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アイソレータ -ゲートドライバー（ 3190）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 テクノロジー 承認機関 チャネルの数 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） ステータスに到達します その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 電流 -出力が高く、低い 現在 -ピーク出力 立ち上がり /上下時間（タイプ） 電圧 -フォワード（ vf）（タイプ） 現在-dc フォワード（ if ）（ max） 電圧 -分離 一般的なモード過渡免疫（最小） 伝播遅延tplh / tphl （最大） パルス幅の歪み（最大） 電圧 -出力供給
LTV-3150S-TA1 Lite-On Inc. LTV-3150S-TA1 -
RFQ
 ECAD 7690 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-3150 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 8-SMD 、カモメの翼 LTV-3150 光カップリング cur、iec/en/din ur 1 8-SMD ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,000 800ma 、800ma 1a 42ns 、50ns 1.37V 25 Ma 5000VRMS 15kv/µs 400NS 、400ns 120ns 15V〜30V
LTV-3150S Lite-On Inc. LTV-3150S -
RFQ
 ECAD 1318 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-3150 チューブ アクティブ -40°C〜105°C 表面マウント 8-SMD 、カモメの翼 LTV-3150 光カップリング cur、iec/en/din ur 1 8-SMD ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 800ma 、800ma 1a 42ns 、50ns 1.37V 25 Ma 5000VRMS 15kv/µs 400NS 、400ns 120ns 15V〜30V
UCC5390SCD Texas Instruments UCC5390SCD 3.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 テキサスの楽器 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） UCC5390 容量性結合 CQC 1 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 75 10a 、10a - 10ns、10ns - 3000VRMS 100kv/µs 100NS 、100NS 20ns 13.2V〜33V
UCC21521CDWR Texas Instruments UCC21521CDWR 4.3600
RFQ
 ECAD 3083 0.00000000 テキサスの楽器 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） UCC21521 容量性結合 2 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 2,000 4a 、6a - 6ns、7ns - 5700VRMS 100V/ns 30NS、30ns 6ns 3V〜18V
1EDI20I12MHXUMA1 Infineon Technologies 1EDI20I12MHXUMA1 2.6900
RFQ
 ECAD 2974 0.00000000 Infineon Technologies EicedRiver™ テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜150°C （TJ 表面マウント 8-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） 1EDI20 磁気結合 1 PG-DSO-8-59 ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1,000 - 10ns、9ns - - - 13V〜18V
UCC21521CDW Texas Instruments UCC21521CDW 5.3900
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 テキサスの楽器 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） UCC21521 容量性結合 CQC 2 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 2（1 年） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 40 4a 、6a - 6ns、7ns - 5700VRMS 100V/ns 30NS、30ns 6ns 14.7V〜25V
SI82391AB-IS1 Skyworks Solutions Inc. SI82391AB-IS1 4.6985
RFQ
 ECAD 1522 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） SI82391 容量性結合 CQC 2 16-SOIC ダウンロード 2a （4 週間） 336-3863 ear99 8542.39.0001 48 2a 、4a 4a 12ns、12ns （最大） - 2500VRMS 35kv/µs 40ns 、40ns 5.6ns 6.5V〜24V
SI82398BD4-IS Skyworks Solutions Inc. SI82398BD4-IS 5.7717
RFQ
 ECAD 2938 0.00000000 Skyworks Solutions Inc. aec-q100 チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） SI82398 容量性結合 CQC 2 16-SOIC ダウンロード 2a （4 週間） 336-3873 ear99 8542.39.0001 46 2a 、4a 4a 12ns、12ns （最大） - 5000VRMS 35kv/µs 135ns、95ns 5.6ns 10V〜24V
ADUM4121-1ARIZ Analog Devices Inc. adum4121-1-ariz 7.3100
RFQ
 ECAD 203 0.00000000 Analog Devices Inc. icoupler® チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） ADUM4121 磁気結合 csa 1 8-SOIC-IC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない -2735-ADUM4121-1-ARIZ ear99 8542.39.0001 80 - 2.3a 18ns、18ns - 5000VRMS 150kv/µs 42ns 、53ns 13ns 4.5V〜35V
ADUM4121-1CRIZ Analog Devices Inc. ADUM4121-1CRIZ 7.3100
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Analog Devices Inc. icoupler® チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） ADUM4121 磁気結合 csa 1 8-SOIC-IC ダウンロード ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 80 - 2.3a 18ns、18ns - 5000VRMS 150kv/µs 42ns 、53ns 13ns 11.6V〜35V
ACNW3430-000E Broadcom Limited ACNW3430-000E 6.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Broadcom Limited - チューブ アクティブ -40°C〜105°C 穴を通して 8-dip （0.400 "、10.16mm） ACNW3430 光カップリング CSA、IEC/EN/DIN 1 8ディップ ダウンロード 1 （無制限） 影響を受けていない 516-3590 ear99 8541.49.8000 42 4a 、4a 5a 20ns、10ns 1.45V 25 Ma 5000VRMS 100kv/µs 150ns、150ns 80ns 15V〜30V
STGAP2HDM STMicroelectronics stgap2hdm 2.7216
RFQ
 ECAD 4822 0.00000000 stmicroelectronics - バルク アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 36-BSOP （0.295 "、幅7.50mm 32リード stgap2 容量性結合 ul、vde 2 36-SO - ROHS3準拠 影響を受けていない 497-STGAP2HDM 800 4a、 - 4a 30NS、30ns - 6000VRMS 100V/ns 90ns、90ns - 3.1V〜5.5V
STGAP2HSM STMicroelectronics STGAP2HSM 1.9278
RFQ
 ECAD 1625 0.00000000 stmicroelectronics - バルク アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） stgap2 容量性結合 ul 1 8-SO - ROHS3準拠 影響を受けていない 497-STGAP2HSM 800 4a 、4a 4a 30NS、30ns - 5000VRMS 100V/ns 90ns、90ns 20ns 3V〜5.5V
STGAP2SICSCTR STMicroelectronics stgap2sicsctr 3.1900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 stmicroelectronics - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） stgap2 容量性結合 ul 1 8-SO - ROHS3準拠 3 （168 時間） 影響を受けていない 1,000 4a 、4a 4a 30NS、30ns - 5000VRMS 100V/ns 90ns、90ns 20ns 3V〜5.5V
TLP5701(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5701 1.3600
RFQ
 ECAD 2161 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP5701 光カップリング cqc 1 6-SO ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 400MA 、400mA 600MA 50ns 、50ns 1.57V 25 Ma 5000VRMS 20kv/µs 500NS 、500ns 350ns 10V〜30V
TLP701A(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701A -
RFQ
 ECAD 8536 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） TLP701 光カップリング csa 1 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP701A ear99 8541.49.8000 1 400MA 、400mA 600MA 50ns 、50ns 1.57V 25 Ma 5000VRMS 20kv/µs 500NS 、500ns 350ns 10V〜30V
TLP700F(D4FNC-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP700F （D4FNC-TP f -
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） TLP700 光カップリング tuv 、ur 1 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP700F （D4FNC-TPF ear99 8541.49.8000 1 - 2a - - 5000VRMS 15kv/µs 500NS 、500ns - 15V〜30V
TLP701F(ABB-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage tlp701f（abb-tp、f） -
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） TLP701 光カップリング tuv 、ur 1 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP701F （ABB-TPF） ear99 8541.49.8000 1 - 600MA - - 5000VRMS 10kv/µs 700NS 、700ns - 10V〜30V
TLP701F(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701F （D4-TP 、F） -
RFQ
 ECAD 8871 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） TLP701 光カップリング - 1 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP701F （D4-TPF） ear99 8541.49.8000 1 - 600MA - - 5000VRMS 10kv/µs 700NS 、700ns - 10V〜30V
TLP701AF(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP701AF （D4-TP 、F） -
RFQ
 ECAD 6402 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） TLP701 光カップリング csa 1 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP701AF（D4-TPF） ear99 8541.49.8000 1 600MA 、600mA 600MA 50ns 、50ns 1.57V 25 Ma 5000VRMS 20kv/µs 500NS 、500ns 350ns 10V〜30V
TLP701F(D4SONYTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP701F （D4SonyTP f -
RFQ
 ECAD 3894 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） TLP701 光カップリング - 1 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP701F （D4SonyTPF ear99 8541.49.8000 1 - 600MA - - 5000VRMS 10kv/µs 700NS 、700ns - 10V〜30V
TLP705AF(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP705AF （TP、F） -
RFQ
 ECAD 3995 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） TLP705 光カップリング csa 1 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP705AF（TPF） ear99 8541.49.8000 1 600MA 、600mA 600MA 35ns、15ns 1.57V 25 Ma 5000VRMS 20kv/µs 200ns、200ns 50ns 10V〜30V
TLP358(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP358 -
RFQ
 ECAD 1584 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 穴を通して 8-dip （0.300 "、7.62mm） TLP358 光カップリング csa 1 8ディップ ダウンロード 264-TLP358 ear99 8541.49.8000 1 5a 、5a 6a 17ns、17ns 1.57V 20 ma 3750VRMS 20kv/µs 500NS 、500ns 250ns 15V〜30V
NCV57081ADR2G onsemi NCV57081ADR2G 5.6200
RFQ
 ECAD 7934 0.00000000 onsemi aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 容量性結合 ul、vde 1 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 2,500 6.5a 、6.5a 6.5a 13ns、13ns - 3750VRMS 100kv/µs 90ns、90ns 25ns 0V〜32V
NCD57256DR2G onsemi NCD57256DR2G 5.6200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 容量性結合 vde 2 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 2,500 3.5a 、3.5a 3.5a 、6.5a 12ns、10ns - 2500VRMS 100kv/µs 80ns、80ns 20ns 32V
NCP51561BBDWR2G onsemi NCP51561BBDWR2G 4.0700
RFQ
 ECAD 7614 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） 容量性結合 cqc 2 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1,000 9a 、4.5a 4.5a、9a 11ns、10ns - 5000VRMS 200V/ns 58ns 、58ns 5ns 18.5V〜30V
NCV57091BDWR2G onsemi NCV57091BDWR2G 3.6500
RFQ
 ECAD 6241 0.00000000 onsemi aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） NCV57091 容量性結合 vde 1 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1,000 6.5a 、6.5a 6.5a 13ns、13ns - 5000VRMS 100kv/µs 90ns、90ns 25ns 0V〜32V
NCV57081BDR2G onsemi NCV57081BDR2G 5.3500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 onsemi aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 容量性結合 ul、vde 1 8-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 2,500 6.5a 、6.5a 6.5a 13ns、13ns - 3750VRMS 100kv/µs 90ns、90ns 25ns 0V〜32V
NCP51561BADWR2G onsemi NCP51561BADWR2G 4.0700
RFQ
 ECAD 526 0.00000000 onsemi - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） 容量性結合 cqc 2 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 1,000 9a 、4.5a 4.5a、9a 11ns、10ns - 5000VRMS 200V/ns 58ns 、58ns 5ns 18.5V〜30V
NCV57256DR2G onsemi NCV57256DR2G 5.6200
RFQ
 ECAD 2591 0.00000000 onsemi aec-q100 テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 16-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） 容量性結合 vde 2 16-SOIC ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） 影響を受けていない ear99 8542.39.0001 2,500 3.5a 、3.5a 3.5a 、6.5a 12ns、10ns - 2500VRMS 100kv/µs 80ns、80ns 20ns 32V
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