -quad i/o	-
GD25LQ32DQIGR	-	RFQ	6828	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-XDFN露出パッド	GD25LQ32	フラッシュ -	1.65V〜2V	8-USON （4x4）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	3,000	120 MHz	不揮発性	32mbit		フラッシュ	4m x 8	spi -quad i/o	2.4ms
GD25LD80CSIGR	0.3549	RFQ	8832	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	GD25LD80	フラッシュ -	1.65V〜2V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	2,000	50 MHz	不揮発性	8mbit		フラッシュ	1m x 8	spi-デュアルi/o	60µs 、6ms
GD25Q16CTIG	0.3366	RFQ	5701	Gigadevice Semiconductor	-	チューブ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	GD25Q16	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	20,000	120 MHz	不揮発性	16mbit		フラッシュ	2m x 8	spi -quad i/o	50µs、2.4ms
GD25LQ20CTIG	0.2725	RFQ	1815年	Gigadevice Semiconductor	-	チューブ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	GD25LQ20	フラッシュ -	1.65V〜2.1V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	20,000	104 MHz	不揮発性	2mbit		フラッシュ	256k x 8	spi -quad i/o	50µs、2.4ms
GD9FS4G8F2ALGI	7.0554	RFQ	5974	Gigadevice Semiconductor	-	トレイ	アクティブ								ダウンロード				1970-GD9FS4G8F2ALGI			2,100
gd9fu2g8f3algi	4.5698	RFQ	4053	Gigadevice Semiconductor	GD9F	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	63-VFBGA		フラッシュ-nand（slc）	2.7V〜3.6V	63-FBGA （9x11）	ダウンロード				1970-GD9FU2G8F3ALGI			2,100		不揮発性	2Gbit	18 ns	フラッシュ	256m x 8	平行	20ns
gd25ve40ctigr	-	RFQ	2992	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	sicで中止されました	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	GD25ve40	フラッシュ -	2.1V〜3.6V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	3,000	104 MHz	不揮発性	4mbit		フラッシュ	512k x 8	spi -quad i/o	-
GD25LD40COIGR	0.3366	RFQ	5737	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-TSSOP （0.173 "、幅4.40mm）	GD25LD40	フラッシュ -	1.65V〜2V	8-tssop	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	3,000	50 MHz	不揮発性	4mbit		フラッシュ	512k x 8	spi-デュアルi/o	97µs 、6ms
gd25ve20ctig	0.3045	RFQ	7104	Gigadevice Semiconductor	-	チューブ	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	gd25ve20	フラッシュ -	2.1V〜3.6V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	20,000	104 MHz	不揮発性	2mbit		フラッシュ	256k x 8	spi -quad i/o	-
GD25LR256EYIGR	2.8079	RFQ	5271	Gigadevice Semiconductor	GD25LR	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-wdfn露出パッド		フラッシュ - （slc）	1.65V〜2V	8-wson （6x8）	-				1970-GD25LR256EYIGRTR			3,000	104 MHz	不揮発性	256mbit	9 ns	フラッシュ	32m x 8	spi -quad i/o	70µs、1.2ms
GD25Q64CSIGR	1.2800	RFQ	54	Gigadevice Semiconductor	-	テープ＆リール（ tr）	新しいデザインではありません	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm）	GD25Q64	フラッシュ -	2.7V〜3.6V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	120 MHz	不揮発性	64mbit		フラッシュ	8m x 8	spi -quad i/o	50µs、2.4ms
gd25ld80ctig	-	RFQ	1510	Gigadevice Semiconductor	-	チューブ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm）	GD25LD80	フラッシュ -	1.65V〜2V	8ソップ	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0071	20,000	50 MHz	不揮発性	8mbit		フラッシュ	1m x 8	spi-デュアルi/o	60µs 、6ms