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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT47H128M16PK-25E IT:CTR Alliance Memory, Inc. MT47H128M16PK-25E IT:CTR -
RFQ
ECAD 1652 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 84-TFBGA MT47H128M16 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA (9x12.5 ダウンロード ROHS非準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 400 MHz 揮発性 2Gbit 400 PS ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS4C32M8D1-5TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M8D1-5TCNTR -
RFQ
ECAD 6634 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C32 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 200 MHz 揮発性 256mbit 700 ps ドラム 32m x 8 平行 15ns
AS4C8M32S-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C8M32S-6TINTR 5.7090
RFQ
ECAD 6287 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C8M32 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5.5 ns ドラム 8m x 32 平行 -
AS4C512M8D3A-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3A-12bin -
RFQ
ECAD 1428 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-VFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA (9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1383 ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C128M16MD2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16MD2-25BCN -
RFQ
ECAD 8103 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 134-VFBGA AS4C128 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1403 ear99 8542.32.0036 128 400 MHz 揮発性 2Gbit ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS7C256B-15PIN Alliance Memory, Inc. AS7C256B-15PIN 7.0600
RFQ
ECAD 884 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 穴を通して 28-dip (0.300 "、7.62mm) AS7C256 sram-非同期 4.5v〜5.5V 28-pdip ダウンロード ROHS3準拠 1 (無制限) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 25 揮発性 256kbit 15 ns sram 32k x 8 平行 15ns
AS7C1024B-12JCN Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-12JCN 4.0100
RFQ
ECAD 158 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C1024 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1042 3A991B2B 8542.32.0041 21 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
AS4C16M32MSA-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MSA-6bin 8.2800
RFQ
ECAD 190 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 90-VFBGA AS4C16 sdram- sdram 1.7V〜1.95V 90-FBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 190 166 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
AS6C4008-70SAN Alliance Memory, Inc. AS6C4008-70SAN 9.1300
RFQ
ECAD 213 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜125°C(タタ 表面マウント 32-SOIC (0.445 "、幅11.30mm) sram-非同期 2.7V〜5.5V 32ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS6C4008-70SAN 3A991B2A 8542.32.0041 72 揮発性 4mbit 70 ns sram 512k x 8 平行 70ns
AS4C8M16D1-5TIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M16D1-5TIN -
RFQ
ECAD 1429 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C8M16 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 108 200 MHz 揮発性 128mbit 700 ps ドラム 8m x 16 平行 15ns
AS4C2M32SA-7TCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32SA-7TCN 3.1724
RFQ
ECAD 9977 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C2M32 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1285 3A991B2A 8542.32.0002 108 143 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 2ns
AS4C128M8D3B-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3B-12BCN 6.4200
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 78-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
AS6C4008A-55ZIN Alliance Memory, Inc. AS6C4008A-55zin -
RFQ
ECAD 4022 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) AS6C4008 sram-非同期 2.7V〜3.6V 32-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
AS4C128M16D3LC-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LC-12BINTR 7.0792
RFQ
ECAD 3763 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C128M16D3LC-12BINTR ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS7C34098A-10TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-10TCNTR 4.5617
RFQ
ECAD 1347 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C34098 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
AS7C34098A-12TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-12TCNTR 4.5617
RFQ
ECAD 1681 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C34098 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 12 ns sram 256k x 16 平行 12ns
AS4C64M16D1A-6TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D1A-6TCNTR -
RFQ
ECAD 7218 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C64 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 1,000 166 MHz 揮発性 1gbit 700 ps ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C2M32S-5TCNTR Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-5TCNTR -
RFQ
ECAD 7800 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C2M32 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0002 1,000 200 MHz 揮発性 64mbit 5.5 ns ドラム 2m x 32 平行 2ns
AS4C64M16D1A-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D1A-6TIN 23.8100
RFQ
ECAD 3166 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 66-TSSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C64 SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 66-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1335 ear99 8542.32.0032 108 166 MHz 揮発性 1gbit 700 ps ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C512M16D3LA-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M16D3LA-10BINTR 26.3250
RFQ
ECAD 9522 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA(13.5x9 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M16D3LA-10BINTR ear99 8542.32.0036 2,000 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS7C34098B-10TINTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098B-10TINTR 4.8763
RFQ
ECAD 2193 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C34098 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
AS7C31026B-12TIN Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-12TIN 3.1724
RFQ
ECAD 8675 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C31026 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS7C31026B-12TIN ear99 8542.32.0041 135 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 12ns
AS4C128M32MD2-18BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M32MD2-18BCN -
RFQ
ECAD 9346 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 134-VFBGA AS4C128 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1404 ear99 8542.32.0036 168 533 MHz 揮発性 4gbit ドラム 128m x 32 平行 15ns
AS4C256M8D3LC-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M8D3LC-12BANTR 7.3150
RFQ
ECAD 1833 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 78-VFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (7.5x10.5 ダウンロード 3 (168 時間) 1450-AS4C256M8D3LC-12BANTR 2,500 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 256m x 8 平行 15ns
AS7C31026B-12JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-12JCNTR 2.9779
RFQ
ECAD 6859 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) AS7C31026 sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 12ns
AS4C64M8D3L-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3L-12BINTR 4.2627
RFQ
ECAD 8700 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(タタ 表面マウント 78-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 2,500 800 MHz 揮発性 512mbit 20 ns ドラム 64m x 8 平行
AS7C32096A-15TIN Alliance Memory, Inc. AS7C32096A-15TIN 5.0129
RFQ
ECAD 2639 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C32096 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 2mbit 15 ns sram 256k x 8 平行 15ns
AS4C16M16SB-6TINTR Alliance Memory, Inc. AS4C16M16SB-6TINTR 3.2532
RFQ
ECAD 9874 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード 3 (168 時間) 1450-AS4C16M16SB-6TINTR 1,000 166 MHz 揮発性 256mbit 5 ns ドラム 16m x 16 lvttl 12ns
AS4C128M16D3LC-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LC-12BCN 8.3000
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (7.5x13 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C128M16D3LC-12BCN ear99 8542.32.0036 198 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 15ns
AS4C256M16D3C-93BCN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3C-93BCN 8.8996
RFQ
ECAD 7927 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (7.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3C-93BCN ear99 8542.32.0036 209 1.066 GHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 15ns
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