SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
N25Q064A13EF640E Alliance Memory, Inc. N25Q064A13EF640E 1.3263
RFQ
ECAD 4178 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-vdfn露出パッド N25Q064A13 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 8-VDFPN ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-N25Q064A13EF640E 3A991B1A 8542.32.0071 490 108 MHz 不揮発性 64mbit フラッシュ 16m x 4 spi 5ms
MT41K512M16HA-107:A Alliance Memory, Inc. MT41K512M16HA-107:a -
RFQ
ECAD 6570 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (9x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-MT41K512M16HA-107:a ear99 8542.32.0036 170 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
MT41K512M16HA-107 IT:A Alliance Memory, Inc. MT41K512M16HA-107 IT:a -
RFQ
ECAD 3593 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (9x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-MT41K512M16HA-107IT:a ear99 8542.32.0036 170 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS4C256M16D3LB-10BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LB-10BCNTR -
RFQ
ECAD 5219 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(13.5x9 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3LB-10BCNTR 廃止 2,000 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS4C512M8D3LB-10BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10bin -
RFQ
ECAD 9042 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D3LB-10bin 廃止 220 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C512M8D3LB-10BCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10BCNTR -
RFQ
ECAD 9812 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D3LB-10BCNTR 廃止 2,500 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C512M8D3LB-10BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10BCN -
RFQ
ECAD 2268 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D3LB-10BCN 廃止 220 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C512M8D3LB-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10BINTR -
RFQ
ECAD 1091 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D3LB-10BINTR 廃止 2,500 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS5F31G04SND-08LIN Alliance Memory, Inc. AS5F31G04SND-08LIN 7.7200
RFQ
ECAD 792 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wlga AS5F31 フラッシュ-nand(slc) 3V〜3.6V 8-lga (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS5F31G04SND-08LIN ear99 8542.32.0071 352 120 MHz 不揮発性 1gbit フラッシュ 128m x 8 spi -quad i/o 700µs
AS4C512M8D4-75BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D4-75bin 9.3806
RFQ
ECAD 6807 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA (7.5x10.6 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D4-75bin ear99 8542.32.0036 242 1.333 GHz 揮発性 4gbit 18 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C512M16D4-75BCN Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D4-75BCN 12.1600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 96-FBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M16D4-75BCN ear99 8542.32.0036 198 1.333 GHz 揮発性 8gbit 18 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS5F14G04SND-10LIN Alliance Memory, Inc. AS5F14G04SND-10LIN 10.9900
RFQ
ECAD 162 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wlga AS5F14 フラッシュ-nand(slc) 1.7V〜1.98V 8-lga (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS5F14G04SND-10LIN 3A991B1A 8542.32.0071 352 100 MHz 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 spi -quad i/o 700µs
AS5F38G04SND-08LIN Alliance Memory, Inc. AS5F38G04SND-08LIN 13.3800
RFQ
ECAD 166 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-wlga AS5F38 フラッシュ-nand(slc) 3V〜3.6V 8-lga (6x8) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS5F38G04SND-08LIN 3A991B1A 8542.32.0071 352 120 MHz 不揮発性 8gbit フラッシュ 1g x 8 spi -quad i/o 700µs
AS4C256M16D3C-93BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3C-93BCN 8.8996
RFQ
ECAD 7927 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (7.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3C-93BCN ear99 8542.32.0036 209 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 15ns
AS4C128M16D3LC-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LC-12BCN 8.3000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C128M16D3LC-12BCN ear99 8542.32.0036 198 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 15ns
M29F800FB55M3F2 Alliance Memory, Inc. M29F800FB55M3F2 4.5800
RFQ
ECAD 9055 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 44-SOIC (0.496 "、12.60mm 幅) M29F800 フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SO ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 500 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 55ns
AS7C34098A-15JINTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-15JINTR 4.7627
RFQ
ECAD 4179 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) AS7C34098 sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 500 揮発性 4mbit 15 ns sram 256k x 16 平行 15ns
AS7C316098B-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C316098B-10TIN 19.4097
RFQ
ECAD 5844 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C316098 sram-非同期 2.7V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1136-5 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 16mbit 10 ns sram 1m x 16 平行 10ns
PC28F640P33BF60A Alliance Memory, Inc. PC28F640P33BF60A 5.6300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Alliance Memory axcell™ トレイ アクティブ -40°C〜85°C(TC) 表面マウント 64-TBGA PC28F640 フラッシュ - 1.7V〜2V 64-easybga (10x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-PC28F640P33BF60A 3A991B1A 8542.32.0071 300 52 MHz 不揮発性 64mbit 60 ns フラッシュ 4m x 16 平行 60ns
AS4C128M16D2A-25BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D2A-25BINTR 11.7000
RFQ
ECAD 4064 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 84-TFBGA AS4C128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,500 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C512M8D3LB-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-12bin -
RFQ
ECAD 4218 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1446 ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS7C1025B-10TJCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1025B-10TJCNTR 2.9779
RFQ
ECAD 9450 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 32-BSOJ (0.300 "、幅7.62mm) AS7C1025 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 10 ns sram 128k x 8 平行 10ns
AS7C1024B-12JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-12JCNTR 2.9779
RFQ
ECAD 7595 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C1024 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
AS1C512K16P-70BIN Alliance Memory, Inc. AS1C512K16P-70bin 3.7800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-VFBGA AS1C512 psram(pseudo sram 2.6V〜3.3V 48-FBGA (6x7) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1474 3A991B2A 8542.32.0041 364 揮発性 8mbit 70 ns psram 512K x 16 平行 70ns
AS4C32M16SA-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SA-7TCN -
RFQ
ECAD 5408 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C2M32 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0024 108 143 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 32m x 16 平行 2ns
AS7C31026B-20JCN Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-20JCN 3.6256
RFQ
ECAD 7773 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) AS7C31026 sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 16 揮発性 1mbit 20 ns sram 64k x 16 平行 20ns
AS6C62256A-70SCNTR Alliance Memory, Inc. AS6C62256A-70SCNTR -
RFQ
ECAD 5851 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 28-SOIC (0.330 "、幅8.38mm) AS6C62256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns
AS25F1128MQ-70SIN Alliance Memory, Inc. AS25F1128MQ-70SIN 2.8600
RFQ
ECAD 288 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 8-SOIC (0.209 "、幅5.30mm) フラッシュ - 1.65V〜1.95V 8ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 1450-AS25F1128MQ-70SIN 3A991B1A 8542.32.0071 300 133 MHz 不揮発性 128mbit 6 ns フラッシュ 16m x 8 spi -quad i/o、qpi 150µs 、5ms
AS4C4M16SA-5TCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M16SA-5TCN 2.5305
RFQ
ECAD 7987 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C4M16 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 108 200 MHz 揮発性 64mbit 4.5 ns ドラム 4m x 16 平行 2ns
AS6C62256A-70SINTR Alliance Memory, Inc. AS6C62256A-70SINTR -
RFQ
ECAD 1206 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 28-SOIC (0.330 "、幅8.38mm) AS6C62256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 70 ns sram 32k x 8 平行 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

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