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統合サーキット（ICS ）（847）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD25LQ128EWIGR | 2.3000 |  | 3 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | GD25LQ128 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8-wson | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 60µs、2.4ms | ||
| GD25LQ32Enigr | 1.0900 | | 871 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | GD25LQ32 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8-USON （4x3） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | ||
 | gd25q16enigr | 0.8700 | | 1 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-udfn露出パッド | GD25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8-USON （4x3） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 70µs 、2ms | ||
| GD25Q64ESIGR | 1.1800 | | 11 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | GD25Q64 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1970-GD25Q64ESIGRTR | 3A991B2A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 7 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | |
| GD25Q32ESIGR | 0.9400 | | 4 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | GD25Q32 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms | ||
| GD25LQ32ESIGR | 1.0100 | | 13 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | GD25LQ32 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | ||
 | gd25q16esigr | 0.7100 | | 7 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | GD25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 70µs 、2ms | ||
| GD25LQ255EFJRR | 2.8683 | | 7649 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 16ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LQ255EFJRRTR | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o、qpi | - | ||||||||
| GD25Q256EYJGR | 2.7672 | | 6615 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD25Q256EYJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
| GD25LQ16EEAGR | 0.9688 | | 2887 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2.1V | 8-USON | - | 1970-GD25LQ16EEAGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 100µs 、4ms | |||||||
| GD5F1GQ5UEYJGR | 2.9324 | | 5226 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD5F1GQ5UEYJGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 256m x 4 | spi -quad i/o | 600µs | |||||||
| gd25le64etigr | 0.8045 | | 1377 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LE64ETIGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 64mbit | 6 ns | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |||||||
| GD25LX512MEFIRR | 6.7411 | | 5150 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LX | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 16ソップ | - | 1970-GD25LX512MEFIRRTR | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | SPI -OCTAL I/O、DTR | - | ||||||||
| GD25UF64EQIGR | 1.0390 | | 6007 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25UF | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.14V〜1.26V | 8-USON （4x4） | - | 1970-GD25UF64EQIGRTR | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 64mbit | フラッシュ | 8m x 8 | spi -quad i/o、dtr | - | ||||||||
| GD25B256EFIRR | 2.4461 | | 8258 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | ダウンロード | 1970-GD25B256EFIRRTR | 1,000 | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||||
| GD5F2GQ5REYIHY | 3.9138 | | 4288 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD5F2GQ5REYIHY | 4,800 | 80 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 11 ns | フラッシュ | 512m x 4 | spi -quad i/o | 600µs | |||||||
| gd5f1gq5ueyihr | 2.3508 | | 9700 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD5F1GQ5UEYIHRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 256m x 4 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | |||||||
| GD25Q256EBIRY | 2.2897 | | 3527 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | 1970-GD25Q256EBIRY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
| GD25B512MEF2RR | 6.7701 | | 1028 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25B | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | - | 1970-GD25B512MEF2RRTR | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
| GD25LR256EFIRR | 2.8974 | | 4907 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LR | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 16ソップ | - | 1970-GD25LR256EFIRRTR | 1,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 9 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、1.2ms | |||||||
| gd9au8g8e3amgi | 14.6400 | | 3554 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9A | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 48-tsop i | ダウンロード | 1970-GD9AU8G8E3AMGI | 960 | 不揮発性 | 8gbit | 18 ns | フラッシュ | 1g x 8 | 平行 | 20ns | ||||||||
| GD25LB512MEF2RR | 7.0523 | | 3698 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 16ソップ | - | 1970-GD25LB512MEF2RRTR | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
| GD9FS2G6F2AMGI | 4.7450 | | 2141 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 48-tsop i | ダウンロード | 1970-GD9FS2G6F2AMGI | 960 | 不揮発性 | 2Gbit | 20 ns | フラッシュ | 128m x 16 | onfi | 25ns | ||||||||
| GD25R128EWIGR | 1.7152 | | 8921 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25R | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson | - | 1970-GD25R128EGIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
| GD9FS2G8F2ALGI | 4.7455 | | 9013 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD9F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 63-VFBGA | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜1.95V | 63-FBGA （9x11） | ダウンロード | 1970-GD9FS2G8F2ALGI | 2,100 | 不揮発性 | 2Gbit | 20 ns | フラッシュ | 256m x 8 | onfi | 25ns | ||||||||
| GD25LQ32ETIGY | 0.6080 | | 4126 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LQ | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LQ32ETIGY | 4,320 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 6 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |||||||
| GD9FS4G8F3ALGI | 7.0554 | | 4942 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | ダウンロード | 1970-GD9FS4G8F3ALGI | 2,100 | |||||||||||||||||||||
| GD25LT512MEBARY | 10.1346 | | 4484 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LT | トレイ | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | - | 1970-GD25LT512MEBARY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
| GD25LE16EEIGR | 0.5678 | | 4022 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | gd25le | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | 1970-GD25LE16EEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 6 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o、qpi | 60µs、2.4ms | |||||||
| GD25LB512MEY2GY | 7.1953 | | 5315 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD25LB512MEY2GY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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