SIC
close

ICS ）（10403）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ クロック周波数 メモリタイプ メモリサイズ アクセス時間 メモリ形式 メモリ組織 メモリインターフェイス 書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
MT29F16G16ADBCAH4-IT:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G16ADBCAH4-IT：C Tr -
RFQ
 ECAD 2141 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 63-VFBGA MT29F16G16 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 63-VFBGA （9x11） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 16gbit フラッシュ 1g x 16 平行 -
TE28F256J3F105A Micron Technology Inc. TE28F256J3F105A -
RFQ
 ECAD 2096 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash™ トレイ 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 56-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） 28F256J3 フラッシュ - 2.7V〜3.6V 56-tsop ダウンロード ROHS非準拠 2（1 年） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0051 96 不揮発性 256mbit 105 ns フラッシュ 32m x 8、16m x 16 平行 105ns
M29F800FB5AM6F2 Micron Technology Inc. M29F800FB5AM6F2 5.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 44-SOIC フラッシュ - 4.5v〜5.5V 44-SOIC （0.496 "、12.60mm 幅） - 3277-M29F800FB5AM6F2TR 500 不揮発性 8mbit 55 ns フラッシュ 1M x 8、512K x 16 平行 55ns
MT47H512M4THN-37E:E TR Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-37E：E Tr -
RFQ
 ECAD 5142 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 63-TFBGA MT47H512M4 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 63-fbga （8x10） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B2A 8542.32.0036 1,000 267 MHz 揮発性 2Gbit 500 PS ドラム 512m x 4 平行 15ns
MT48LC64M8A2TG-75 IT:C TR Micron Technology Inc. MT48LC64M8A2TG-75 IT：C Tr -
RFQ
 ECAD 4212 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅） MT48LC64M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 54-TSOP II ダウンロード ROHS非準拠 4 （72 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 512mbit 5.4 ns ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT28F400B3WG-8 TET TR Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 TET TR -
RFQ
 ECAD 9304 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT28F400B3 フラッシュ - 3V〜3.6V 48-tsop i ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4mbit 80 ns フラッシュ 512K x 8、256K x 16 平行 80ns
MT52L256M64D2QB-125 XT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2QB-125 XT：B TR -
RFQ
 ECAD 5570 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 - MT52L256 SDRAM- lpddr3 1.2V - ROHS3準拠 3 （168 時間） MT52L256M64D2QB-125XT：BTR 廃止 0000.00.0000 2,000 800 MHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT41K512M4HX-187E:D Micron Technology Inc. MT41K512M4HX-187E：d -
RFQ
 ECAD 7371 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ sicで中止されました 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41K512M4 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 533 MHz 揮発性 2Gbit 13.125 ns ドラム 512m x 4 平行 -
MT46V64M8CY-5B:J Micron Technology Inc. mt46v64m8cy-5b：j 5.8283
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 Micron Technology Inc. - バルク アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 60-TFBGA mt46v64m8 SDRAM -DDR 2.5V〜2.7V 60-FBGA （8x12.5） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,368 200 MHz 揮発性 512mbit 700 ps ドラム 64m x 8 平行 15ns
MT48LC32M8A2BB-75 IT:D Micron Technology Inc. MT48LC32M8A2BB-75 IT：d -
RFQ
 ECAD 3343 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 sicで中止されました -40°C〜85°C（タタ 表面マウント 60-FBGA MT48LC32M8A2 SDRAM 3V〜3.6V 60-FBGA （8x16） ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 133 MHz 揮発性 256mbit 5.4 ns ドラム 32m x 8 平行 15ns
MT53B256M64D2PX-062 XT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M64D2PX-062 XT：C TR -
RFQ
 ECAD 2568 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 -30°C〜105°C（TC） - - MT53B256 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 256m x 64 - -
MT41K128M16JT-125 AUT:K TR Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 AUT：K Tr 5.9700
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-FBGA （8x14） ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 128m x 16 平行 -
MT29F2T08EMLEEJ4-QC:E TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QC：E TR 52.9800
RFQ
 ECAD 6135 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QC：ETR 2,000
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E AIT：B TR -
RFQ
 ECAD 2289 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 テープ＆リール（ tr） 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （9x10.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz 揮発性 4gbit ドラム 512m x 8 平行 -
MT53D768M64D8NZ-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53D768M64D8NZ-046 WT：e 179.4900
RFQ
 ECAD 8185 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ アクティブ -30°C〜85°C （TC） 表面マウント 376-WFBGA MT53D768 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 376-WFBGA（14x14） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,190 2.133 GHz 揮発性 48gbit ドラム 768m x 64 - -
MT29F4G08AACWC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08AACWC：C Tr -
RFQ
 ECAD 5966 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F4G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 4gbit フラッシュ 512m x 8 平行 -
MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G16666ABBEAHC-IT：E TR -
RFQ
 ECAD 6751 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 63-VFBGA MT29F1G16 フラッシュ -ナンド 1.7V〜1.95V 63-VFBGA（10.5x13） - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 1gbit フラッシュ 64m x 16 平行 -
MT53D8DBWF-DC Micron Technology Inc. MT53D8DBWF-DC -
RFQ
 ECAD 5450 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 表面マウント 376-WFBGA mt53d8 SDRAM-モバイルLPDDR4 376-WFBGA（14x14） - 1 （無制限） 廃止 0000.00.0000 1,190 揮発性 ドラム
MT41J512M4HX-125:D Micron Technology Inc. MT41J512M4HX-125：d -
RFQ
 ECAD 4823 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜95°C （TC 表面マウント 78-TFBGA MT41J512M4 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-FBGA （9x11.5 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,000 800 MHz 揮発性 2Gbit 13.75 ns ドラム 512m x 4 平行 -
MT29F2T08EMLEEJ4-QD:E TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLEEJ4-QD：E TR 52.9800
RFQ
 ECAD 7835 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ - 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QD：ETR 2,000
MT29F1T08EBLCHD4-M:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-M：c 20.9850
RFQ
 ECAD 1058 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F1T08EBLCHD4-M：c 1
MTFC8GLUDM-AIT Micron Technology Inc. mtfc8gludm-ait -
RFQ
 ECAD 6493 0.00000000 Micron Technology Inc. E•MMC™ バルク 廃止 -40°C〜85°C（タタ 表面マウント - mtfc8 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 不揮発性 64gbit フラッシュ 8g x 8 MMC -
MT29F128G08CBCEBRT-37BES:E TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBRT-37BES：E TR -
RFQ
 ECAD 3220 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ 0°C〜70°C（Ta） - - MT29F128G08 フラッシュ -ナンド 2.7V〜3.6V - - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 8542.32.0071 1,000 267 MHz 不揮発性 128GBIT フラッシュ 16g x 8 平行 -
MT25QU512ABB8E56-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25QU512ABB8E56-0SIT TR 7.0650
RFQ
 ECAD 8759 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜85°C（タタ - - MT25QU512 フラッシュ - 1.7V〜2V - ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 133 MHz 不揮発性 512mbit フラッシュ 64m x 8 spi 8ms、2.8ms
MT29F256G08CJAABWP-12:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAABWP-12：a -
RFQ
 ECAD 5553 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 0°C〜70°C（Ta） 表面マウント 48-TFSOP （0.724 "、18.40mm 幅） MT29F256G08 フラッシュ-nand （mlc） 2.7V〜3.6V 48-tsop i - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz 不揮発性 256gbit フラッシュ 32g x 8 平行 -
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B Micron Technology Inc. MT53B512M32D2GZ-062 AIT：b -
RFQ
 ECAD 1767 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜95°C（TC） 表面マウント 200-WFBGA MT53B512 SDRAM-モバイルLPDDR4 1.1V 200-WFBGA （11x14.5 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 廃止 0000.00.0000 1 1.6 GHz 揮発性 16gbit ドラム 512m x 32 - -
MT29F2T08ELLEEG7-QB:E Micron Technology Inc. MT29F2T08ELLEEG7-QB：e 52.9800
RFQ
 ECAD 3030 0.00000000 Micron Technology Inc. - 箱 アクティブ - 557-MT29F2T08ELLEEG7-QB：e 1
MT40A1G8WE-083E AUT:B Micron Technology Inc. mt40a1g8we-083e aut：b -
RFQ
 ECAD 3739 0.00000000 Micron Technology Inc. aec-q100 トレイ 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM -DDR4 1.14V〜1.26V 78-FBGA （8x12） ダウンロード 影響を受けていない ear99 8542.32.0036 1,900 1.2 GHz 揮発性 8gbit ドラム 1g x 8 平行 -
M36W0R6050U4ZSE Micron Technology Inc. M36W0R6050U4ZSE -
RFQ
 ECAD 1521 0.00000000 Micron Technology Inc. - トレイ 廃止 M36W0R6050 - ROHS3準拠 3 （168 時間） 3A991B1A 8542.32.0071 2,304
MT47H64M8B6-3:D TR Micron Technology Inc. MT47H64M8B6-3：D TR -
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 Micron Technology Inc. - テープ＆リール（ tr） 廃止 0°C〜85°C （TC） 表面マウント 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-FBGA ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.32.0024 1,000 333 MHz 揮発性 512mbit 450 PS ドラム 64m x 8 平行 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫

RFQリスト（0アイテム）
カートリスト（0アイテム）
Wishlistウィッシュリスト（0アイテム）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

数量：1

リストを比較する（0アイテム）
Enterを押して検索するか、ESCを閉じます