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オトイソレーター（1738）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 承認機関 チャネルの数 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 現在 -出力 /チャネル データレート 立ち上がり /上下時間（タイプ） 電圧 -出力（最大） 電圧 -フォワード（ vf）（タイプ） 現在-dc フォワード（ if ）（ max） 電圧 -分離 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 現在 - 入力-1/サイド2 一般的なモード過渡免疫（最小） 伝播遅延tplh / tphl （最大） 現在の転送比（最小） 現在の転送比（最大） オン /ターンオフ時間（タイプ） vce 飽和（最大） ゼロ交差回路 dv/dt（min） 現在 -led トリガー（ ift ）（最大） 時間をかけます
TLX9185(PEDGBTLF(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9185 -
RFQ
 ECAD 2766 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * バルク 廃止 - 264-TLX9185 ear99 8541.49.8000 1
TLP127(ITO-TPR,U,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 -
RFQ
 ECAD 3744 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP127 DC 1 ダーリントン 6-MFSOP 、4リード - 1 （無制限） 264-TLP127 ear99 8541.49.8000 3,000 150ma 40µs、15µs 300V 1.15V 50 Ma 2500VRMS 1000％ @ 1MA - 50µs、15µs 1.2V
TLP266J(V4T7TR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP266j 0.9300
RFQ
 ECAD 2986 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 TLP テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP266 1 トライアック 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 1.27V 30 Ma 3750VRMS 600 V 70 Ma 600µA （タイプ） はい 200V/µs 10ma 30µs
TLP2362(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2362（V4-TPL 1.0500
RFQ
 ECAD 9559 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C - - TLP2362 DC 1 オープンコレクター 2.7V〜5.5V - ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 25 Ma 10Mbd 30NS、30ns 1.55V 25ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 100NS 、100NS
TLP631(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 -
RFQ
 ECAD 1402 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP631 - 1 （無制限） 264-TLP631 ear99 8541.49.8000 50
TLP718F(D4-FA-TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP718F （D4-FA-TP f -
RFQ
 ECAD 5186 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） DC 1 プッシュプル、トーテムポール 4.5V〜20V 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP718F （D4-FA-TPF ear99 8541.49.8000 1 5Mbps - - - 5000VRMS 1/0 10kv/µs 250ns 、250ns
TLP785F(D4GRF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F （D4GRF7 、F -
RFQ
 ECAD 1395 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.400 "、10.16mm） TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP785F （D4GRF7F ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 300％ @ 5MA 3µs、3µs 400mv
TLP781F(BL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F -
RFQ
 ECAD 2145 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.400 "、10.16mm） TLP781F DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP781F （BLF） ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 200％ @ 5MA 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP750(NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750 -
RFQ
 ECAD 2996 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP750 - 1 （無制限） 264-TLP750 ear99 8541.49.8000 50
TLP185(GR,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP185 -
RFQ
 ECAD 8594 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP185 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 50ma 5µs、9µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 300％ @ 5MA 9µs、9µs 300mv
TLPN137(D4TP1,S Toshiba Semiconductor and Storage TLPN137 -
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * テープ＆リール（ tr） 廃止 TLPN137 - 1 （無制限） 264-TLPN137 （D4TP1STR ear99 8541.49.8000 1,500
TLP265J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J e 0.8200
RFQ
 ECAD 5081 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP265 cqc 1 トライアック 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 1.27V 50 Ma 3750VRMS 600 V 70 Ma 1ma（タイプ） いいえ 500V/µs 10ma 20µs
TLP733(D4-GR,M,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP733 -
RFQ
 ECAD 7294 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP733 - 1 （無制限） 264-TLP733 ear99 8541.49.8000 50
TLP631(BL-LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP631 -
RFQ
 ECAD 6060 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP631 - 1 （無制限） 264-TLP631 ear99 8541.49.8000 50
TLP781(D4-BL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 -
RFQ
 ECAD 2876 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP781 DC 1 トランジスタ 4-SMD ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP781 ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 200％ @ 5MA 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP3073(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3073 2.0100
RFQ
 ECAD 2749 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 6-smd（5 リード）、ガルウィング TLP3073 cqc 1 トライアック 6-SO、5リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 50 1.15V 50 Ma 5000VRMS 800 V 100 Ma 1ma（タイプ） いいえ 2kv/µs（タイプ） 5MA -
TLP781F(TP7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F （TP7 -
RFQ
 ECAD 4254 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP781F DC 1 トランジスタ 4-SMD ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP781F （TP7F ）TR ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP291(BL-TP,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 0.6100
RFQ
 ECAD 7938 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP291 DC 1 トランジスタ 4-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 2,500 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 200％ @ 5MA 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP3031(S,C,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3031 -
RFQ
 ECAD 8120 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 - 穴を通して 6-dip （0.300 "、7.62mm ）、 5リード TLP3031 semko 、ur 1 トライアック 6-dip （カット）、 5リード - ROHS準拠 1 （無制限） TLP3031 ear99 8541.49.8000 50 - 5000VRMS 250 v 100 Ma - はい - 15ma -
TLP181(GR,T) Toshiba Semiconductor and Storage TLP181 -
RFQ
 ECAD 1568 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜110°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP181 DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード ダウンロード ROHS非準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 300％ @ 5MA 3µs、3µs 400mv
TLP2710(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2710 1.6000
RFQ
 ECAD 3111 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP2710 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 6-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 10 Ma 5Mbd 11ns、13ns 1.9V （最大） 8ma 5000VRMS 1/0 25kv/µs 250ns 、250ns
TLP2370(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 1.7700
RFQ
 ECAD 1016 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP2370 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 6-SO、5リード ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 10 Ma 20Mbps 3NS 、2ns 1.5V 8ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 60ns、60ns
TLP626(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 -
RFQ
 ECAD 9710 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 4-dip （0.400 "、10.16mm） TLP626 AC 、DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 264-TLP626 ear99 8541.49.8000 1 50ma 8µs 、8µs 55V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 200％ @ 1ma 1200％ @ 1ma 10µs 、8µs 400mv
TLP552(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 -
RFQ
 ECAD 3433 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP552 - 1 （無制限） 264-TLP552 ear99 8541.49.8000 50
TLP385(D4-BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 0.5500
RFQ
 ECAD 5999 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TLP385 （D4-BLLE ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 200％ @ 5MA 400％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP385(D4Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 0.5600
RFQ
 ECAD 1433 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP2768(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768 -
RFQ
 ECAD 6523 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） TLP2768 DC 1 オープンコレクター、ショットキーはクランプされました 2.7V〜5.5V 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP2768 ear99 8541.49.8000 1 25 Ma 20MBD 30NS、30ns 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 60ns、60ns
TLP131(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 -
RFQ
 ECAD 8605 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、 5リード TLP131 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-MFSOP 、5リード - ROHS準拠 1 （無制限） TLP131 ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP525G(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP525G -
RFQ
 ECAD 3696 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 4-SMD （0.300 "、7.62mm） csa 1 トライアック 4-SMD ダウンロード 264-TLP525G ear99 8541.49.8000 1 1.15V 50 Ma 2500VRMS 400 V 100 Ma 600µA いいえ 200V/µs 10ma -
TLP121(Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP121 -
RFQ
 ECAD 5341 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD （4 リード）、ガルウィング TLP121 DC 1 トランジスタ 6-MFSOP 、4リード - ROHS準拠 1 （無制限） TLP121 ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 50％ @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
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    毎日の平均RFQボリューム

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA露出パッド

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