SIC
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画像 製品番号 価格(USD) ECAD 利用可能な数量 体重( kg) MFR シリーズ パッケージ 製品ステータス 動作温度 取り付けタイプ パッケージ /ケース 基本製品番号 入力タイプ チャネルの数 出力タイプ 電圧 -供給 サプライヤーデバイスパッケージ データシート ROHSステータス 水分感度レベル(MSL) その他の名前 ECCN htsus 標準パッケージ 現在 -出力 /チャネル データレート 立ち上がり /上下時間(タイプ) 電圧 -出力(最大) 電圧 -フォワード( vf)(タイプ) 現在-dc フォワード( if )( max) 電圧 -分離 入力-1/サイド2 一般的なモード過渡免疫(最小) 伝播遅延tplh / tphl (最大) 現在の転送比(最小) 現在の転送比(最大) オン /ターンオフ時間(タイプ) vce 飽和(最大)
TLP2370(TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2370 1.7700
RFQ
ECAD 1016 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.179 "、幅4.55mm )、 5リード TLP2370 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 6-SO、5リード ダウンロード 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 3,000 10 Ma 20Mbps 3NS 、2ns 1.5V 8ma 3750VRMS 1/0 20kv/µs 60ns、60ns
TLP9104(SND-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP9104 -
RFQ
ECAD 5940 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * バルク 廃止 - 264-TLP9104 ear99 8541.49.8000 1
TLP626(BV-LF2,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP626 -
RFQ
ECAD 9710 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 4-dip (0.400 "、10.16mm) TLP626 AC 、DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 264-TLP626 ear99 8541.49.8000 1 50ma 8µs 、8µs 55V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 200% @ 1ma 1200% @ 1ma 10µs 、8µs 400mv
TLP552(MAT,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 -
RFQ
ECAD 3433 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP552 - 1 (無制限) 264-TLP552 ear99 8541.49.8000 50
TLP2161(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2161 -
RFQ
ECAD 8290 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 8-SOIC (0.154 "、幅3.90mm) TLP2161 DC 2 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 8-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) TLP2161F ear99 8541.49.8000 100 10 Ma 15Mbd 3ns、3ns 1.5V 10ma 2500VRMS 2/0 20kv/µs 80ns、80ns
TLP385(D4-BLL,E Toshiba Semiconductor and Storage Tlp385 0.5500
RFQ
ECAD 5999 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) TLP385 (D4-BLLE ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP785F(D4GHT7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4GHT7、F -
RFQ
ECAD 6227 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.400 "、10.16mm) TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP785F (D4GHT7FTR ear99 8541.49.8000 2,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP512(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP512 -
RFQ
ECAD 7502 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP512 - 1 (無制限) 264-TLP512 ear99 8541.49.8000 50
TLP385(D4Y-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP385 0.5600
RFQ
ECAD 1433 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP385 DC 1 トランジスタ 6-SO、4リード ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 5000VRMS 50% @ 5ma 150 @ @ 5ma 3µs、3µs 300mv
TLP2768(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2768 -
RFQ
ECAD 6523 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.268 "、幅6.80mm) TLP2768 DC 1 オープンコレクター、ショットキーはクランプされました 2.7V〜5.5V 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP2768 ear99 8541.49.8000 1 25 Ma 20MBD 30NS、30ns 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 60ns、60ns
TLP734F(D4-C173,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734F (D4-C173 -
RFQ
ECAD 6004 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP734 - 1 (無制限) 264-TLP734F(D4-C173F) ear99 8541.49.8000 50
TLP9114B(SAN-TL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP9114B(san-tl、f -
RFQ
ECAD 5590 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * バルク 廃止 - 264-TLP9114B (SAN-TLF ear99 8541.49.8000 1
TLP2770(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2770 2.2400
RFQ
ECAD 11 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.295 "、幅7.50mm) TLP2770 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 6-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 1,500 10 Ma 20MBD 1.3ns、1ns 1.5V 8ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 60ns、60ns
TLP552(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP552 -
RFQ
ECAD 3526 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * チューブ 廃止 TLP552 - 1 (無制限) 264-TLP552 ear99 8541.49.8000 50
TLP183(GRL-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP183 0.5100
RFQ
ECAD 6712 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP183 DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 200% @ 5MA 3µs、3µs 300mv
TLP131(GB-TPL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP131 -
RFQ
ECAD 8605 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、 5リード TLP131 DC 1 ベース付きトランジスタ 6-MFSOP 、5リード - ROHS準拠 1 (無制限) TLP131 ear99 8541.49.8000 3,000 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP734(D4-C172,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4-C172 -
RFQ
ECAD 4589 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - テープ&リール( tr) 廃止 -40°C〜100°C 穴を通して 6-dip (0.300 "、7.62mm) TLP734 DC 1 トランジスタ 6-dip - ROHS準拠 1 (無制限) TLP734(D4-C172F) ear99 8541.49.8000 1,500 50ma 2µs、3µs 55V 1.15V 60 Ma 4000VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP182(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182 0.5700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.173 "、幅4.40mm )、4つのリード TLP182 AC 、DC 1 トランジスタ 6ソップ ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) TLP182 gre ear99 8541.49.8000 125 50ma 2µs、3µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 300% @ 5MA 3µs、3µs 300mv
TLP785(BLL-LF6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785 -
RFQ
ECAD 2699 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 表面マウント 4-SMD 、カモメの翼 TLP785 DC 1 トランジスタ 4-SMD ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP785 (BLL-LF6F ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 200% @ 5MA 400% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP127(CANO-U,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP127 -
RFQ
ECAD 6413 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜100°C 表面マウント 6-SMD (4 リード)、ガルウィング TLP127 DC 1 ダーリントン 6-MFSOP 、4リード - 1 (無制限) 264-TLP127 ear99 8541.49.8000 1 150ma 40µs、15µs 300V 1.15V 50 Ma 2500VRMS 1000% @ 1MA - 50µs、15µs 1.2V
TLP2766(D4-TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2766 -
RFQ
ECAD 7722 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.268 "、幅6.80mm) TLP2766 DC 1 プッシュプル、トーテムポール 2.7V〜5.5V 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP2766 ear99 8541.49.8000 1 10 Ma 20MBD 15ns、15ns 1.55V 25ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 55ns 、55ns
TLP630(GB-FANUC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630 -
RFQ
ECAD 7207 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 6-dip (0.300 "、7.62mm) TLP630 AC 、DC 1 ベース付きトランジスタ 6-dip ダウンロード 264-TLP630 ear99 8541.49.8000 1 50ma 2µs、3µs 55V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 100 @ @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP714F(4HWTP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP714F (4HWTP f -
RFQ
ECAD 7589 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜125°C 表面マウント 6-SOIC (0.268 "、幅6.80mm) TLP714 DC 1 オープンコレクター 4.5V〜30V 6スディップカモメの翼 ダウンロード 264-TLP714F(4HWTPF ear99 8541.49.8000 1 15 Ma 1Mbps - 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 550ns 、400ns
TLP759F(D4FA1T4SJF Toshiba Semiconductor and Storage TLP759F (D4FA1T4SJF -
RFQ
ECAD 3610 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -55°C〜100°C 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) TLP759 DC 1 ベース付きトランジスタ 8ディップ ダウンロード 264-TLP759F (D4FA1T4SJF ear99 8541.49.8000 1 - - - 1.65V 25 Ma 5000VRMS 20% @ 16ma - - -
TLP781(D4-GRH,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 -
RFQ
ECAD 5401 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.300 "、7.62mm) TLP781 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP781 ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 150 @ @ 5ma 300% @ 5MA 3µs、3µs 400mv
TLX9291(OGI-TL,F(O Toshiba Semiconductor and Storage TLX9291 -
RFQ
ECAD 2489 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 * バルク 廃止 - 264-TLX9291 ear99 8541.49.8000 1
TLP754(D4,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754 -
RFQ
ECAD 8939 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - バルク 廃止 -40°C〜125°C 穴を通して 8-dip (0.300 "、7.62mm) DC 1 オープンコレクター、ショットキーはクランプされました 4.5V〜30V 8ディップ ダウンロード 264-TLP754 ear99 8541.49.8000 1 15 Ma 1Mbps - 1.55V 20ma 5000VRMS 1/0 20kv/µs 550ns 、400ns
TLP290(GB,SE Toshiba Semiconductor and Storage TLP290 0.5100
RFQ
ECAD 2539 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 新しいデザインではありません -55°C〜110°C 表面マウント 4-SOIC (0.179 "、幅4.55mm) TLP290 AC 、DC 1 トランジスタ 4-SO ダウンロード ROHS準拠 1 (無制限) ear99 8541.49.8000 175 50ma 4µs 、7µs 80V 1.25V 50 Ma 3750VRMS 100 @ @ 5ma 400% @ 5ma 7µs 、7µs 300mv
TLP781(DLT-HR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781 -
RFQ
ECAD 9568 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ 廃止 -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.300 "、7.62mm) TLP781 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP781 ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
TLP785F(D4B-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F (D4B-F7 、F -
RFQ
ECAD 8709 0.00000000 東芝の半導体と貯蔵 - チューブ アクティブ -55°C〜110°C 穴を通して 4-dip (0.400 "、10.16mm) TLP785 DC 1 トランジスタ 4-dip ダウンロード 1 (無制限) 264-TLP785F (D4B-F7F ear99 8541.49.8000 100 50ma 2µs、3µs 80V 1.15V 60 Ma 5000VRMS 50% @ 5ma 600% @ 5ma 3µs、3µs 400mv
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    毎日の平均RFQボリューム

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    標準製品ユニット

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    世界的なメーカー

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    在庫倉庫