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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
AS6C4008A-55ZINTR Alliance Memory, Inc. AS6C4008A-55ZINTR -
RFQ
ECAD 9979 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 32-SOIC (0.400 "、幅 10.16mm) AS6C4008 sram-非同期 2.7V〜3.6V 32-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 揮発性 4mbit 55 ns sram 512k x 8 平行 55ns
AS7C34098B-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS7C34098B-10BINTR 4.7194
RFQ
ECAD 2296 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-lfbga AS7C34098 sram-非同期 3V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
AS4C32M16D2-25BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C32M16D2-25BANTR -
RFQ
ECAD 5673 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA AS4C2M32 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TFBGA (8x12.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 1,000 400 MHz 揮発性 512mbit 400 PS ドラム 32m x 16 平行 15ns
AS7C3256B-10TIN Alliance Memory, Inc. AS7C3256B-10TIN -
RFQ
ECAD 7385 0.00000000 Alliance Memory - チューブ 廃止 -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 28-TSSOP (0.465 "、11.80mm 幅) AS7C3256 sram-非同期 3V〜3.6V 28-tsop i - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 234 揮発性 256kbit 10 ns sram 32k x 8 平行 10ns
AS7C1024B-12JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-12JCNTR 2.9779
RFQ
ECAD 7595 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C1024 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 12 ns sram 128k x 8 平行 12ns
AS4C64M8D3-12BIN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3-12bin 4.8188
RFQ
ECAD 8635 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜95°C(タタ 表面マウント 78-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1430 ear99 8542.32.0028 242 800 MHz 揮発性 512mbit 20 ns ドラム 64m x 8 平行
AS7C34098B-10BAN Alliance Memory, Inc. AS7C34098B-10BAN 5.2554
RFQ
ECAD 2315 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜105°C(Ta) 表面マウント 48-lfbga sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-TFBGA - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS7C34098B-10BAN 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 4mbit 10 ns sram 256k x 16 平行 10ns
AS4C256M16D3LC-10BAN Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3LC-10BAN 14.6900
RFQ
ECAD 209 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (7.5x13.5) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C256M16D3LC-10BAN ear99 8542.32.0036 209 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
MT41K512M16HA-107 IT:A Alliance Memory, Inc. MT41K512M16HA-107 IT:a -
RFQ
ECAD 3593 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA (9x14) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-MT41K512M16HA-107IT:a ear99 8542.32.0036 170 933 MHz 揮発性 8gbit 20 ns ドラム 512m x 16 平行 15ns
AS6C62256-55SCNTR Alliance Memory, Inc. AS6C62256-55SCNTR 2.4816
RFQ
ECAD 3009 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 28-SOIC (0.330 "、幅8.38mm) AS6C62256 sram-非同期 2.7V〜5.5V 28ソップ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 256kbit 55 ns sram 32k x 8 平行 55ns
AS4C128M16D3A-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3A-12BCN -
RFQ
ECAD 9732 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 0°C〜95°C (TC 表面マウント 96-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1373 ear99 8542.32.0036 209 800 MHz 揮発性 2Gbit 20 ns ドラム 128m x 16 平行 15ns
AS7C34098A-20TIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098A-20TIN 5.2767
RFQ
ECAD 5723 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C34098 sram-非同期 3V〜3.6V 44-TSOP2 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 135 揮発性 4mbit 20 ns sram 256k x 16 平行 20ns
AS4C512M8D3LB-10BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C512M8D3LB-10BINTR -
RFQ
ECAD 1091 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-TFBGA AS4C512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA (9x10.5 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C512M8D3LB-10BINTR 廃止 2,500 933 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 512m x 8 平行 15ns
AS4C32M32MD2-25BCN Alliance Memory, Inc. AS4C32M32MD2-25BCN -
RFQ
ECAD 7221 0.00000000 Alliance Memory - トレイ 廃止 -30°C〜85°C (TC) 表面マウント 134-VFBGA AS4C2M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.95V 134-FBGA (10x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1410 ear99 8542.32.0032 128 400 MHz 揮発性 1gbit ドラム 32m x 32 平行 15ns
AS7C1024B-20JCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1024B-20JCNTR 3.3915
RFQ
ECAD 1517 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 32-BSOJ (0.400 "、10.16mm 幅) AS7C1024 sram-非同期 4.5v〜5.5V 32-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0041 1,000 揮発性 1mbit 20 ns sram 128k x 8 平行 20ns
AS4C128M8D3B-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C128M8D3B-12BINTR 5.7000
RFQ
ECAD 9716 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 78-VFBGA AS4C128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 128m x 8 平行 15ns
AS4C64M16D3B-12BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D3B-12BINTR 5.5500
RFQ
ECAD 8671 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜95°C(TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA (9x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 揮発性 1gbit 20 ns ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C4M32SA-6TCN Alliance Memory, Inc. AS4C4M32SA-6TCN 3.9882
RFQ
ECAD 3312 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 86-TFSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C4M32 SDRAM 3V〜3.6V 86-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1292 3A991B2A 8542.32.0002 108 166 MHz 揮発性 128mbit 5.4 ns ドラム 4m x 32 平行 2ns
AS7C34096A-20JIN Alliance Memory, Inc. AS7C34096A-20JIN 5.2767
RFQ
ECAD 5791 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 36-bsoj(0.400 "、10.16mm 幅) AS7C34096 sram-非同期 3V〜3.6V 36-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0041 19 揮発性 4mbit 20 ns sram 512k x 8 平行 20ns
AS6C3216A-55TIN Alliance Memory, Inc. AS6C3216A-55TIN 23.2300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-TFSOP (0.724 "、18.40mm 幅) AS6C3216 sram-非同期 2.7V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1414 3A991B2A 8542.32.0041 156 揮発性 32mbit 55 ns sram 2m x 16 平行 55ns
AS4C2M32S-7BCN Alliance Memory, Inc. AS4C2M32S-7BCN 4.2400
RFQ
ECAD 190 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜70°C(Ta) 表面マウント 90-TFBGA AS4C2M32 SDRAM 3V〜3.6V 90-TFBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0002 190 143 MHz 揮発性 64mbit 5.4 ns ドラム 2m x 32 平行 2ns
AS4C64M16D2A-25BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D2A-25BANTR 5.3250
RFQ
ECAD 9659 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 84-TFBGA AS4C64 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-FBGA (8x12.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0032 2,500 400 MHz 揮発性 1gbit 400 PS ドラム 64m x 16 平行 15ns
AS4C8M32MD2A-25BPCN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32MD2A-25BPCN 5.5100
RFQ
ECAD 2293 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -25°C〜85°C(TC) 表面マウント 168-VFBGA AS4C8M32 SDRAM-モバイルLPDDR2 1.14V〜1.3V、1.7V〜1.95V 168-FBGA(12x12) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-AS4C8M32MD2A-25BPCN ear99 8542.32.0024 168 400 MHz 揮発性 256mbit 18 ns ドラム 8m x 32 平行 15ns
AS4C64M8D3L-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C64M8D3L-12BCN 4.4684
RFQ
ECAD 1884年 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ 0°C〜95°C(TA) 表面マウント 78-VFBGA AS4C64 SDRAM -DDR3 1.283V〜1.45V 78-FBGA (8x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1431 ear99 8542.32.0028 242 800 MHz 揮発性 512mbit 20 ns ドラム 64m x 8 平行
AS7C31026B-12JIN Alliance Memory, Inc. AS7C31026B-12JIN 3.2631
RFQ
ECAD 4284 0.00000000 Alliance Memory - チューブ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 44-BSOJ (0.400 "、幅 10.16mm) AS7C31026 sram-非同期 3V〜3.6V 44-SOJ ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 3A991B2B 8542.32.0041 16 揮発性 1mbit 12 ns sram 64k x 16 平行 12ns
AS4C32M16SB-6TIN Alliance Memory, Inc. AS4C32M16SB-6TIN 16.9100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 54-TSOP (0.400 "、10.16mm 幅) AS4C32 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0028 108 166 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 32m x 16 平行 12ns
AS4C16M32MD1-5BIN Alliance Memory, Inc. AS4C16M32MD1-5bin 5.7164
RFQ
ECAD 3580 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C (TJ 表面マウント 90-VFBGA AS4C16 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-FBGA (8x13) ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1121 ear99 8542.32.0028 160 200 MHz 揮発性 512mbit 5 ns ドラム 16m x 32 平行 15ns
AS4C256M16D3B-12BANTR Alliance Memory, Inc. AS4C256M16D3B-12BANTR -
RFQ
ECAD 6750 0.00000000 Alliance Memory aec-q100 テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜105°C (TC) 表面マウント 96-TFBGA AS4C256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-FBGA(13.5x9 - ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 4gbit 20 ns ドラム 256m x 16 平行 15ns
AS7C34098B-10BIN Alliance Memory, Inc. AS7C34098B-10bin 6.7300
RFQ
ECAD 496 0.00000000 Alliance Memory - トレイ アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 48-lfbga AS7C34098 sram-非同期 3V〜3.6V 48-TFBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 (168 時間) 影響を受けていない 1450-1436 3A991B2A 8542.32.0041 480 揮発性 4mbit 10 ns sram 512k x 8 平行 10ns
AS4C64M16D1A-6BINTR Alliance Memory, Inc. AS4C64M16D1A-6BINTR 17.0905
RFQ
ECAD 1337 0.00000000 Alliance Memory - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜85°C(タタ 表面マウント 60-TFBGA SDRAM -DDR 2.3V〜2.7V 60-FBGA (8x13) ダウンロード 3 (168 時間) 1450-AS4C64M16D1A-6BINTR 1,000 166 MHz 揮発性 1gbit 700 ps ドラム 64m x 16 SSTL_2 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫