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統合サーキット（ICS ）（1624）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ sicプログラム可能
AS4C256M16D3LC-10BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LC-10BANTR 11.0250
RFQ
 ECAD 3594 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （7.5x13.5） ダウンロード 3 （168 時間） 1450-AS4C256M16D3LC-10BANTR 2,500 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS1C4M16PL-70BINTR Alliance Memory, Inc. AS1C4M16PL-70BINTR 3.6351
RFQ
 ECAD 6210 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 49-WFBGA psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 49-FBGA （4x4） ダウンロード 3 （168 時間） 1450-AS1C4M16PL-70BINTR 2,000 133 MHz 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 -
AS6C1008-55PINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1008-55PINTR 3.0208
RFQ
 ECAD 9990 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 穴を通して 32-dip（0.600 "、15.24mm） sram-非同期 2.7V〜5.5V 32-PDIP ダウンロード 1 （無制限） 1450-AS6C1008-55PINTR 1,000 揮発性 1mbit 55 ns sram 128k x 8 平行 55ns
AS4C512M16D3LA-10BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10BANTR 26.0015
RFQ
 ECAD 3042 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.275V〜1.425V 96-FBGA（13.5x9 ダウンロード 3 （168 時間） 1450-AS4C512M16D3LA-10BANTR 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS6C4008-70SANTR Alliance Memory, Inc. AS6C4008-70SANTR 6.2010
RFQ
 ECAD 9997 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C（タタ 表面マウント 32-SOIC （0.445 "、幅11.30mm） sram-非同期 2.7V〜5.5V 32ソップ ダウンロード 3 （168 時間） 1450-AS6C4008-70SANTR 1,000 揮発性 4mbit 70 ns sram 512k x 8 平行 70ns
AS4C1G8D4-75BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C1G8D4-75BCNTR 8.7115
RFQ
 ECAD 5726 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （7.5x12） ダウンロード 3 （168 時間） 1450-AS4C1G8D4-75BCNTR 2,500 1.333 GHz 揮発性 8gbit 18 ns ドラム 1g x 8 ポッド 15ns
AS6C1616B-45TINTR Alliance Memory, Inc. AS6C1616B-45TINTR 8.6823
RFQ
 ECAD 5789 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード 3 （168 時間） 1450-AS6C1616B-45TINTR 1,500 揮発性 16mbit 45 ns sram 1m x 16 平行 45ns
AS4C16M16SB-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SB-6TINTR 3.2532
RFQ
 ECAD 9874 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード 3 （168 時間） 1450-AS4C16M16SB-6TINTR 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 lvttl 12ns
AS6C4008-55PCNTR Alliance Memory, Inc. AS6C4008-55PCNTR 4.3451
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 32-dip（0.600 "、15.24mm） sram-非同期 2.7V〜5.5V 32-PDIP ダウンロード 1 （無制限） 1450-AS6C4008-55PCNTR 1,000 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
AS9F18G08SA-45BIN Alliance Memory, Inc. AS9F18G08SA-45bin 5.2700
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 1.7V〜1.95V 63-FBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1450-AS9F18G08SA-45bin 210 不揮発性 4gbit 30 ns フラッシュ 512m x 8 平行 45ns 、700µs
AS4C512M16D3LC-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LC-10BCN 21.8600
RFQ
 ECAD 190 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x13） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1450-AS4C512M16D3LC-10BCN 190 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS6C1616B-45BIN Alliance Memory, Inc. AS6C1616B-45bin 11.0600
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-lfbga sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1450-AS6C1616B-45bin ear99 8542.32.0041 480 揮発性 16mbit 45 ns sram 1m x 16 平行 45ns
AS6C4016B-45BIN Alliance Memory, Inc. AS6C4016B-45bin 5.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜80°C（タタ 表面マウント 48-lfbga sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1450-AS6C4016B-45bin 8542.32.0041 480 揮発性 4mbit 45 ns sram 256k x 16 平行 45ns
AS7C1026B-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-10TIN 3.5700
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） sram-非同期 4.5v〜5.5V 44-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1450-AS7C1026B-10TIN 3A991B2B 8542.32.0041 135 揮発性 1mbit 10 ns sram 64k x 16 平行 10ns
AS4C256M16MD4V-062BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16MD4V-062BAN 20.5900
RFQ
 ECAD 136 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 トレイ アクティブ -40°C〜105°C （TC） 表面マウント 200-WFBGA SDRAM -MOBILE LPDDR4X 1.06V〜1.17V 200-FBGA （10x14.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1450-AS4C256M16MD4V-062BAN ear99 8542.32.0036 136 1.6 GHz 揮発性 2Gbit 3.5 ns ドラム 128m x 16 LVSTL 18ns
AS9F34G08SA-25BIN Alliance Memory, Inc. AS9F34G08SA-25bin 4.8400
RFQ
 ECAD 210 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA フラッシュ-nand（slc） 2.7V〜3.6V 63-FBGA （9x11） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 1450-AS9F34G08SA-25bin 210 不揮発性 4gbit 20 ns フラッシュ 512m x 8 平行 25ns 、700µs
AS7C256-20JC Alliance Memory, Inc. AS7C256-20JC 0.8000
RFQ
 ECAD 413 0.00000000 Alliance Memory - チューブ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-SOJ - 3277-AS7C256-20JC ear99 8542.32.0041 100 揮発性 256kbit sram 32k x 8 平行 20ns 確認されていません
AS7C3256-20JC Alliance Memory, Inc. AS7C3256-20JC 0.8000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Alliance Memory - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 28-BSOJ （0.300 "、幅7.62mm） sram-非同期 3V〜3.6V 28-SOJ - 3277-AS7C3256-20JCTR ear99 8542.32.0041 250 揮発性 256kbit sram 32k x 8 平行 20ns 確認されていません
MT41K512M16HA-107:A Alliance Memory, Inc. MT41K512M16HA-107：a -
RFQ
 ECAD 6570 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-MT41K512M16HA-107：a ear99 8542.32.0036 170 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MT41K512M16HA-107 IT:A Alliance Memory, Inc. MT41K512M16HA-107 IT：a -
RFQ
 ECAD 3593 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （9x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-MT41K512M16HA-107IT：a ear99 8542.32.0036 170 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS1C512K16PL-70BIN Alliance Memory, Inc. AS1C512K16PL-70bin 3.7800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -30°C〜85°C（TA） 表面マウント 48-VFBGA AS1C512 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-FBGA （6x7） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1473 3A991B2A 8542.32.0041 364 揮発性 8mbit 70 ns psram 512K x 16 平行 70ns
AS1C1M16PL-70BIN Alliance Memory, Inc. AS1C1M16PL-70bin 4.2400
RFQ
 ECAD 364 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-VFBGA AS1C1M16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 48-FBGA （6x7） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1475 3A991B2A 8542.32.0041 364 揮発性 16mbit 70 ns psram 1m x 16 平行 70ns
AS1C4M16PL-70BIN Alliance Memory, Inc. AS1C4M16PL-70bin 4.1879
RFQ
 ECAD 6957 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 49-WFBGA AS1C4M16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 49-FBGA （4x4） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1478 3A991B2A 8542.32.0041 490 揮発性 64mbit 70 ns psram 4m x 16 平行 -
AS1C8M16PL-70BIN Alliance Memory, Inc. AS1C8M16PL-70bin 6.8400
RFQ
 ECAD 497 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 49-VFBGA AS1C8M16 psram（pseudo sram 1.7V〜1.95V 49-FBGA （4x4） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1479 3A991B2A 8542.32.0041 490 揮発性 128mbit 70 ns psram 8m x 16 平行 -
AS4C1M16S-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C1M16S-7TCN 2.6100
RFQ
 ECAD 594 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C1M16 SDRAM 3V〜3.6V 50-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1004 ear99 8542.32.0002 117 143 MHz 揮発性 16mbit 5.4 ns ドラム 1m x 16 平行 2ns
AS4C4M16S-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16S-7TCN -
RFQ
 ECAD 2344 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C4M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1009 ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 4m x 16 平行 2ns
AS4C8M16D1-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1-5TCN -
RFQ
 ECAD 3935 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C8M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1012 ear99 8542.32.0002 108 200 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 8m x 16 平行 15ns
AS4C8M16S-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16S-7TCN -
RFQ
 ECAD 3013 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） AS4C8M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1015 ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 8m x 16 平行 2ns
AS6C62256-55PCN Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55PCN 6.0300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 穴を通して 28-dip （0.600 "、15.24mm） AS6C62256 sram-非同期 2.7V〜5.5V 28-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない 1450-1033 ear99 8542.32.0041 15 揮発性 256kbit 55 ns sram 32k x 8 平行 55ns
AS6C62256-55SIN Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55SIN 3.2200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 28-SOIC （0.330 "、幅8.38mm） AS6C62256 sram-非同期 2.7V〜5.5V 28ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1450-1035 ear99 8542.32.0041 25 揮発性 256kbit 55 ns sram 32k x 8 平行 55ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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