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オトイソレーター（1738）

画像 製品番号 価格（USD） 量 ECAD 利用可能な数量 体重（ kg） MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ 承認機関 チャネルの数 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル（MSL） その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 現在 -出力 /チャネル データレート 立ち上がり /上下時間（タイプ） 電圧 -出力（最大） 電圧 -フォワード（ vf）（タイプ） 現在-dc フォワード（ if ）（ max） 電圧 -分離 電圧 -状態外 現在 -state（it （rms 現在 - 入力-1/サイド2 一般的なモード過渡免疫（最小） 伝播遅延tplh / tphl （最大） 現在の転送比（最小） 現在の転送比（最大） オン /ターンオフ時間（タイプ） vce 飽和（最大） ゼロ交差回路 dv/dt（min） 現在 -led トリガー（ ift ）（最大） 時間をかけます
TLP2370(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 1.7700
RFQ
 ECAD 1016 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP2370 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 6-SO、5リード ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 10 Ma 20Mbps 3NS 、2ns 1.5V 8ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 60ns、60ns
TLP5832(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5832 2.8100
RFQ
 ECAD 6975 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜110°C 表面マウント 8-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） DC 1 プッシュプル、トーテムポール 4.5v〜5.5V 8-SO ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 - 15ns 、8ns 1.4V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 200ns、200ns
TLP5772H(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H（e 2.4900
RFQ
 ECAD 2448 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP5772 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 4.5v〜5.5V 6-SO ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP5772H ear99 8541.49.8000 125 - 56ns 、25ns 1.4V 8ma 5000VRMS 1/0 35kv/µs 150ns、150ns
TLP2270(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp2270 3.0900
RFQ
 ECAD 8042 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP2270 AC 、DC 2 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 8-SO ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 75 10 Ma 20MBD 1.3ns、1ns 1.5V 8ma 5000VRMS 2/0 20kv/µs 60ns、60ns
TLP627M(D4-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M 0.9300
RFQ
 ECAD 4484 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD （0.300 "、7.62mm） TLP627 DC 1 ダーリントン 4-SMD ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 100 150ma 60µs 、30µs 300V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 1000％ @ 1MA - 110µs 、30µs 1.2V
TLP5772H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H（D4TP4、E 2.6700
RFQ
 ECAD 6851 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP5772 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 15V〜30V 6-SO ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 - 56ns 、25ns 1.55V 8ma 5000VRMS 1/0 35kv/µs 150ns、150ns
TLP188(GB-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188 0.8300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP188 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 350V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP5702H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H（D4LF4、e 1.8300
RFQ
 ECAD 3288 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP5702 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 15V〜30V 6-SO ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 - 37ns 、50ns 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 50kv/µs 200ns、200ns
TLP5702H(D4TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H（D4TP4、E 1.8300
RFQ
 ECAD 8950 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP5702 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 15V〜30V 6-SO ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 - 37ns 、50ns 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 50kv/µs 200ns、200ns
TLP2372(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2372 1.9100
RFQ
 ECAD 4072 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP2372 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.2V〜5.5V 6-SO、5リード ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 8 Ma 20Mbps 2.2ns、1.6ns 1.53V 8ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 75ns、75ns
TLP188(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP188（gb、e 0.8300
RFQ
 ECAD 4747 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP188 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 350V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP5772H(TP4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5772H （TP4、E 2.6900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP5772 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 10V〜30V 6-SO ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 - 56ns 、25ns 1.65V 8ma 5000VRMS 1/0 35kv/µs 150ns、150ns
TLP628M(GB-LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M 0.9200
RFQ
 ECAD 5464 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 4-SMD （0.300 "、7.62mm） TLP628 DC 1 トランジスタ 4-SMD ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 100 50ma 5.5µs 、10µs 350V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 10µs 、10µs 400mv
TLP2370(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 1.7700
RFQ
 ECAD 2071 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.179 "、幅4.55mm ）、 5リード TLP2370 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 6-SO、5リード ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 3,000 10 Ma 20Mbps 3NS 、2ns 1.5V 8ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 60ns、60ns
TLP628M(LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M 0.9100
RFQ
 ECAD 9981 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP628 DC 1 トランジスタ 4-SMD ダウンロード 1 （無制限） 264-TLP628M（LF5E ear99 8541.49.8000 100 50ma 5.5µs 、10µs 350V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 10µs 、10µs 400mv
TLP5705H(D4LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H（D4LF4、E 2.0100
RFQ
 ECAD 3764 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） DC 1 プッシュプル、トーテムポール 15V〜30V 6-SO ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 - 37ns 、50ns 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 50kv/µs 200ns、200ns
TLP628M(LF1,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP628M 0.9100
RFQ
 ECAD 2527 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 4-SMD （0.300 "、7.62mm） TLP628 DC 1 トランジスタ 4-SMD ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 100 50ma 5.5µs 、10µs 350V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 50％ @ 5ma 600％ @ 5ma 10µs 、10µs 400mv
TLP2270(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2270 3.0900
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP2270 AC 、DC 2 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 8-SO ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 75 10 Ma 20MBD 1.3ns、1ns 1.5V 8ma 5000VRMS 2/0 20kv/µs 60ns、60ns
TLP5702H(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702H 1.7100
RFQ
 ECAD 7878 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP5702 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 15V〜30V 6-SO ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 - 37ns 、50ns 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 50kv/µs 200ns、200ns
TLP388(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage tlp388（gb、 e 0.7900
RFQ
 ECAD 8875 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP388 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 350V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP3083F(D4,TP4F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3083F （D4 、TP4F 1.7800
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 6-smd、ガルウィング、5リード TLP3083 cqc 1 トライアック 6-SMD ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,000 1.15V 50 Ma 5000VRMS 800 V 100 Ma 600µA はい 2kv/µs（タイプ） 5MA -
TLP5705H(LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5705H（Lf4、e 1.9900
RFQ
 ECAD 5551 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） DC 1 プッシュプル、トーテムポール 15V〜30V 6-SO ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 - 37ns 、50ns 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 50kv/µs 200ns、200ns
TLP3910(D4C20TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3910 （D4C20TPE 3.3300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ＆リール（ tr） アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.295 "、幅7.50mm） TLP3910 DC 2 太陽光発電 6-SO ダウンロード ROHS3準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 1,500 - - 24V 3.3V 30 Ma 5000VRMS - - 300µs 、100µs -
TLP627M(D4-LF5,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP627M 0.9300
RFQ
 ECAD 3056 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP627 DC 1 ダーリントン 4-SMD ダウンロード 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 100 150ma 60µs 、30µs 300V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 1000％ @ 1MA - 110µs 、30µs 1.2V
TLP291(GB,E) Toshiba Semiconductor and Storage TLP291 -
RFQ
 ECAD 3061 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SOIC （0.179 "、幅4.55mm） TLP291 DC 1 トランジスタ 4-SO ダウンロード ear99 8541.49.8000 175 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP785(GB,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip （0.300 "、7.62mm） TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 600％ @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP265J(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP265J e 0.8200
RFQ
 ECAD 5081 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC （0.173 "、幅4.40mm ）、4つのリード TLP265 cqc 1 トライアック 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） ear99 8541.49.8000 125 1.27V 50 Ma 3750VRMS 600 V 70 Ma 1ma（タイプ） いいえ 500V/µs 10ma 20µs
TLP714F(D4HW1TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F （D4HW1TP -
RFQ
 ECAD 3728 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC （0.268 "、幅6.80mm） DC 1 オープンコレクター 4.5V〜30V 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP714F （D4HW1TPF） ear99 8541.49.8000 1 15 Ma 1Mbps - 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 550ns 、400ns
TLP2116(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2116 -
RFQ
 ECAD 6702 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -40°C〜100°C 表面マウント 8-SOIC （0.154 "、幅3.90mm） TLP2116 DC 2 プッシュプル、トーテムポール 4.5v〜5.5V 8-SO ダウンロード ROHS準拠 1 （無制限） TLP2116F ear99 8541.49.8000 100 10 Ma 15Mbd 15ns、15ns 1.65V 20ma 2500VRMS 2/0 10kv/µs 75ns、75ns
TLP2531(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2531 -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 8-SMD 、カモメの翼 TLP2531 DC 2 ベース付きトランジスタ 8-SMD ダウンロード 264-TLP2531 ear99 8541.49.8000 1 8ma - 15V 1.65V 25 Ma 2500VRMS 19 @ @ 16ma 30％ @ 16ma 200ns、300ns -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

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    世界的なメーカー

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196-LFBGA露出パッド

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