RFQ
ボム
お問い合わせ

Tel： +86-0755-83501315

メール：sales@sic-components.com

サインイン

日本語

統合サーキット（ICS ）（364）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
NDQ86PFI-6NET	10.6400	RFQ	4709	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDQ86PFI-6NET			198	1.6 GHz	揮発性	8gbit	18 ns	ドラム	512m x 16	ポッド	15ns
nds73pt9-16et tr	4.9200	RFQ	8002	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	NDS73PT9	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	揮発性	128mbit		ドラム	4m x 32	平行	-
NDS38PT5-20IT	2.7110	RFQ	5066	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS38PT5-20IT			108
NDQ48PFQ-7NIT	7.9800	RFQ	3038	Insignis Technology Corporation	NDQ48P	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	78-FBGA （7.5x10.6	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDQ48PFQ-7NIT			242	1.333 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	512m x 8	ポッド	15ns
NSEC53T032-AT	28.1250	RFQ	3064	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	153-FBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NSEC53T032-AT			152	200 MHz	不揮発性	256gbit		フラッシュ	32g x 8	EMMC_5.1	-
ndb16pfc-5eit tr	3.8250	RFQ	5382	Insignis Technology Corporation	ndb1l	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	84-TFBGA	NDB16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	-				1982-NDB16PFC-5EITTR			2,500	533 MHz	揮発性	1gbit	350 PS	ドラム	64m x 16	SSTL_18	15ns
NSEC00K032-ITJ	76.8750	RFQ	2850	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	100-lbga		フラッシュ-Nand （PSLC）	3.3V	100-BGA（14x18）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NSEC00K032-ITJ			98	200 MHz	不揮発性	256gbit		フラッシュ	32g x 8	EMMC_5	-
NDL86PFG-8KIT TR	19.7505	RFQ	2747	Insignis Technology Corporation	NDL86P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （9x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL86PFG-8KITTR			2,000	800 MHz	揮発性	8gbit	20 ns	ドラム	512m x 16	平行	15ns
ndl26pfi-8ket tr	6.5463	RFQ	8177	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠		影響を受けていない	1982-NDL26PFI-8Kettr	ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
NDL86PFE-8KIT TR	-	RFQ	2377	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	-	-		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	-	-				1982-NDL86PFE-8KITTR	廃止		2,000	800 MHz	揮発性	8gbit		ドラム	512m x 16	平行	-
NSEC53T008-ITJ	17.3574	RFQ	2268	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （PSLC）	2.7V〜3.6V	153-FBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NSEC53T008-ITJ			152	200 MHz	不揮発性	64gbit		フラッシュ	8g x 8	EMMC_5.1	-
NDL28PFH-8KIT TR	-	RFQ	6120	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-VFBGA	NDL28	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）			ear99	8542.32.0036	2,500	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	256m x 8	平行	15ns
NDS76PT5-16IT TR	3.3300	RFQ	4	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	NDS76PT5	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	揮発性	128mbit		ドラム	8m x 16	平行	12ns
NDQ46PFP-8XET TR	-	RFQ	3809	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	-	-		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	-	-				1982-NDQ46PFP-8XETTR	廃止		2,500	1.2 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
ndq46pfi-7nit tr	9.0000	RFQ	7286	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDQ46PFI-7NITTR			1,500	1.333 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
ndb16pfc-4det tr	3.7066	RFQ	4966	Insignis Technology Corporation	ndb1l	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	84-TFBGA	NDB16	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	-				1982-NDB16PFC-4DETTR			2,500	400 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	64m x 16	SSTL_18	-
NDD58PFD-2AET	3.5489	RFQ	5014	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	60-TFBGA		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	60-FBGA （8x13）	-				1982-NDD58PFD-2AET			2,500	200 MHz	揮発性	512mbit		ドラム	64m x 8	SSTL_2	-
NLQ26PFS-8NIT	8.3250	RFQ	3542	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	-				1982-NLQ26PFS-8NIT			2,000	1.2 GHz	揮発性	2Gbit		ドラム	128m x 16	LVSTL	-
NDB26PFC-5EET TR	10.1300	RFQ	6289	Insignis Technology Corporation	NDB2	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,500	533 MHz	揮発性	2Gbit		ドラム	128m x 16	SSTL_18	-
nlq83pfs-6nit tr	26.3300	RFQ	5885	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,000	1.6 GHz	揮発性	8gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 32	LVSTL	18ns
nlq26pfs-6net tr	10.3100	RFQ	8205	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,000	1.6 GHz	揮発性	2Gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 16	LVSTL	18ns
NDS76PT5-20IT	2.2048	RFQ	5692	Insignis Technology Corporation	NDS76P	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS76PT5-20IT			108	200 MHz	揮発性	128mbit	4.5 ns	ドラム	8m x 16	lvttl	10ns
NDS76PT5-16AT	2.6335	RFQ	4196	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS76PT5-16AT			108
NDQ46PFP-8NET	-	RFQ	7506	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	廃止	0°C〜95°C （TC	-	-		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	-	-				1982-NDQ46PFP-8NET	廃止		2,500	1.2 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
NDD56PT6-2AET TR	2.5508	RFQ	8531	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	-				1982-NDD56PT6-2AETTR			1,000	200 MHz	揮発性	512mbit		ドラム	32m x 16	SSTL_2	-
NDB18PFB-4DET	3.7066	RFQ	4234	Insignis Technology Corporation	ndb1l	トレイ	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	60-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga （8x10）	-				1982-NDB18PFB-4DET			2,000	400 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	128m x 8	SSTL_18	-
ndl46pfp-9met tr	8.1000	RFQ	7850	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13.5）	-				1982-NDL46PFP-9METTR			2,500	933 MHz	揮発性	4gbit		ドラム	256m x 16	平行	-
NDL48PFQ-8KEK	8.1000	RFQ	4912	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-NDL48PFQ-8KEK			2,500	800 MHz	揮発性	4gbit		ドラム	512m x 8	平行	-
nds96pt4-16it tr	1.8100	RFQ	2567	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	50-tsop （0.400 "、10.16mm 幅）	NDS96PT4	SDRAM	3V〜3.6V	50-TSOP II	-	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	揮発性	16mbit		ドラム	1m x 16	平行	-
ndl46pfp-5get tr	7.1820	RFQ	5138	Insignis Technology Corporation	NDL46P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL46PFP-5GETTR			2,500	1.066 GHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	256m x 16	平行	15ns