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統合サーキット（ICS ）（847）
| 画像 | 製品番号 | 価格（USD） | 量 | ECAD | 利用可能な数量 | 体重（ kg） | MFR | シリーズ | パッケージ | 製品ステータス | 動作温度 | 取り付けタイプ | パッケージ /ケース | 基本製品番号 | テクノロジー | 電圧 -供給 | サプライヤーデバイスパッケージ | データシート | ROHSステータス | 水分感度レベル（MSL） | ステータスに到達します | その他の名前 | ECCN | htsus | 標準パッケージ | クロック周波数 | メモリタイプ | メモリサイズ | アクセス時間 | メモリ形式 | メモリ組織 | メモリインターフェイス | 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GD55LX01GEFIRR | 18.7900 |  | 5406 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | - | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 16ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | SPI -OCTAL I/O、DTR | - | ||||||
| GD55B01GEFIRR | 13.0800 | | 6702 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | - | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||
| gd55le511mewigy | 4.1663 | | 2768 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | トレイ | アクティブ | - | 1970-GD55LE511MEWIGY | 5,700 | |||||||||||||||||||||
 | gd25ld40ceigr | 0.3752 | | 1631 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | GD25LD40 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8-USON | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 50 MHz | 不揮発性 | 4mbit | フラッシュ | 512k x 8 | spi-デュアルi/o | 97µs 、6ms | |||
| GD25Q128Equgr | 1.7194 | | 9428 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜125°C（タタ | 表面マウント | 8-XDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON （4x4） | ダウンロード | 1970-GD25Q128EQEGRTR | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 128mbit | 7 ns | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 140µs 、4ms | |||||||
| GD25WD10CK6IGR | 0.3468 | | 4117 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25WD | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65v〜3.6V | 8-USON（1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25WD10CK6IGRTR | 3,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 1mbit | 12 ns | フラッシュ | 128k x 8 | spi-デュアルi/o | 55µs 、6ms | |||||||
| GD55B02GEBJRY | 20.4750 | | 9921 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55B | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | ダウンロード | 1970-GD55B02GEBJRY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
| gd25q40esigr | 0.3167 | | 5297 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25Q | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | 1970-GD25Q40EGIGRTR | 2,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 4mbit | 7 ns | フラッシュ | 512k x 8 | spi -quad i/o | 70µs 、2ms | |||||||
 | GD25Q16Tigr | 0.7500 | | 26 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | GD25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 16mbit | 7 ns | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 70µs 、2ms | ||
| GD25LQ128DSIGR | 2.2000 | | 11 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | 新しいデザインではありません | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | GD25LQ128 | フラッシュ - | 1.65V〜2V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | 2.4ms | |||
| GD25VQ80CTIGR | - | | 2523 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | sicで中止されました | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | GD25VQ80 | フラッシュ - | 2.3V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 8mbit | フラッシュ | 1m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、3ms | |||
| GD25Q20CSIG | - | | 6991 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | GD25Q20 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 9,500 | 120 MHz | 不揮発性 | 2mbit | フラッシュ | 256k x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
| GD25LT256EYIGR | 3.2239 | | 4000 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LT | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson （6x8） | - | 1970-GD25LT256EYIGRTR | 3,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 256mbit | 6 ns | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、1.2ms | |||||||
| GD25Q16CTJGR | - | | 1159 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | GD25Q16 | フラッシュ - | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 16mbit | フラッシュ | 2m x 8 | spi -quad i/o | 50µs、2.4ms | |||
| GD25LB512MEFIRR | 4.5486 | | 3154 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LB | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 16ソップ | ダウンロード | 1970-GD25LB512MEFIRRTR | 1,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
 | gd5f4gq4rcyigr | - | | 8974 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | GD5F4GQ4 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,800 | 120 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | ||||
| gd5f4gq4ucyigr | - | | 4519 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | GD5F4GQ4 | フラッシュ -ナンド | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | ||||
| GD25LR256EB2RY | 4.2826 | | 6794 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LR | トレイ | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 24-tfbga | - | 1970-GD25LR256EB2RY | 4,800 | 不揮発性 | 256mbit | フラッシュ | 32m x 8 | spi -quad i/o | - | |||||||||
| GD25LF128EWIGR | 1.9780 | | 4678 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25LF | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ - （slc） | 1.65V〜2V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD25LF128EGIGRTR | 3,000 | 166 MHz | 不揮発性 | 128mbit | フラッシュ | 16m x 8 | spi -quad i/o | - | ||||||||
| GD5F4GQ4RBYIGR | - | | 8884 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | 廃止 | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | GD5F4GQ4 | フラッシュ -ナンド | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 120 MHz | 不揮発性 | 4gbit | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | ||||
| GD5F4GM8UEYIGY | 5.5550 | | 3581 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD5F4GM8UEYIGY | 4,800 | 133 MHz | 不揮発性 | 4gbit | 7 ns | フラッシュ | 1g x 4 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | |||||||
| gd25ve32csigr | - | | 3345 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.209 "、幅5.30mm） | GD25ve32 | フラッシュ - | 2.1V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 32mbit | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| GD25T512MEBIRY | 5.1710 | | 6785 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25T | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 24-tbga | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga | - | 1970-GD25T512MEBIRY | 4,800 | 200 MHz | 不揮発性 | 512mbit | フラッシュ | 64m x 8 | spi -quad i/o、dtr | - | ||||||||
| GD25D20CKIGR | 0.3016 | | 7918 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD25D | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-XFDFN露出パッド | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8-USON（1.5x1.5 | ダウンロード | 1970-GD25D20CKIGRTR | 3,000 | 104 MHz | 不揮発性 | 2mbit | 6 ns | フラッシュ | 256k x 8 | spi-デュアルi/o | 50µs 、4ms | |||||||
| GD5F2GQ5REYIGY | 3.9138 | | 8997 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD5F2GQ5REYIGY | 4,800 | 80 MHz | 不揮発性 | 2Gbit | 11 ns | フラッシュ | 256m x 8 | spi -quad i/o | 600µs | |||||||
| GD55T01GEF2RR | 16.4782 | | 6100 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD55T | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜105°C（Ta） | 表面マウント | 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 16ソップ | - | 1970-GD55T01GEF2RRTR | 1,000 | 200 MHz | 不揮発性 | 1gbit | フラッシュ | 128m x 8 | spi -quad i/o、dtr | - | ||||||||
| GD5F1GM7UEWIGY | 2.0685 | | 9754 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 2.7V〜3.6V | 8-wson | ダウンロード | 1970-GD5F1GM7UEWIGY | 5,700 | 133 MHz | 不揮発性 | 1gbit | 7 ns | フラッシュ | 256m x 4 | spi -quad i/o、dtr | 600µs | |||||||
| GD5F4GQ6REYIGY | 6.7830 | | 9848 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | GD5F | トレイ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-wdfn露出パッド | フラッシュ-nand（slc） | 1.7V〜2V | 8-wson （6x8） | ダウンロード | 1970-GD5F4GQ6REYIGY | 4,800 | 80 MHz | 不揮発性 | 4gbit | 11 ns | フラッシュ | 512m x 8 | spi -quad i/o | 600µs | |||||||
| GD25WD05CTIG | - | | 7306 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | チューブ | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | GD25WD05 | フラッシュ - | 1.65v〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | ear99 | 8542.32.0071 | 20,000 | 100 MHz | 不揮発性 | 512kbit | フラッシュ | 64k x 8 | spi -quad i/o | - | |||
| gd25b32etigr | 0.9900 | | 1707 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor | - | テープ＆リール（ tr） | アクティブ | -40°C〜85°C（タタ | 表面マウント | 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） | フラッシュ - （slc） | 2.7V〜3.6V | 8ソップ | ダウンロード | ROHS3準拠 | 3 （168 時間） | 影響を受けていない | 3,000 | 133 MHz | 不揮発性 | 32mbit | 7 ns | フラッシュ | 4m x 8 | spi -quad i/o | 70µs、2.4ms |
2000+
毎日の平均RFQボリューム
30,000,000
標準製品ユニット
2800+
世界的なメーカー
15,000 m2
在庫倉庫
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