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統合サーキット（ICS ）（364）

製品番号	価格（USD）	量	利用可能な数量	MFR	シリーズ	パッケージ	製品ステータス	動作温度	取り付けタイプ	パッケージ /ケース	基本製品番号	テクノロジー	電圧 -供給	サプライヤーデバイスパッケージ	データシート	ROHSステータス	水分感度レベル（MSL）	ステータスに到達します	その他の名前	ECCN	htsus	標準パッケージ	クロック周波数	メモリタイプ	メモリサイズ	アクセス時間	メモリ形式	メモリ組織	メモリインターフェイス	書き込みサイクルタイム -ワード、ページ	sicプログラム可能
NDS36PT5-16ET TR	3.6600	RFQ	3	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	NDS36PT5	SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0024	1,000	166 MHz	揮発性	256mbit		ドラム	16m x 16	平行	12ns
nds73pbe-16it tr	3.7500	RFQ	7837	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	90-TFBGA		SDRAM	3V〜3.6V	90-FBGA （8x13）	-				1982-NDS73PBE-16ITTR			2,000	166 MHz	揮発性	128mbit	5.4 ns	ドラム	4m x 32	lvttl	-
ndl26pfj-8ket tr	-	RFQ	3635	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA	NDL26	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDL26PFJ-8Kettr	廃止		2,000	800 MHz	揮発性	2Gbit	20 ns	ドラム	128m x 16	平行	15ns
NDL46PFP-9MET	8.1000	RFQ	4072	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13.5）	-				1982-NDL46PFP-9MET			2,500	933 MHz	揮発性	4gbit		ドラム	256m x 16	平行	-
NSEC00K032-IT	37.5000	RFQ	3490	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ		表面マウント	100-lbga	NSEC00			100-BGA（14x18）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		3A991B1A	8542.32.0071	98									確認されていません
ndl26pfi-9met	6.6000	RFQ	7217	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDL26PFI-9MET			1,500	933 MHz	揮発性	2Gbit		ドラム	128m x 16	平行	-
NDL56PFJ-8KIT	3.0757	RFQ	7728	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-VFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （8x13）	-				1982-NDL56PFJ-8KIT			2,500	800 MHz	揮発性	512mbit	20 ns	ドラム	32m x 16	平行	15ns
NDB26PFC-4DIT	-	RFQ	8496	Insignis Technology Corporation	NDB2	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	84-TFBGA		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-FBGA （8x12.5	-				1982-NDB26PFC-4DIT	廃止		2,500	400 MHz	揮発性	2Gbit	400 PS	ドラム	256m x 16	SSTL_18	15ns
ndl88pfo-9met	18.6200	RFQ	2930	Insignis Technology Corporation	NDL88P	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-FBGA （9x10.6	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL88PFO-9MET			180	933 MHz	揮発性	8gbit		ドラム	1g x 8	平行	-
NDD58PT6-2AET TR	2.7102	RFQ	5717	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	-				1982-NDD58PT6-2AETTR			1,000	200 MHz	揮発性	512mbit		ドラム	64m x 8	SSTL_2	-
NDQ46PFI-7NIT	9.0000	RFQ	7072	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDQ46PFI-7NIT			1,500	1.333 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
NDS76PT5-16ET TR	2.0259	RFQ	9344	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜70°C（Ta）	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	-				1982-NDS76PT5-16ETTR			1,000	166 MHz	揮発性	128mbit		ドラム	4m x 32	lvttl	-
NDS66PT5-20IT	1.6207	RFQ	9240	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	54-TSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM	3V〜3.6V	54-TSOP II	-				1982-NDS66PT5-20IT			1,000	200 MHz	揮発性	64mbit	4.5 ns	ドラム	4m x 16	lvttl	-
NDQ46PFP-7NIT	-	RFQ	4261	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	廃止	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13.5）	-				1982-NDQ46PFP-7NIT	廃止		2,500	1.333 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
NSEC53T064-IT	58.5000	RFQ	5359	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	153-FBGA （11.5x13	-				1982-NSEC53T064-IT			1,520	200 MHz	不揮発性	512gbit		フラッシュ	64g x 8	EMMC_5.1	-
NSEC53T032-IT	32.2500	RFQ	9821	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （TLC）	2.7V〜3.6V	153-FBGA （11.5x13	-				1982-NSEC53T032-IT			1,520	200 MHz	不揮発性	256gbit		フラッシュ	32g x 8	EMMC_5.1	-
NDQ46PFP-8NET TR	-	RFQ	6858	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	-	-		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	-	-				1982-NDQ46PFP-8NETTR	廃止		2,500	1.2 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
NDS66PT5-16AT	1.8898	RFQ	4623	Insignis Technology Corporation	*	トレイ	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS66PT5-16AT			108
ndl86pfg-8ket tr	18.6200	RFQ	2606	Insignis Technology Corporation	NDL86P	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （9x13）	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDL86PFG-8Kettr			2,000	800 MHz	揮発性	8gbit		ドラム	512m x 16	平行	-
ndq86pfi-6nit	11.9700	RFQ	4976	Insignis Technology Corporation	NDQ86P	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDQ86PFI-6NIT			198	1.6 GHz	揮発性	8gbit	18 ns	ドラム	512m x 16	ポッド	15ns
NSEC53K016-AT	25.5360	RFQ	8162	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-nand （mlc）	3.3V	153-FBGA （11.5x13	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NSEC53K016-AT			152	200 MHz	不揮発性	128GBIT		フラッシュ	16g x 8	EMMC_5	-
NDS66PT5-16AT TR	1.8898	RFQ	6327	Insignis Technology Corporation	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS66PT5-16ATTR			1,000
NDL46PFP-8KIT	9.0000	RFQ	1457	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	-40°C〜95°C（TC）	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-FBGA （7.5x13.5）	-				1982-NDL46PFP-8KIT			2,500	800 MHz	揮発性	4gbit	20 ns	ドラム	256m x 16	平行	15ns
NDQ46PFI-6NET	8.2500	RFQ	5873	Insignis Technology Corporation	-	トレイ	アクティブ	0°C〜95°C （TC	表面マウント	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14V〜1.26V	96-FBGA （7.5x13	-				1982-NDQ46PFI-6NET			1,500	1.6 GHz	揮発性	4gbit	18 ns	ドラム	256m x 16	ポッド	15ns
NDS66PBA-16ET TR	2.5289	RFQ	3987	Insignis Technology Corporation	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS66PBA-16ettr			2,500
NSEC53K002-ITJ	15.0000	RFQ	6961	Insignis Technology Corporation	NSEC	トレイ	アクティブ	-25°C〜85°C	表面マウント	153-VFBGA		フラッシュ-Nand （PSLC）	3.3V	153-FBGA （11.5x13	-				1982-NSEC53K002-ITJ			1,520	200 MHz	不揮発性	16gbit		フラッシュ	2g x 8	EMMC_5	-
nds73pt9-16it tr	3.7224	RFQ	7969	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	86-TFSOP （0.400 "、10.16mm 幅）	NDS73PT9	SDRAM	3V〜3.6V	86-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	揮発性	128mbit		ドラム	4m x 32	平行	-
ndt18pfh-9met tr	-	RFQ	5721	Insignis Technology Corporation	-	テープ＆リール（ tr）	廃止	0°C〜95°C （TC	表面マウント	78-VFBGA	NDT18	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-FBGA （8x10.5	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）	影響を受けていない		ear99	8542.32.0032	2,500	800 MHz	揮発性	1gbit	20 ns	ドラム	128m x 8	平行	15ns
nds66pba-20at tr	3.2185	RFQ	3517	Insignis Technology Corporation	*	テープ＆リール（ tr）	アクティブ								-	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDS66PBA-20ATTR			2,500
NDD58PT6-2AIT	2.8659	RFQ	7193	Insignis Technology Corporation	NDD58P	トレイ	アクティブ	-40°C〜85°C（タタ	表面マウント	66-TSSOP （0.400 "、10.16mm 幅）		SDRAM -DDR	2.3V〜2.7V	66-TSOP II	ダウンロード	ROHS3準拠	3 （168 時間）		1982-NDD58PT6-2AIT			108	200 MHz	揮発性	512mbit	700 ps	ドラム	64m x 8	SSTL_2	15ns