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統合サーキット（ICS ）（364）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ
NDS36PBA-16ET	3.3912	RFQ	1066	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TFBGA		SDRAM	3V〜3.6V	54-FBGA	-				1982-NDS36PBA-16ET			2,500	166 MHz	揮発性	256mbit		ドラム	16m x 16	lvttl	-
NDS76PBA-20ET	1.9158	RFQ	2671	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS76PBA-20ET			348
ndl46pfp-8ket tr	8.1000	RFQ	8582	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13.5）	-				1982-NDL46PFP-8Kettr			2,500	800 MHz	揮発性	4gbit		ドラム	256m x 16	平行	-
NLQ83PFS-8NAT	21.6750	RFQ	6524	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	-				1982-NLQ83PFS-8NAT			2,000	1.2 GHz	揮発性	8gbit		ドラム	256m x 32	LVSTL	-
ndl48pfq-9mit	9.0000	RFQ	4637	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-NDL48PFQ-9RIT			2,500	933 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
NDL46PFP-8KIT TR	9.0000	RFQ	7259	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13.5）	-				1982-NDL46PFP-8KITTR			2,500	800 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	256m x 16	平行	15ns
nds73pbe-20it tr	3.7064	RFQ	8094	Insignis Technology Corporation	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS73PBE-20ITTR			2,000
NLQ46PFS-6NIT	12.3750	RFQ	9927	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	-				1982-NLQ46PFS-6NIT			2,000	1.6 GHz	揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	256m x 16	LVSTL	18ns
ndb18pfb-4det tr	3.7066	RFQ	4506	Insignis Technology Corporation	ndb1l	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	60-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-fbga （8x10）	-				1982-NDB18PFB-4DETTR			2,000	400 MHz	揮発性	1gbit		ドラム	128m x 8	SSTL_18	-
ndq86pfi-7net tr	10.6400	RFQ	5987	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDQ86PFI-7NETTR			1,500	1.333 GHz	揮発性	8gbit	18 ns	ドラム	512m x 16	ポッド	15ns
ndl28pfr-8ket tr	6.0638	RFQ	8972	Insignis Technology Corporation	NDL28P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL28PFR-8Kettr			2,500	800 MHz	揮発性	2Gbit		ドラム	256m x 8	平行	-
ndl16pfj-9mit tr	4.0169	RFQ	4561	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （8x13）	-				1982-ndl16pfj-9mittr			1,500	933 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
NDL26PFJ-8KIT TR	-	RFQ	8050	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDL26PFJ-8KITTR	廃止		2,000	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
NDD36PT6-2AAT TR	3.7895	RFQ	7737	Insignis Technology Corporation	ndd	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	-				1982-NDD36PT6-2AATTR			1,000	200 MHz	揮発性	256mbit	700 ps	ドラム	16m x 16	SSTL_2	15ns
NDS66PBA-16ET	2.4303	RFQ	2694	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS66PBA-16ET			348
NSEC00K002-ITJ	16.6250	RFQ	3004	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	100-lbga		フラッシュ-Nand （PSLC）	3.3V	100-BGA（14x18）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NSEC00K002-ITJ			98	200 MHz	不揮発性	16gbit		フラッシュ	2g x 8	EMMC_5	-
ndl48pfq-9mit tr	9.0000	RFQ	2726	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-ndl48pfq-9mittr			2,500	933 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	512m x 8	平行	15ns
nlq26pfs-6net tr	10.3100	RFQ	8205	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,000	1.6 GHz	揮発性	2Gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 16	LVSTL	18ns
nds66pba-16at tr	3.2185	RFQ	4565	Insignis Technology Corporation	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS66PBA-16ATTR			2,500
NDQ46PFI-6NET TR	8.2500	RFQ	2890	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDQ46PFI-6NETTR			1,500	1.6 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
NDS76PT5-20IT	2.2048	RFQ	5692	Insignis Technology Corporation	NDS76P	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS76PT5-20IT			108	200 MHz	揮発性	128mbit	4.5 ns	ドラム	8m x 16	lvttl	10ns
nds96pt4-16et tr	1.1709	RFQ	3081	Insignis Technology Corporation	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS96PT4-16ETTR			1,000
NDL16PFJ-8KIT TR	5.8400	RFQ	2816	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA	NDL16	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （8x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	64m x 16	平行	15ns
NDB56PFC-4DET TR	2.3117	RFQ	2006年年	Insignis Technology Corporation	NDB5	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	-				1982-NDB56PFC-4DETTR			2,500	400 MHz	揮発性	512mbit	400 PS	ドラム	32m x 16	SSTL_18	15ns
nlq43pfs-6nat tr	18.3000	RFQ	3268	Insignis Technology Corporation	aec-q100	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜105°C （TC）	表面マウント	200-WFBGA		SDRAM-モバイルLPDDR4	1.06V〜1.17V	200-FBGA （10x14.5）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）					2,000	1.6 GHz	揮発性	4gbit	3.5 ns	ドラム	128m x 32	LVSTL	18ns
ndq86pfi-6net tr	10.6400	RFQ	3076	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDQ86PFI-6NETTR			1,500	1.6 GHz	揮発性	8gbit	18 ns	ドラム	512m x 16	ポッド	15ns
NDQ48PFQ-7NET	8.2500	RFQ	5871	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	78-FBGA （7.5x10.6	-				1982-NDQ48PFQ-7NET			2,500	1.333 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	512m x 8	ポッド	15ns
ndl26pfi-9mit	6.6000	RFQ	2029	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-ndl26pfi-9mit			1,500	933 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
NDS36PT5-20ET	2.4786	RFQ	8949	Insignis Technology Corporation	NDS36P	トレイ	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS36PT5-20ET			108	200 MHz	揮発性	256mbit		ドラム	16m x 16	lvttl	-
NDB26PFC-4DET	6.9997	RFQ	2707	Insignis Technology Corporation	NDB2	トレイ	アクティブ	0°C〜85°C （TC）	表面マウント	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDB26PFC-4DET			209	400 MHz	揮発性	2Gbit		ドラム	128m x 16	SSTL_18	-